Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


курсовая работа Разработка конструктивно-технологического варианта радиочастотного микропереключателя

Информация:

Тип работы: курсовая работа. Добавлен: 24.05.13. Сдан: 2013. Страниц: 15. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Московский  авиационный институт

(государственный  технический университет)

Кафедра 404

Курсовая  работа по предмету: 
«Интегральные устройства радиоэлектроники» 
На тему: 
"Разработка конструктивно-технологического варианта радиочастотного микропереключателя"

Выполнил:

Трушин Р.Н.

Группа: 04-303

Проверил:

Жуков А. А.

Москва  2012 

Содержание

Содержание 2

Техническое задание 3

Введение 6

1 Анализ принципа  действия, конструкции и методов  изготовления радиочастотного микропереключателя 7

1.1 Анализ  принципов действия радиочастотных  микропереключателей 7

1.1.1 Электростатические  механизмы управления 8

1.1.2 Магнитостатические  механизмы управления 8

1.1.3 Пьезоэлектрические  механизмы управления 8

1.1.4 Электротермический  механизм управления 8

1.2 Параметры  переключения 8

1.3 Анализ  конструкции радиочастотного микропереключателя 9

1.4 Технологии  производства МЭМС 10

1.4.1 Кремниевая  объёмная микрообработка 10

1.4.2 Способы  остановки процесса травления 12

1.4.3 Кремниевая  поверхностная микрообработка 13

1.4.4 LIGA, SIGA и MUMP’s технологии 15

2 Расчет типового  радиочастотного микропереключателя 17

2.1 Расчет  исполнительного элемента 17

3 Анализ физико-механических  характеристик радиочастотного  микропереключателя в программном  комплексе SolidWorks 19

4 Заключение 22

Список литературы 23

 

Техническое задание

Показатели  технического уровня создаваемой научно-технической  продукции в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96 (форма Д.1.1).

Используемые технологические  процессы должны обеспечить изготовление РМП с заданными характеристиками:

- рабочая частота: до 6ГГц

- рабочий диапазон температур: минус 120…+170оС

- материал исполнительного элемента: кремний/никель/золото/алюминий

- материал резисторов: нихром / вольфрам / нитинол / поликремний

- материал  диэлектрика конденсатора: нитрид кремния

- напряжение питания системы  преобразователя 24В; ток питания  100 мкА.

 

Электрическая принципиальная схема включения РМП представлена на рисунке 1 (Вх – выход с РМП).

Рисунок 1 – Схема преобразователя РМП

 

Основные данные для расчетов представлены в таблице 1.

 

Таблица 1 - Основные данныедля расчетов

 

Вариант

4

Распределенное разностное давление ?р, Па

106

Размер мембраны A?А, м

4·10-4

Толщина мембраны сп, мкм

6,0

Количество упругих подвесов

4

Ширина подвеса, мкм

55

Толщина подвеса, мкм

6,0

Длина подвеса, мкм

100

Толщина резисторов, мкм

1,2

Толщина диэлектрика конденсатора, нм

25

Материал исполнительного элемента

Алюминий

Материал резисторов

Поликремний


 

Требования технологичности не предъявляются.

Требования живучести и стойкости  к внешним воздействиям: по климатическим и механическим воздействиям изделия должны соответствовать требованиям, предъявляемым к аппаратуре космического назначения.

Требования надежности не предъявляются.

Требования  транспортабельности:  транспортировку изделий необходимо проводить в специализированной таре.

Требования  безопасности: применяемое электрооборудование, электроприборы и их эксплуатация должны соответствовать требованиям ГОСТ 12.1.019–79, ГОСТ 12.1.030–81, «Правилам устройства электроустановок», «Правилам технической эксплуатации электроустановок потребителей», «Правилам техники безопасности при эксплуатации электроустановок потребителей». Защитное заземление должно быть выполнено в соответствии с ГОСТ12.2.007.0–75.

Требования стандартизации, унификации: при разработке технологических процессов необходимо использовать стандартное технологическое оборудование линейки изготовления специализированных СБИС.

Требования каталогизации не предъявляются.

 

Введение

ВЧ  микропереключатели являются самыми распространенными  компонентами ВЧ микросистем. Это направление  элементной базы активно развивается  во всем мире. В том числе –  в сторону улучшения своих  высокочастотных свойств, что чрезвычайно  актуально для современной радиоэлектронной аппаратуры. ВЧ микропереключатели используются в интерфейсах между микросистемами и другими устройствами и служат для автоматического переключения сигналов, что увеличивает гибкость и расширяемость всей системы в целом.

Большинство технологий изготовления микросистем  разработаны на базе традиционных технологий обработки кремния. Использование  методов изготовления, сходных с  технологическими приемами микроэлектроники, обеспечивает ВЧ микропереключателям  миниатюрность, дешевизну при массовом производстве и возможность реализации уникальных функций.

Целью выполнения курсовой работы является анализ и расчетконструкции РМП, выполненного с использованием технологических процессов изготовления типовых ВЧ микропереключателей.

Задачи, решение которых обеспечивает достижение поставленной цели:

- анализ  принципа действия, конструкции  и методов изготовления РМП

- описание конструкции РМП

- расчёт исполнительного элемента  РМП

-анализ физико-механических характеристик РМП в программном комплексе SolidWorks.

 

1 Анализ  принципа действия, конструкции  и методов изготовления радиочастотного микропереключателя

1.1 Анализ принципов действия радиочастотных  микропереключателей

Ключ  – это устройство, позволяющее  замыкать и размыкать электрическую  цепь. ВЧ ключи являются самыми распространенными  компонентами ВЧ микросистем. Они используются в интерфейсах между микросистемами и другими устройствами и служат для автоматического переключения сигналов, что увеличивает гибкость и расширяемость всей системы  в целом.

По сравнению  с ключами на PIN диодах микропереключатели обладают несколькими преимуществами [2]:

- малым  потреблением энергии в режиме переключения (в среднем несколько микроджоулей)

- очень  высоким отношением емкостей  во включенном и выключенном  состоянии.

Однако у них есть серьезный  недостаток: низкая скорость переключения. В настоящее время возможно изготовления микропереключателей, у которых время переключения составляет 1… 10мкс, что значительно хуже, чем у современных твердотельных ключей [2].

Радиочастотные ключи могут быть двух типов: контактные и емкостные.

В контактном ключе при подаче управляющего сигнала подвижный контакт мембраны (кантилевера) соединяется с неподвижной контактной площадкой на подложке. Обычно контактные площадки выполняются из золота, их толщина равна примерно 0,3 мкм, радиус – около 1 мкм. Уменьшение размеров кантилевера приводит к расширению полосы пропускаемых частот, уменьшению перемещаемой массы и к сокращению длительности процесса изменения состояния. Однако при этом снижается значение допустимого тока через контакт, превышение которого может привести к деградации характеристик переключателя после определенного числа циклов замыкания-размыкания [1].

Мембрана емкостного ключа в разомкнутом состоянии удерживается упругими силами над сигнальной линией. В результате значение емкости между контактами этой модели составляет 47 пФ, а затухание сигнала на частоте 40 ГГц – 50 дБ. При подаче управляющего напряжения на центральный электрод мембрана за счет электростатической силы притягивается к диэлектрическому слою, нанесенному на поверхность центрального электрода. При этом значение емкости возрастает до 2,5 пФ, а затухание сигнала снижается до 0,1 дБ [3].

В представленных на рынке МЭМС-ключах используются разные механизмы управления положением кантилевера: электростатический, магнитостатический, пьезоэлектрический, электротермический [1].

1.1.1 Электростатическиемеханизмы управления

В ключах с электростатическим управлением, простых в изготовлении, используется притяжение двух противоположных зарядов. Однако напряжение в импульсе переключения может достигать нескольких десятков вольт.

1.1.2 Магнитостатические механизмы управления

При магнитостатическом управлении замыкание и размыкание ключа производится за счет изменения магнитного поля. Этот метод требует значительно меньших значений управляющего напряжения. Однако в конструкции мембраны необходимо использовать магнитные материалы, а также обеспечивать управление напряженностью магнитного поля. Важное достоинство электростатического и магнитостатического управления состоит в том, что энергия в цепи управления тратится только в процессе переключения, а разомкнутое или замкнутое состояние удерживается за счет внутренних упругих сил.

1.1.3 Пьезоэлектрические механизмы управления

В ключах с пьезоэлектрическим управлением перемещение обеспечивается материалом с пьезоэффектом (эффект поляризация диэлектрика под действием механических напряжений).

1.1.4 Электротермический механизм управления

При электротермическом управлении применяются материалы с различными значениями коэффициента теплового расширения.

1.2 Параметры переключения

При разработке ВЧ ключей существенными являются следующие  параметры [2]:

- длительность  переходных процессов

- время  переключения

- переходные процессы при коммутации

- коммутируемая мощность ВЧ сигнала

- согласование входных/выходных цепей

- ширина  полосы пропускания

- вносимые  потери

- развязка  входа от выхода

- последовательное  сопротивление

- напряжение  срабатывания

- срок службы

- резонансная  частота

- перекрестные наводки и уровень искажений

- согласование по амплитуде и фазе.

Кроме этих характеристик для ключей с механическими исполнительными механизмами важны также срок службы и резонансная частота механических частей.

1.3Анализ конструкции радиочастотного микропереключателя

На рисунке  1 показан мембранный переключатель [2]. Входной ВЧ сигнал подается через внутренний соединительный элемент на верхнюю часть мембраны. Выходная линия, расположенная под мембраной, крепится при помощи тонкой металлической полоски.

Рисунок 1 - Мембранный переключатель: а – изображение вида мембранного переключателя слева; б – изображение вида мембранного переключателя сверху; в – изображение ключа в замкнутом состоянии

На рисунке  1 - б показан вид мембранного переключателя сверху. Когда на управляющий электрод подается напряжение, электростатические силы заставляют мембрану опускаться вниз. При достаточном напряжении мембрана сильно деформируется и входит в контакт с нижней линией передач, замыкая два полюса, как показано на рисунке 1 -в. Коэффициент развязки ключа в разомкнутом состоянии определяется величиной паразитной емкости между мембраной в верхнем положении и нижней линией передач. Развязка между входом/выходом может быть улучшена при помощи дополнительного диэлектрического слоя, нанесенного на линию передач, который одновременно с этим снижает залипание между контактами.

В состав такого микропереключателя входит тонкая покрытая металлом диэлектрическая  мембрана, прикрепленная к кремниевой подложке, нависающая над небольшим  прямоугольным углублением. Углубление выполняется методом строго контролируемого  вытравливания кремния из-под  осажденной диэлектрической пленки.

Основной  частью всех ВЧ переключателей является механизм привода. Любой переключатель можно рассматривать как цифровое двоичное устройство, поскольку он может находиться только в одном из двух возможных положений. Во включенном состоянии переключатель связывает входной и выходной порты системы, в то время как в выключенном состоянии он их рассоединяет. Количество полюсов определяет число входных терминалов или входных портов переключателя, а количество направлений — число выходных терминалов или выходных портов. Для любого типа переключателей важными являются следующие характеристики: вносимые потери во включенном состоянии, коэффициент развязки в выключенном состоянии и потери на отражение в обоих состояниях.

1.4 Технологии производства МЭМС

В настоящее  время существует несколько базовых  технологий производства МЭМС (микроэлектромеханических устройств), к которым относятся  и датчики давления. Основными  частями этих технологий являются технологии объёмной микрообработки, поверхностной микрообработки, LIGA и SIGA технологии, а также MUMPs технология [6].

1.4.1 Кремниевая объёмная микрообработка

Объемные  методы обработки кремния являются наиболее развитыми технологиями [2]. Микроструктуры, изготавливаемые методами объемной обработки кремния, могут иметь толщину от долей микрона до полной толщины подложки (200... 500 мкм), а их поперечные размеры изменяются от нескольких микрон до полного диаметра подложки (75... 200 мм).

Травление — это ключевой метод объемной технологии. Процесс травления, как  правило, состоит из одного или нескольких нижеприведенных методов:

- жидкостное изотропное травление,

- жидкостное анизотропное травление,

- плазменное изотропное травление,

- реактивно-ионное травление,

- травление с барьерным слоем.

В объемную технологию также включаются методы соединения слоев внутри микросистемы и методы построения барьерного слоя из оксидов.

 

1.4.1.1 Изотропное и направленное жидкостное травление

Большинство методов жидкостного травления  являются изотропными, т. е. они не зависят от кристаллографической ориентации подложки. Однако существуют травильные вещества, для которых важной является ориентация кристаллов полупроводника. Они обладают свойством травить кристаллы с разной ориентацией с разной скоростью. В алмазоподобной и сфалеритовой пространственных решетках плоскости (111) имеют большую плотность упаковки по сравнению с ориентацией (100), поэтому скорость травления в них при применении любых травильных реагентов будет ниже. Избирательность и направленность — две основных характеристики травильных реагентов, применяемых при построении трехмерных структур. Поскольку процесс травления в полярных растворителях основан на явлениях переноса заряда, скорость травления зависит от типа используемых примесей, их концентрации и приложенного электрического поля. При помощи разных примесей можно управлять процессом травления. Процесс травления можно остановить электрохимическим способом, если к вытравливаемому n-р переходу приложить достаточно сильное электрическое напряжение.

Область, в которой процесс травления  замедляется или даже прекращается, называется барьерным слоем. Существует несколько способов создания барьерных  слоев: селективное травление при  помощи примесей, селективное травление  при помощи примесей и электрического смещения.

1.4.1.2 Сухое травление

Для построения подвесных механических структур и  приводов из монокристаллического кремния  был разработан метод сухого плазмохимического  травления. Он включает в себя реактивное травление монокристаллического кремния  и процесс металлизации. Технология реактивно-ионного травления используется для формирования на кремниевой подложке подвижных микроструктур с поперечными  размерами более 250 нм и произвольной ориентацией кристаллов. А для  формирования управляющих электродов используются: процесс ступенчатой металлизации поверхности, основанный на методах напыления металла, фотолитографии и сухом травление металла.

Технология  сухого травления может использоваться для формирования сложных геометрических структур. При помощи нее можно реализовывать интегрированные емкостные приводы с высоким характеристическим соотношением, позволяющие возбуждать электростатические силы, приводящие к движению механических микрочастей.

В сухих  методах продуктами реакций являются летучие вещества, удаляемые через  откачную систему. Сухие плазменные процессы проводятся в вакуумных  камерах, содержащих ионизированный газ  – плазму. В составе плазмы, кроме  отрицательных и положительных  ионов, электронов и нейтральных  молекул, могут также находиться свободные радикалы – крайне активные атомы или молекулы. Радикалы образуются в плазме из специально вводимых соединений. В зависимости от материала слоя, подлежащего травлению, способа  возбуждения и поддержания плазмы, давления в рабочей камере, состава  газовой смеси и конструкции  устройства при травлении слоев  может преобладать тот или  иной механизм: физическое распыление в результате бомбардировки ионами инертных газов (ионное травление), химическое взаимодействие с активными заряженными  или нейтральными частицами (плазмохимическое травление), а также комбинированное  воздействие (ионно-плазменное травление).

Ионы  инертных газов, направляемые перпендикулярно  подложке, позволяют получать рисунки  с практически вертикальными  стенками, но селективность такого процесса низка.

При плазмохимическом травлении разряд возбуждается в  химически активных газах или  парах, ионы и радикалы которых химически  взаимодействуют с поверхностным  слоем. Плазмохимическое травление  имеет высокую селективность, но степень анизотропии его не высока.

Более широкие  возможности у ионно-плазменного травления, сочетающего достоинства двух предыдущих методов. При этом физическое распыление активирует химические реакции, а химические реакции, ослабляя связи поверхностных атомов, способствуют физическому распылению.

1.4.2Способы остановки процесса травления

При формировании структур с помощью жидкого анизотропного  травления или сухого химического  травления существует необходимость  создания слоев, которые останавливают  процесс травления. Такие слои называются стоп-слоями. Для их создания существует несколько способов:

1.4.2.1 Селективное  травление при помощи примесей

Мембраны  из кремния изготавливаются в  основном при помощи тонкого барьерного слоя, сильно легированного бором. Этот слой может быть получен либо при  помощи эпитаксиального выращивания, либо сформирован методом диффузии или имплантации бора в слабо  легированную подложку. Основными достоинствами  метода создания барьерных слоев, сильно легированных бором, являются независимость  от ориентации кристаллов, гладкость  получаемой поверхности и возможность  построения свободных микроструктур  с любой геометрией боковых срезов за одну стадию травления.

1.4.2.2 Электрохимический способ остановки процесса травления

При электрохимическом  травлении к кремниевой подложке (аноду) и к электроду (катоду), находящимися в травильном растворе, прикладывается постоянное напряжение. Традиционный электрохимический метод травления  подходит как для изготовления микродатчиков, так и микроприводов, поскольку  позволяет реализовывать микроструктуры из умеренно легированного кремния  n-типа, обладающие хорошей воспроизводимостью, и при этом осуществлять контроль за их толщиной.

1.4.2.3 Селективное  травление при помощи импульсного  напряжения анодизации

Импульсное  анодноеокисление является методом селективного травления кремния n-типа. В нем используется разница времени, требующегося для растворения анодно-оксидных пленок, сформированных на кремниевых пластинах п- и р-типа при идентичных условиях. Этим методом можно изготавливать микроструктуры из кремния р-типа как слабо, так и умеренно легированного. Следовательно, метод импульсной анодизации открывает возможность построения временных микроструктур в кремнии р-типа.

1.4.2.4 Фотогальванический метод электрохимического травления

Этот  метод подходит для изготовления большинства микроструктур, которые  могут производиться и травлением с созданием барьерного высоколегированного  бором слоя, и электрохимическим  способом. Здесь используются два  электрода для выращивания пассивирующего оксидного слоя, но разность потенциалов  и ток, требуемые для этого  процесса, не подводятся, а генерируются внутри самой кремниевой подложки.

1.4.3 Кремниевая поверхностная микрообработка

Реализованные по этим технологиям структуры размещаются, в основном, на поверхности кремниевой подложки в виде тонких пленок [2]. Размеры устройств, полученных по поверхностным технологиям, могут быть на порядок меньше аналогичных структур, построенных по объемным технологиям. Основным преимуществом микросистем, изготовленных поверхностными методами, является простота их интеграции с традиционными интегральными схемами, поскольку они могут быть реализованы на тех же самых подложках. Однако миниатюрность поверхностных микросистем имеет свои недостатки, их малые размеры и вес делают их непригодными для применения во многих датчиках и приводах. Эта проблема особенно ощутима в емкостных механических микродатчиках и микроприводах, управляемых за счет изменений емкости, что объясняется трудностями получения высоких уровней емкостной связи. Для преодоления вышеуказанной проблемы были разработаны методы, использующие глубокое травление, такие как LIGA, но они трудно применимы к кремниевым подложкам.

Существует  несколько подходов к изготовлению микросистем по поверхностным технологиям:

- создание защитных слоев при построении механических микроструктур

- совместное применение традиционных методов изготовления микросхем и жидкостного анизотропного травления

- использование плазменного травления для производства ми- . кроструктур на поверхности кремниевой подложки.

При использовании  защитного слоя в качестве структурного материала для построения микроэлементов, в основном, применяется поликремний, и только в редких случаях- монокремний. Для создания защитного слоя здесь используется метод химического осаждения из газовой фазы при низких давлениях. Пленки, получаемые таким способом, отличаются отличными механическими свойствами, сравнимыми со свойствами монокристаллического кремния. Если в качестве структурного материала используется поликремний, защитный слой обычно строится из диоксида кремния. Элементы из защитного материала всегда выполняют вспомогательную роль в производстве микроустройства и никогда не входят в его окончательную структуру.

Технология  защитного слоя состоит из следующих  основных этапов:

- осаждения и формирования защитного слоя из диоксида кремния на подложке

- осаждения и формирования слоя из поликремния

- удаления защитного оксида травлением в плавиковой кислоте (HF). Этот шаг необходим для вытравливания оксида из-под поликремниевой структуры.

Считается, что поликремний выступает в  качестве структурного материала, а диоксид кремния - защитного. Это сочетание выбрано потому, что оно подходит почти для всех практических приложений. Однако иногда применяются и другие комбинации материалов.

В идеальных  механических микроструктурах отсутствуют  остаточные механические напряжения, т. е. нанесенные пленки не имеют значительной остаточной деформации. Если это не выполняется, могут возникнуть серьезные  проблемы. Например, балка на двух опорах может изогнуться при наличии  в структурном материале даже незначительной остаточной деформации сжатия. Но при соответствующем выборе условий нанесения слоев и  оптимизации фазы отжига можно получить пленки из структурных материалов, практически свободные от остаточных механических напряжений.

Поверхностные технологии требуют подбора соответствующих  пар структурных и защитных материалов, а также выбора подходящих химических реагентов. Структурные материалы  должны обладать физическими и химическими  свойствами, необходимыми для выполнения конкретных функций. В дополнение к  этому структурные материалы  должны иметь соответствующие механические качества, такие как высокие пластичность и прочность на разрыв, минимальные  ползучесть и усталость, а также  хорошую износостойкость. Защитные материалы также должны обладать хорошими механическими характеристиками для предотвращения поломки изделия  во время изготовления. Им необходимо иметь хорошую адгезию и низкое остаточное напряжение, чтобы защитить микроструктуры от расслоения и/или  разломов. Травильные реагенты должны обладать отличной селективностью, чтобы  обеспечивать удаление защитного материала, не затрагивая саму микроструктуру. Они  также должны иметь соответствующие  вязкость и характеристики поверхностного натяжения.

1.4.4 LIGA, SIGA и MUMP’s технологии

LIGA технология - рентгенолитография, гальваника и  формовка. Сущность процесса заключается  в использовании рентгеновского  излучения от синхротрона для  получения глубоких, с отвесными  стенками топологических картин  в полимерном материале. Излучение  синхротрона имеет сверхмалый  угол расходимости пучка. Источником  излучения являются высокоэнергетические  электроны (энергия Е>1ГэВ) движущиеся  с релятивистскими скоростями. Глубина  проникновения излучения достигает  единиц миллиметров. Это обуславливает  высокую эффективность экспонирования  при малых временных затратах.

С помощью  литографии на подложке формируют структуру  из фоторезиста. Ее используют для получения  шаблона с помощью гальванической формовки. Затем  шаблон заливают и  получают структуру из пластика, удаляя подложку с шаблоном.

SIGA технология - ультрафиолетовая литография, гальваника  и формовка. Из особенностей этого  процесса можно отметить, что  можно управлять шириной профиля  и то, что технология совместима  с технологией тонких плёнок.

На окисленной кремниевой подложке с нанесенным на нее хромовым покрытием формируется  фоторезистивная маска. После плазменного  травления кремния фоторезист и  хромовое покрытие удаляются. Происходит термическое окисление кремния. Впоследствии окисел подвергается анизотропному  травлению. Затем с помощью гальваники формируется необходимая структура  изделия.

MUMPs технология почти на всех этапах формирования топологии использует реактивное ионное травление, что позволяет селективно удалять вещества в вертикальном направлении.

 

2 Расчет  типового радиочастотного микропереключателя

2.1 Расчет исполнительного элемента

В качестве исполнительных элементов РМП могут применяться как круглого, так и прямоугольного вида мембраны. Теория тонких пластин давно и глубоко разработана, так же, как и варианты их использования в качестве мембран[5].

Подвес  исполнительного элемента РМП –  инерционной массы (ИМ) представляет собой различные комбинации упругих  элементов типа балок (стержней), преобладающее  большинство которых подвержено деформациям изгиба (элементы "работают" на изгиб).

Для всех видов мембран при условии, что  сила приложена в центре ИМ по оси  у нагружение упругих элементов  соответствует единичному параллельному  смещению одного из концов упругого элемента. Этой же схеме нагружения соответствует  и случай приложения силы вдоль оси  x.

Если  центр масс и геометрический центр  пластины ИМ совпадают и сила приложена  по оси у в центр масс (ЦМ), то жесткость подвеса, состоящего из четырех  балок, при действии силы вдоль оси  х, определяется формулой:

,


и т.д.................


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть полный текст работы бесплатно


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.