На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


лабораторная работа Исследование полупроводниковых приборов

Информация:

Тип работы: лабораторная работа. Добавлен: 25.04.2012. Сдан: 2011. Страниц: 4. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


    Министерство образования  и науки РФ
   Федеральное агентство по образованию 

   Новосибирский государственный  технический университет
     

    Кафедра Автоматики 
 
 
 

   Лабораторная  работа №1
   По  курсу «Вычислительные машины, системы  и сети» 

   Исследование  полупроводниковых приборов 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

         Факультет:   АВТ
         Группа:   
         Студенты:   
     

         Бригада:  2 

         Преподаватель: Кляуз А. П. 
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     

   Новосибирск
    2011 

 

   
   
 Цель  работы: Исследовать режимы работы полупроводниковых диодов. Экспериментально построить ВАХ диода и обратную ветвь ВАХ стабилитрона. Исследовать принцип работы параметрического стабилизатора напряжения и диодных ограничителей. 

   Оборудование: компьютерная программа Electronics Workbench
   Исходные  данные:
    Диоды:      SB350     
                  GP10B
       Стабилитрон № 2 

    Выполнение работы:
    Собирается схема ( Рис.1).
 

Рис.1. Схема для экспериментального построения прямой ветви ВАХ диода. 
 

    Заполняется таблица для прямой ветви ВАХ  диода при разных значениях Е.

    GP10B

E (B) 0 0,5 1 2 4 6 8 10 12
Iд  (мА) 0 0,145 0,932 2,806 6,706 10,65 14,62 18,59 22,57
Uд  (мВ) 0 427,3 533,7 596,9 647 673,7 692 705,9 717,2

    SB350

E (B) 0 0,5 1 2 4 6 8 10 12
Iд  (мА) 0 0,071 1,614 3,523 7,435 11,38 15,35 19,32 23,3
Uд  (мВ) 0 146,8 193,1 238,5 282,5 307,7 325,5 339,2 354
 
    3. Собирается схема (Рис.2). 


Рис.2. Схема для экспериментального построения обратной ветви ВАХ диода. 

    Заполняется таблица для обратной ветви ВАХ диода при разных значениях Е.

    GP10B

E (B) 0 1 2 4 5 6 8 10 12 13
Iд  (мкА) 0 0,184 0,284 0,484 0,584 0,684 0,884 1,084 1,284 1,384
Uд  (В) 0 1,0 2,0 4,0 5,0 6,0 8,0 10,0 12,0 13,0

SB350

E (B) 0 0,5 1 2 4 6 8 10 12
Iд (мкА) 0 65,76 65,98 66,09 66,3 66,5 66,7 66,9 67,1
Uд  (В) 0 0,467 0,967 1,967 3,967 5,967 7,967 9,97 11,97
 
 

   
    По полученным данным строятся ВАХ диодов.
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
    ВАХ диодов 
     
     
     
     
     
     

    Рис. 3.  ВАХ диодов 
     
     
     

 


    Собирается схема ( Рис.4).
 

    Рис.4. Схема для построения обратной ветви ВАХ стабилитрона. 

    Заполняется таблица для обратной ветви ВАХ  стабилитрона при различных   значениях Е.
E (B) 0 1 2 4 5 6 8 10 12 14
Iст.обр  (мА) 0 0,101 0,102 0,104 1,814 3,738 7,623 11,52 15,43 19,34
Uст. обр (В) 0 0,949 1,949 3,948 4,093 4,131 4,188 4,238 4,285 4,33
 
    Строится  график обратной ветви ВАХ стабилитрона.
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

    Рис. 5.  ВАХ диодов
Напряжение  стабилизации: Uст ? 4 В.
Дифференциальное сопротивление стабилитрона: rст = ?Uст / ?Iст
rст = (4,33 – 4,093) / (19,34 – 1,814) = 13,5 (Ом) 
 

 


    9.  Собирается схема ( Рис.6). 


Рис.6. Параметрический стабилизатор напряжения 

    10. Заполняется таблица.
Rн  (Ом) Iн (мА) Uн (В) Iст (мА) I (мА)
100 42,23 4,224 10,35 52,59
300 15,06 4,518 36,54 51,61
1000 4,625 4,625 46,62 51,25
 
           Uн (В) 
     
     
     
     
     
     
     

                    Iн  (мА)
    Рис.7. Нагрузочная характеристика схемы  
     
     
     
     
     
     

      

    11. Собирается схема (Рис.8).

Рис.8. Последовательный ограничитель со смещением 
 

      12. На вход подается напряжение частотой 1 кГц и амплитудой 10 В. Получаем осциллограммы входного (цвет осциллограммы - черный) и выходного (цвет осциллограммы - красный) напряжений.
        
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     
     

Рис.9. Осциллограмма  последовательного ограничителя со смещением 
 
 
 

 

      

         Выводы:

    Экспериментальное построение ВАХ диода.
    На  ВАХ диодов SB350 и GP10B при прямом включении видно различие в напряжении “пятки” у диодов т.к. диоды изготавливаются из различных полупроводников. На ВАХ диодов SB350 и GP10B при обратном включении можно увидеть что тепловые токи у диодов имеют различные значения из этого следует что, чем больше напряжение “пятки” тем меньше тепловой ток и наоборот. Это утверждение подтверждается следующим уравнением: Uд=?тln((Iд+Io)/Io). Проанализировав оба графика, можно определить, что диод SB350 – германиевый, а GP10B – кремниевый.
    При прямом включении сопротивление  постоянному току определяется по формуле 
    Rпр = Uд/Iд. Так как ?т~26мВ, то сопротивление будет расти с уменьшением прикладываемого к диоду напряжения (диод будет приближаться к закрытому состоянию). У разных диодов при одинаковом приложенном напряжении сопротивление постоянному току будет больше у того, у кого меньше значение теплового тока.
    При прямом включении сопротивление переменному току определяется по формуле rпр=dU/dI= ?т/(Iд+Io). Следовательно, сопротивление растёт с уменьшением протекающего через диод тока, а у разных диодов при одинаковом протекающем токе сопротивление переменному току будет больше у того, у кого меньше значение теплового тока.
    Сопротивление постоянному току при обратном включении  определяется по закону Ома, и, следовательно, должно быть велико, так как при  больших напряжениях ток практически  не меняется и остаётся равным тепловому  току. Поэтому при одинаковом приложенном напряжении, сопротивление будет больше у того диода, у которого меньше значение теплового тока.
    Сопротивление переменному току при обратном включении  определяется по формуле: rпр=dU/dI= ?т/ (Iд+Io). Так как ?т~26мВ, а Iд~Io, сопротивление переменному току будет больше, чем постоянному. А при прочих равных условиях оно будет больше у диода с меньшим тепловым током.
    Экспериментальное построение обратной ветви ВАХ стабилитрона.
   Стабилитрон, в отличие от диода работает в  режиме обратного пробоя, и, следовательно, обладает ёще одной характеристикой – напряжением стабилизации
   При напряжениях, меньших напряжения стабилизации, режим работы стабилитрона похож  на режим работы диода при обратном включении. Поэтому при таких  напряжениях сопротивление постоянному и переменному току довольно велики, причём сопротивление переменному току больше, чем постоянному.
   В режиме обратного пробоя, при небольших  изменениях напряжения, ток, протекающий  через стабилитрон, резко увеличивается. Поэтому сопротивление постоянному и переменному току в этом режиме гораздо меньше, причём сопротивление переменному току меньше, чем постоянному.
    Параметрический стабилизатор напряжения.
  Параметрический стабилизатор напряжения используется для превращения пульсирующего напряжения в постоянное, а также для получения из постоянного напряжения “высокого” уровня постоянного напряжения более “низкого” уровня при изменяющейся нагрузке.
и т.д.................


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть полный текст работы бесплатно


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.