На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


реферат Ионная имплантация

Информация:

Тип работы: реферат. Добавлен: 25.04.2012. Сдан: 2011. Страниц: 8. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Министерство  образования Российской Федерации
 
 
 
  
 
 
 
 
 

Московский  ордена Ленина, ордена Октябрьской революции
и ордена Трудового  Красного Знамени
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ  имени Н. Э. Баумана 
 
 
 

  Факультет  РЛМ
Кафедра "Технологии приборостроения"
 
 
 
 
 
 
Реферат на тему
  «Ионная имплантация»  
 

Студент группы РЛ6-71 Gtnhjd

 
                                                                                   Преподаватель: Полущенко О.Л. 
 
 
 
 

Москва 2011 

     Содержание 

Введение
1.      Введение……………………………………………………………………..3
2.1.  Сущность метода. Основные характеристики ионной имплантации……4
2.2. Влияние технологических факторов на распределение пробега имплантированных ионов…………………………………………………..……7
2.3.  Радиационные  дефекты ……………………………………………………..9
3.     Вывод………………………………………………………………………..16
Список  литературы………………………………………………………………17 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

     Введение 

Создание биполярных и МДП СБИС с хорошими технико-экономическими характеристиками невозможно без использования метода ионной имплантации, освоенного промышленностью в 70-е годы. Пучок положительно заряженных примесных ионов в ионно-лучевом ускорителе бомбардирует кристалл полупроводника. Проникая в кристалл, примесь легирует его и одновременно вызывает образование радиационных нарушений. Распределение концентрации внедренных ионов описывается кривой Гаусса, основным параметром которой является пробег ускоренных ионов. При малых дозах облучения радиационные нарушения не изменяют кристаллической структуры полупроводника, тогда как большие дозы облучения примесными атомами ведут к аморфизации кристалла. Для устранения нарушений и электрической активации внедренной примеси необходим отжиг кристалла.
Наиболее широкое  распространение ионная имплантация  получила в технологии загонки строго дозированного количества примесных атомов, которое используется в качестве источника при последующей диффузионной разгонке для формирования примесного профиля. Помимо того, имплантация используется для создания тонких базовых областей биполярных транзисторов, управления пороговыми напряжениями МДП-транзисторов и других целей.
Для контроля ионно-имплантированных структур исследуют профили распределения  внедренных атомов, измеряют эффективную поверхностную концентрацию носителей заряда.
Метод ионной имплантации  состоит в бомбардировке пучками ускоренных ионов с энергиями от 10 кэВ до 1 МэВ твердых тел с целью изменения их свойств и структуры. Ускоренные ионы проникают в кристаллическую решетку, преодолевая отталкивающее противодействие положительных зарядов ядер атомов. Глубина проникновения ионов возрастает с увеличением их энергии.
Реализованные и  потенциальные преимущества ионного  легирования позволяют: осуществлять процесс с высокой производительностью; создавать практически любые  профили распределения за счет ступенчатого легирования; совмещать процесс  легирования с другими технологическими процессами поверхностей обработки  кристалла; получать прецизионное формирование профиля полупроводниковых структур.  
 
 
 
 

2.1 Сущность ионной имплантации
Ионная имплантация  – это управляемое введение примесных  атомов в поверхностный слой подложки путем бомбардировки ее ионами с  энергией от нескольких килоэлектрон-вольт  до нескольких мегаэлектрон-вольт (обычно от 20 кэВ до 100 кэВ). Процесс ионного  легирования осуществляют для модификации  свойств (в первую очередь электрофизических) поверхностного слоя. Избирательность  процесса легирования обеспечивается либо сканированием остросфокусированного  ионного пучка по заданной программе, либо перемещением широкого ленточного пучка по предварительно маскированной  поверхности.
Ионы при движении в подложке сталкиваются с атомами  подложки и выбивают их из своих  узлов. В результате вдоль траектории движения имплантированных ионов образуются многочисленные вакансии и междоузельные  атомы, то есть создаются радиационные дефекты. Когда плотность пучка  ионов превышает некоторое критическое  значение, может образоваться сплошной аморфный слой. В результате столкновений ионов с атомами мишени они  теряют свою энергию и, в конечном  итоге, останавливаются (обычно в междоузлиях). Для того чтобы внедренные таким образом атомы смогли выполнить свои функции доноров или акцепторов, их необходимо перевести из междоузлий в узлы кристаллической решетки. Это осуществляют с помощью термического отжига. Другой важной задачей отжига является устранение возникших радиационных дефектов и восстановление исходной кристаллической структуры. Температура ипродолжительность отжига определяется тем, насколько сильно нарушенакристаллическая структураподложки.
Успешное  применение ионной имплантации определяется главным образом возможностью предсказания и управления электрическими и механическими  свойствами формируемых элементов  при заданных условиях имплантирования.
Метод ионного легирования  имеет ряд преимуществ. Во-первых, этот метод универсален, так как с его помощью можно вводить любые примеси в любое твердое тело. Во-вторых, он обеспечивает высокую чистоту легирования, практически исключающую попадание неконтролируемых примесей в легированный слой. В-третьих, ионное легирование проводится при низких температурах (вплоть до комнатных), что позволяет использовать в качестве масок слои из фоторезиста. В-четвертых, данный метод легирования гораздо более управляем, чем метод диффузии.
Изменяя плотность пучка ионов и их энергию, можно в достаточно широких пределах варьировать количество имплантированных примесных атомов и глубину их залегания. Серьезным ограничением метода является малая глубина проникновенияионов в подложку и, вследствие этого, малая глубина залегания р-п-переходов. Это затрудняет выполнение последующих технологических операцийи, предъявляет высокие требования к качеству поверхности исходной подложки. Есть проблемы с легированием пластин большого диаметра из-за расфокусировки ионного пучка при больших отклонениях его от нормали. Хотя радиационныедефекты и устраняются в значительной степени отжигом, тем не менее, оставшаяся часть может негативно сказаться на работе полупроводниковых приборов.
Часто приходится проводить имплантацию атомов в  подложку, которая покрыта одним  или несколькими слоями различных  материалов. Существование многослойной структуры способно вызвать резкие перепады в профиле легирования  на границе отдельных слоев. За счет столкновения ионов с атомами  приповерхностных слоев последние  могут быть выбиты в более глубокие области легируемого материала. Такие "осколочные эффекты" способны вызвать ухудшение электрических  характеристик готовых приборов.
Упрощенная схема  установки для ионной имплантации  представлена на рис. 1 
 
 


Рис. 1.Схема установки для ионной имплантации.
1 – источник ионов (газоразрядная камера); 2 – вытягивающий электрод; 3 – электромагнитнаяфокусирующая линза; 4 – ускоряющий электрод; 5 – отклоняющие ионный пучок пластины; 6 – входная и выходная диафрагмы; 7 – магнитный сепаратор; 8 – подложка; 9– держатель подложки. 

Наличие в установке  для ионной имплантации магнитного сепаратора обеспечивает высокую чистоту  легирования. Принцип действия сепаратора основан на взаимодействии магнитного поля, созданного в сепараторе, с  движущимися ионами. В результате действия силы Лоренца ионы движутся по дуге окружности, радиус R которой  определяется выражением , где m - масса иона; U - ускоряющее напряжение; q - заряд иона; B – магнитная индукция. Поскольку радиус кривизны траектории зависит от массы иона, то это дает возможность настроить сепаратор таким образом, чтобы через его выходную щель проходили только ионы определенной массы. Все другие ионы и нейтральные частицы будут задерживаться диафрагмой и подложки не достигнут. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

2.2. Влияние технологических факторов на распределение пробега имплантированных ионов. 

В ионно-легированном слое распределение примеси на фронтальной поверхности,вблизи перехода, определяется разбросом проецированного пробега. Но на боковой границе перехода распределение ионов может быть совершенно иным, чем на фронтальной поверхности. На рис. 2 показано влияние скошенного края маски на распределение внедренных атомов у боковых границ p-n-перехода, полученного ионным внедрением. Применение маски с прямоугольным (не скошенным) краем дает очень резкую границу между облученной и необлученной областями. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Рис. 2.2. Влияние маски ори р-n-переходе, полученном ионным легированием, на распределение внедренных атомов
При движении ионов  в подложке в результате столкновений с атомными ядрами электронами они теряют свою энергию и останавливаются (рис. 3). На рисунке 2 R - это длина пробегадлина пути иона от поверхности подложки (точка А) до точки остановки (точка В), а Rx – проекция пробега, т.е.  проекция на направление первоначального движения. Именно эта величина и определяет глубину проникновения иона в подложку.
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Рис.3.
Движение  иона в подложке
Движущиеся ионы могут остановиться в любой точке внутри подложки, так как столкновения с тормозящими частицами носят случайный характер. Поэтому следует ввести понятие «распределение пробега ионов». Для разъяснения этого понятия используют такие параметры, как средний пробег ионов и среднеквадратичное отклонение пробега ионов. Аналогичные характеристики используются и для определения проекций пробега ионов. В дальнейшем под Rx и DRx будем понимать именно средние характеристики проекций пробега. Глубина проникновения ионов в подложку и распределение пробега ионов в аморфной подложке зависит, главным образом, от энергии ионов, а такжеот вещества подложки, массы и атомного номера ионов. Для монокристаллических подложек на распределение пробега оказывает влияние кристаллографическая ориентация подложки относительно пучка ионов. Рассмотрим кратко физические основы процессов потери энергии ионовпри ихторможении в подложке. Теория ионной имплантации ионов в аморфную подложку была разработана датскими учеными Линдхардом, Шарфом и Шиоттом и получила название теории ЛШШ. Согласно этой теории движущиеся в подложке ионы теряют свою энергию в основном за счет двух механизмов: из-за столкновений с атомными ядрами мишени (ядерное торможение) и из-за взаимодействия с электронами (электронное торможение). В первом приближении считается, что оба вида потерь не зависят друг от друга и действуют одновременно. Потеря энергии ионов на единице длины пробега в этом случае определяется выражением , где Е - энергия иона в произвольной точке х на еготраектории движения;N – концентрация атомов подложки; Sn и Se – ядерная и электронная тормозные способности; . Знак минус показывает, что энергия иона при торможении уменьшается. Разделяя переменные, получим роизведя интегрирование в пределах от начальной энергии иона Е до нуля, можно найти среднюю длину пробега ионов: 

Электронная тормозная способность пропорциональна скорости движения ионов, которая, в свою очередь, пропорциональна квадратному корню из энергии иона. 

Покажем качественно  зависимость Sn и Se от энергии ионов (рис. 4).
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Рис 4.
Общий вид  зависимости тормозных сечений  электронного и ядерного торможения от энергии иона. 

При некоторой энергии  Е2 тормозные способности Sn и Se равны друг другу. Если энергия ионов меньше Е2, то преобладающий механизм торможения ядерный, если энергия ионов превышает Е2, то преобладает электронный механизм. Радиационные дефекты в подложке создаются, главным образом, при Sn >> Se. Поэтому при имплантации ионов, обладающих малыми энергиями, радиационные дефекты в подложке образуются вдоль всей траектории, а при высоких энергиях ионов – только в конце их пробега.
     Профиль распределения примеси при ионной имплантации бора различных энергий  в кремний приведен на рис. 5. 

       
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

     Рис. 5.
     Профиль распределения примеси при ионной имплантации бора различных энергий  в кремний
     Для корректного теоретического расчета  профиля, особенно для больших значений энергий пучков ионов, используют два  объединенных распределения Гаусса
     ,
     де  D - поглощенная доза,
     Rm - модальная длина пробега (аналог проекционной длины пробега при Гауссовском распределении),
     DR1, DR2 - флуктуации первого и второго распределения,
     DRi=DR1 при x>Rm,
     DRi=DR2 при x<=Rm.
     Теоретические профили, рассчитанные по приближению  Пирсона с 4 параметрами и распределению  Гаусса, и измеренные профили при  ионной имплантации бора в кремний  без проведения отжига приведены  на рис. 3.
5. Радиационные дефекты.
     Сталкиваясь с электронами и ядрами мишени, ионы легирующего вещества на некоторой  глубине теряют энергию и останавливаются. Если известны тип и энергия ионов  и свойства обрабатываемого материала, то глубина проникновения (или длина  пробега) может быть вычислена. Для  пучков с типичными энергиями  от 10 до 500 кэВ величина пробега достигает  одного мкм. Как уже указывалось, вследствие влияния большого числа  факторов, эпюра распределения внедренного  вещества в поверхность близка по форме гауссовскому распределению (рис. 6). Внедрение ионов в кристаллическую решетку обрабатываемого материала приводит к появлению дефектов структуры (рис. 7).
      Выбитые из узлов решетки атомы  вещества приводят к образованию  вакансий и дефектов структуры в  виде внедренных межузельных атомов. Эти же дефекты возникают при  застревании между узлами решетки  ионов. Скопление таких дефектов образует дислокации и целые дислокационные скопления (рис. 5). 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

     Рис. 6.
     Распределение ионов легирующего вещества (1) и  дефектов кристаллической решетки (2) по глубине модифицированного  поверхностного слоя.
Общая разупорядоченность кристаллического строения (вплоть до перехода вещества в аморфное состояние) решетки при ионной бомбардировке  называется радиационным повреждением. Исследования показывают, что радиационные повреждения могут изменить в  положительную сторону механические, электрические и другие свойства металла поверхностного слоя, но могут  и снижать эксплуатационные свойства деталей. В последнем случае делается отжиг; температурная активация  ускоряет перестройку атомов, что  приводит к более высокой термодинамической  стабильности упорядоченной кристаллической  решетки.
     Для изменения эпюры распределения  имплантированных атомов по глубине  поверхностного слоя применяют варьирование энергии ионного пучка и числа  ионов, попадающих в мишень, как это показано на рисунке 8.
       
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

     Рис. 7.
     Модель  изменения кристаллического строения вещества и химического состава  подложки при бомбардировке ее ускоренными  ионами 

     1 - атомы подложки;
     2 - ионы имплантируемого вещества;
     3 - образующиеся вакансии;
     4 - пути движения иона;
     5 - атом подложки, застрявший в  межузельном пространстве;
     6 - пути движения выбитых атомов  из узлов решетки;
     7 - атом мишени, удаляемый распылением  с поверхности.
     Пунктирными линиями показаны эпюры распределения  ионов азота, имплантированного  в железо пучками различных энергий; при этом каждая последующая обработка  выполняется пучком большей энергии. Результирующая концентрация ионов имплантированного вещества получается достаточно однородной при некоторой толщине слоя. 

       
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

     Рис. 8.
     Эпюры распределения концентрации ионов  азота, имплантированного в железо пучками различных энергий 

     Ионное  каналирование.
     Эффект  каналирования наблюдается при  попадании иона в свободное пространство между рядами атомов. Как только ион попадает в это пространство, на него начинают действовать потенциальные  силы атомных рядов, направляющие его  в центр канала. В результате этого  ион продвигается на значительные расстояния. Такой ион постепенно теряет энергию  за счет слабых скользящих столкновений со стенками канала и, в конце концов, покидает эту область. Расстояние, проходимое ионом в канале, может в несколько  раз превышать длину пробега  иона в аморфной мишени.
     Эффект  каналирования характеризуется  наличием "хвостов" концентрации атомов, выявляемых с помощью метода масспектрометрии вторичных ионов  и "хвостов" концентрации свободных  носителей зарядов, обнаруживаемых при проведении электрических измерений. Попытки устранения эффекта каналирования  путем ориентации кремниевой монокристаллической  подложки в наиболее плотно упакованных  направлениях сводят его к минимуму, но не исключают полностью.
     Были  сделаны попытки практического  использования эффекта каналирования  при имплантации примеси на большую  глубину. Однако в этом случае значительно  затруднены управление профилем распределения  имплантируемой примеси и получение  воспроизводимых результатов из-за очень высоких требований к точности разориентации ионного пучка  относительно основных кристаллографических направлений в подложке.
     Образование радиационных дефектов.
     При внедрении ионов в кремниевую кристаллическую подложку они подвергаются электронным и ядерным столкновениям, однако, только ядерные взаимодействия приводят к смещению атомов кремния. Легкие и тяжелые ионы производят качественно различное "дерево радиационных дефектов".
     Легкие  ионы при внедрении в мишень первоначально  испытывают в основном электронное  торможение. На профиле распределения  смещенных атомов по глубине подложки существует скрытый максимум концентрации. При внедрении тяжелых ионов  они сразу начинают сильно тормозиться  атомами кремния.
     Тяжелые ионы смещают большое количество атомов мишени из узлов кристаллической  решетки вблизи поверхности подложки. На окончательном профиле распределение  плотности радиационных дефектов, который  повторяет распределение длин пробега  выбитых атомов кремния, существует широкий скрытый пик. Сложная  структура различных типов дефектов вдоль траектории движения иона вызвана  распределением смещенных атомов кремния.
     Вводимые  в процессе ионной имплантации дефекты  состоят из вакансий и дивакансий. При нагреве мишени пучком ионов  в процессе имплантации до температуры  выше 500 С будут образовываться дислокации.
     Отжиг легированных структур
     Параметры процесса отжига определяются дозой  и видом имплантированных ионов.
     1. Изохорный отжиг структур, имплантированных  бором.
     Весь  диапазон температур отжига разбит на три области.
     Для первой области характерно наличие  точечных радиационных дефектов. Повышение  температуры отжига от комнатной  до 500 C приводит к ликвидации таких  точечных дефектов, как дивакансии.
     Вторая  область. При 500 C<Т< 600 С кремний  содержит меньшую концентрацию атомов бора в узлах кристаллической  решетки и большую концентрацию межузельных атомов бора с неопределенным положением.
     В третьей области T> 600 C за счет увеличения числа кремниевых вакансий и их замощения  атомами бора концентрация активных атомов примеси увеличивается. При  дозах имплантированных ионов 1012 см-2 полный отжиг происходит при Т= 800 С в течение нескольких минут.
     2. Изохорный отжиг структур, имплантированных  фосфором.
     Отжиг слоев фосфора, имплантированных при  комнатной температуре мишени, производится качественно отличным способом. Доза имплантируемого фосфора от 3*1012 до 3*1014 см-2 требует проведения отжига при температурах T> 800 C для устранения более сложных радиационных дефектов по сравнению с отжигом слоев, имплантированных бором.
     Когда имплантированный слой фосфора становится аморфным (при дозе выше 3*1014 см-2), начинает действовать другой механизм отжига. Температура отжига при этом несколько  меньше, чем для кристаллических  слоев и составляет 600 С. Более  сложные процессы происходят при  отжиге скрытых слоев с аморфной структурой, расположенных на определенной глубине под поверхностью подложки. Эпитаксиальная перекристаллизация начинается на обеих поверхностях раздела аморфных и монокристаллических областей.
     3. Изотермический отжиг
     Дополнительная  информация о характере распределения  имплантированных примесей может быть получена при проведении отжига при  постоянной температуре, но в течение  различного времени. По мере увеличения времени отжига электрическая активность легирующей примеси возрастает относительно медленно; при этом доля электрически активных атомов бора повышается от начального значения до величины, составляющей более 90 % этого значения. Энергия активации  соответствует генерации и миграции термически введенных вакансий. Термически генерированные вакансии мигрируют  к межузельным образованиям. При  этом происходит внедрение атомов бора в узлы кристаллической решетки.
     4. Диффузия имплантированных примесей.
     Коэффициент диффузии бора может быть повышен  за счет уничтожения кремниевых вакансий и межузельных кластеров, при  этом вакансии могут увеличить коэффициент  диффузии по узлам кристаллической  решетки, а межузельные атомы  кремния могут вытеснять атомы  бора из ее узлов, что приведет к  быстрой диффузии комплексов межузельный  атом кремния - атом бора.
     5. Быстрый отжиг.
     Имплантированные  слои могут быть подвергнуты лазерному  отжигу с плотностью энергии в  диапазоне 1-100 Дж/см2. Вследствие короткого  времени нагрева имплантированные слои могут быть термообработаны  без заметной диффузии примеси. Имплантированные аморфные слои толщиной 100 нм перекристаллизуются  в течение нескольких секунд при  Т= 800 С по механизму твердофазной эпитаксии.
     Процесс быстрого отжига относиться к категориям чистых процессов, и загрязнения  от элементов конструкции оборудования не создают серьезной проблемы. Лазерная энергия может быть локализована на отдельной части кристалла  ИС, так что некоторые р-n переходы схемы могут размываться во время  отжига за счет диффузии в большей  степени, тогда как другие не претерпевают изменений.
     Значительное  преимущество метода то, что после  расплавления и кристаллизации аморфных слоев по методу жидкофазной эпитаксии  в них отсутствуют линейные дефекты.
     С использованием технологии лазерного  отжига создают биполярные и МОП-транзисторы, кремниевые солнечные батареи.
     6. Отжиг в атмосфере кислорода.
     Процессы  отжига, в результате которых все  имплантированные ионы занимают электрически активные положения в узлах кристаллической  решетки, обычно приводят к возникновению  микродефектов. Эти дефекты называют вторичными дефектами. Любые внешние  микродефекты развиваются в большие дислокации и дефекты упаковки. Эти дефекты, называемые третичными дефектами, имеют достаточно большие размеры.
     7. Упрочнение деталей.
     Изначально  ионная имплантация применялась  в микроэлектронике для изготовления больших интегральных схем. С развитием  вакуумной техники и появлением сильноточных ионных источников стало  возможным проводить модификацию  поверхности крупногабаритных изделий. В настоящее время разработанные  технологии ионной имплантации позволяют  обрабатывать рабочие лопатки паровых  турбин максимальным габаритом до 1700 мм.
     Достигнуто:
    Увеличение предела усталости на 7-25 %;
    Повышение долговечности более чем в 20 раз;
    Улучшение структуры поверхностного слоя деталей;
    Повышение адгезионной прочности последующих покрытий;
 
       
 
 
 
 
 
 
 
 

Рис. 7.
Потеря  массы образцов из сплава ЦНК7П в  процессе испытания на жаростойкость  после различных видов обработки. Длительная прочность образцов из сплава ЦНК7П (нагрузка 350МПа, температура 850 ОС на воздухе. 

     При нанесении защитных покрытий на турбинные  лопатки из жаропрочных сплавов  тио ЦНК достигнуто повышение:
    жаростойкости в 2,5 раза,
    коррозионной стойкости в 1,9 раза
    длительной прочности в 1,6 раза
    сопротивления усталости в 1,2 раза
 
       
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Рис. 5.
Длительная  прочность образцов из сплава ЦНК7П (нагрузка 350МПа, температура 850 ОС на воздухе). 

 


3. Вывод
     При ионном легировании энергия, необходимая для проникновения вглубь кристаллической решетки сообщается электрическим полем напряжением до нескольких сотен киловольт.
     Легирующие  примеси предварительно ионизируют, а сами пластины могут находиться при комнатной или чуть повышенной температуре, недостаточной для  активации процесса диффузии или  перераспределения примеси.
     Легирование - сканированием остросфокусированного ионного пучка, либо – широким пучком по предварительно маскированной поверхности пластины.
и т.д.................


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть полный текст работы бесплатно


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.