На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


курсовая работа Оперативная память

Информация:

Тип работы: курсовая работа. Добавлен: 03.05.2012. Сдан: 2011. Страниц: 15. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


министерство  образования российской федерации

МОСКОВСКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Курсовая  работа 

  «Оперативка» 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Выполнил:
  M@kros 
 
 
 
 
 
 
 

Москва 2004 
 

Оглавление
 
Введение  ………………………………………………………………………………………………………… 3
Глава 1. Как работает память?  
               1.1 Элементная база логики …………………………………………………..................................... 5
               1.2 Быстродействие и производительность памяти………………………………………………… 5
Глава 2. Чипы памяти  
               2.1 Память типа DRAM…………………………………………………………………………….. 7
               2.2.1 FPM…………………………………………………………………………………………….. 9
                 2.2.2 EDO ………………………………………………….………………………………………… 10
                 2.2.3  BEDO……………………………………………….…………………………………………... 12
                2.2.4  VRAM ………………………………………………………………………………………..... 13
               2.2.5 SDRAM ………………………………………………………………………………………… 13
                 2.2.6  Enhanced SDRAM …………………………………………………………………………… 15
                2.2.7 SGRAM ………………………………………………………………………………………… 15
                 2.2.8 DDR SDRAM …………………………………………………………………………………. 15
                 2.2.9  RDRAM ………………………………………………………………………………………... 17
               2.2 Память типа SRAM ……………………………………………………………………………… 18
Глава 3. Разъёмы:  
               3.1  DIP …………………………………………………………………………………………………. 20
               3.2  SIPP ………………………………………………………………………………………………... 21
               3.3  SIMM, DIMM и RIMM…………………………………………………………………………..... 21
Глава 4. Сравнительная характеристика основных типов памяти 23
Глава 5. Что нас ждёт в будущем?  
               5.1  FeRAM……………………………………………………………………………………………... 25
               5.2  Голографическая память………………………………………………………………………..... 29
               5.3  Молекулярная память…………………………………………………………………………….. 31
               5.4  Наноструктуры……………………………………………………………………………………. 33
Заключение………………………………………………………………………………………………………. 35
Список  литературы………………………………………………………………………………………..…….. 36
 
 
 
 
 
 
 
 
Введение
      Оперативная память является одним из важнейших  элементов компьютера. Именно из нее  процессор берет программы и  исходные данные для обработки, в  нее он записывает полученные результаты. Название  «оперативная» эта память получила потому, что она работает очень быстро, так что процессору практически не приходится ждать при чтении данных из памяти или записи в память.
      Оперативная память  - это энергозависимая  среда, в которую загружаются  и в которой находятся прикладные программы и данные в момент, пока с ними работают. Когда работа закончена, информация удаляется из оперативной памяти. Если необходимо обновление соответствующих дисковых данных, они перезаписываются. Это может происходить автоматически, но часто требует команды от пользователя. При выключении компьютера вся информация из оперативной памяти теряется.
      В связи с этим трудно недооценить  все значение оперативной памяти. Однако до недавнего времени эта  область компьютерной индустрии  практически не развивалась (по сравнению с другими направлениями). Взять хотя бы видео-, аудиоподсистемы, производительность процессоров и. т. д. Усовершенствования были, но они не соответствовали темпам развития других компонентов и касались лишь таких параметров, как время выборки, был добавлен кэш непосредственно на модуль памяти, конвейерное исполнение запроса, изменен управляющий сигнал вывода данных, но технология производства оставалась прежней, исчерпавшей свой ресурс. Память становилась узким местом компьютера, а, как известно, быстродействие всей системы определяется быстродействием самого медленного ее элемента. И вот несколько лет назад волна технологического бума докатилась и до оперативной памяти. Быстрое усовершенствование оперативной памяти позволило кроме ее усовершенствования, значительно снизить цену на нее.
      Хотя  память значительно подешевела, модернизировать  приходится ее намного чаще, чем  несколько лет назад. В настоящее  время новые типы памяти разрабатываются  намного быстрее, и вероятность  того, что в новые компьютеры нельзя будет устанавливать память нового типа, как никогда велика.
     От  количества установленной в компьютере оперативной памяти напрямую зависит  возможность, какими программами вы сможете на нем работать. При недостаточном  количестве оперативной памяти многие программы либо вовсе не будут работать, либо станут работать крайне медленно.
     Часто для оперативной памяти используют обозначение RAM (Random Access Memory), то есть память с произвольным доступом. Это означает, что обращение к данным, хранящимся в оперативной памяти, не зависит от порядка их расположения в памяти. Когда говорят о памяти компьютера, обычно подразумевают оперативную память, прежде всего микросхемы памяти или модули, в которых хранятся активные программы и данные, используемые процессором.
  Полупроводниковая оперативная память в настоящее  время делится на статическое  ОЗУ (SRAM) и динамическое ОЗУ (DRAM).
      

Классификация ОЗУ
 
 
 
 

      Глава 1. Как работает память?
    1.1  Элементная база логики.
   Триггером называют элемент на транзисторах, который может находиться в одном из двух устойчивых состояний (0 и 1), а по внешнему сигналу он способен менять состояние. Таким образом, триггер может служить ячейкой памяти, хранящей один бит информации. Любой триггер можно создать из трех основных логических элементов: И, ИЛИ, НЕ. Поэтому все, что относится к элементной базе логики, относится и к триггерам. Сама же память, основанная на триггерах, называется статической (SRAM).
    РТЛ —резистивно-транзисторна логика. Исторически является первой элементной базой логики, работающей на ЭВМ второго поколения. Обладает большой рассеивающей мощностью (свыше 100 мВт на логический элемент). Не применялась уже в ЭВМ третьего поколения.
    ТТЛ, или Т2Л —транзисторно-транзисторна логика. Реализована на биполярных транзисторах. Использовалась в интегральных схемах малой и средней степени интеграции. Обладает временем задержки сигнала в логическом элементе 10— нс, а потребляемая мощность на элемент —10 мВт.
    ТТЛ-Шотки —это модификация ТТЛ с использованием диода Шотки. Обладает меньшим временем задержки (3 нс) и высокой рассеиваемой мощностью (20 мВт).
    ИИЛ, или И2Л —интегральная инжекторная логика. Это разновидность ТТЛ, базовым элементом которой являются не биполярные транзисторы одного рода (pnp или npn), а горизонтально расположенного pnp транзистора и вертикально расположенного npn транзистора. Это позволяет создать высокую плотность элементов на БИС и СБИС. При этом потребляемая мощность равна 50 мкВт на элемент и время задержки сигнала – 10 нс.
    ЭСЛ —логические элементы с эмитерными связями. Эта логика также построена на биполярных транзисторах. Время задержки в них —0,5 —2 нс, потребляема мощность —25 —50 мВт.
    Элементы на МДП (МОП) —транзисторах. Это схемы, в которых биполярные транзисторы заменены на полевые. Время задержки таких элементов составляет от 1 до 10 нс, потребляемая мощность — от 0,1 до 1,0 мВт
    КМОП —логика (комплементарная логика.) В этой логике используются симметрично включенные n-МОП и p-МОП транзисторы. Потребляема мощность в статическом режиме —50 мкВт, задержка —10 —50 нс.
      Как видно из этого обзора, логика на биполярных транзисторах самая быстрая, но одновременно самая дорогая и  обладает высокой мощностью рассеяния . При прочих равных условиях логика на полевых транзисторах более медленная, но обладает меньшим электропотреблением и меньшей стоимостью.
 
      1.2  Быстродействие и производительность памяти
      Быстродействие  памяти определяется временем выполнения операций записи и считывания данных. Основными параметрами любых элементов памяти является минимальное время доступа и длительность цикла обращения. Время доступа (access time) определяется как задержка появления действительных данных на выходе памяти относительно начала цикла чтения. Длительность цикла определяется как минимальный период следующих друг за другом обращений к памяти, причем циклы чтения и записи могут требовать различных затрат времени. В цикл обращения кроме активной фазы самого доступа входит и фаза восстановления (возврата памяти к исходному состоянию), которая соизмерима по времени с активной фазой. Временные характеристики самих запоминающих элементов определяются их принципом действия и используемой технологией изготовления.
      Производительность  памяти можно характеризовать как скорость потока записываемых или считываемых данных и измерять в мегабайтах в секунду. Производительность подсистемы памяти наравне с производительностью процессора существенным образом определяет производительность компьютера. Выполняя определенный фрагмент программы, процессору придется, во-первых, загрузить из памяти соответствующий программный код, а во-вторых, произвести требуемые обмены данными, и чем меньше времени потребуется подсистеме памяти на обеспечение этих операций, тем лучше.
      Производительность  памяти, как основной, так и кэша второго уровня, обычно характеризуют длительностью пакетных циклов чтения (Memory Burst Read Cycle). Пакетный режим обращения является основным для процессоров, использующих кэш (486 и выше); циклы чтения выполняются гораздо чаще, чем циклы записи (хотя бы потому, что процессору приходится все время считывать инструкции из памяти). Эта длительность выражается в числе тактов системной шины, требуемых для передачи очередной порции данных в пакете. Обозначение вида 5-3-3-3 для диаграммы пакетного цикла чтения соответствует пяти тактам на считывание первого элемента в цикле и трем тактам на считывание каждого из трех последующих элементов. Первое число характеризует латентность (latency) памяти — время ожидания данных, последующие — скорость передачи. При этом, конечно же, оговаривается и частота системной шины. По нынешним меркам хорошим результатом является цикл 5-1-1-1 для частоты шины 100 или 133 МГц. Однако для процессоров Pentium 4, у которых за каждый такт синхронизации системной шины передается по четыре 64-битных слова данных, возможно, будет иной способ выражения производительности памяти.
      Производительность  подсистемы памяти зависит от типа и быстродействия применяемых запоминающих элементов, разрядности шины памяти и некоторых «хитростей» архитектуры.
      Разрядность шины памяти — это количество байт (или бит), с которыми операция чтения или записи может быть выполнена одновременно. Разрядность основной памяти обычно согласуется с разрядностью внешней шины процессора (1 байт - для 8088; 2 байта - для 8086, 80286, 3865Х; 4 байта - для 386DХ, 486; 8 байт — для Pentium и выше). Вполне очевидно, что при одинаковом быстродействии микросхем или модулей памяти производительность блока с большей разрядностью будет выше, чем у малоразрядного. Именно с целью повышения производительности у 32-битных (по внутренним регистрам) процессоров Реntium и выше внешняя шина, связывающая процессор с памятью, имеет разрядность 64 бита. Желание производителей процессоров и системных плат сэкономить на разрядности памяти всегда приводит к снижению производительности: компьютеры на процессорах с полноразрядной шиной (8086, 386DХ) более чем на 50 % обгоняют своих «младших братьев» (8088, 3865Х) при одинаковой тактовой частоте. Одно время выпускались чипсеты, работающие с 32-битной памятью даже для Pentium, но эффективность подобной экономии сомнительна.
      Банком  памяти называют комплект микросхем или модулей (а также их посадочных мест — «кроваток» для микросхем, слотов для SIММ или DIMM), обеспечивающий требуемую для данной системы разрядность хранимых данных. Работоспособным может быть только полностью заполненный банк. Внутри одного банка практически всегда должны применяться одинаковые (по типу и объему) элементы памяти.
      В компьютерах на 486-х процессорах банком является один SIMM-72 или четверка SIMM-30. В компьютерах на процессорах 5-6 (а для АМD и 7-го) поколений банком может быть пара SIMM-72 или один модуль DIMM или RIММ (эти модули могут содержать и несколько банков). На платы с чипсетом i850 для процессора Pentium 4 требуется установка пар RIMM (чтобы обеспечить производительность памяти, достойную новой микроархитектуры).
      Если  устанавливаемый объем памяти набирается несколькими банками, появляется резерв повышения производительности за счет чередования банков (bank interleaving). Идея чередования заключается в том, что смежные блоки данных (разрядность такого блока данных соответствует разрядности банка) располагаются поочередно в разных банках. Тогда при весьма вероятном последовательном обращении к данным банки будут работать поочередно, причем активная фаза обращения к одному банку может выполняться во время фазы восстановления другого банка, то есть применительно к обоим банкам не будет простоя во время фазы восстановления. Частота передачи данных в системе с чередованием двух банков может быть удвоенной по отношению к максимальной частоте paботы отдельного банка. Для реализации чередования чипсет должен обеспечивать возможность перекоммутации адресных линий памяти в зависимости от установленного количества банков и иметь для них (банков) раздельные линии управляющих сигналов. Чем больше банков участвуют в чередовании, тем выше (теоретически) предельная производительность. Чаще всего используется чередование двух или трех банков (two way interleaving, three way interleaving). В чередовании может участвовать и большее число банков. Из разбиения на мелкие банки можно извлечь и другую выгоду. Поскольку современные процессоры; способны параллельно выставлять несколько запросов на транзакции с памятью, скрытые фазы обработки запросов, обусловленные необходимым временем доступа, относящихся к разным банкам, могут выполняться одновременно.     
 
      Глава 2. Чипы памяти.

      2.1  Память типа DRAM

      Динамическая  оперативная память ( Dynamic RAM – DRAM) используется в большинстве систем оперативной памяти персональных компьютеров. Основное преимущество этого типа памяти состоит в том, что ее ячейки упакованы очень плотно, т.е. в небольшую микросхему можно упаковать много битов, а значит, на их основе можно построить память большей емкости.
       Ячейки  памяти в микросхеме DRAM – это крошечные конденсаторы, которые удерживают заряды. Проблемы, связанные с памятью этого типа, вызваны тем, что она динамическая, т.е. должна постоянно регенерироваться, так как в противном случае электрические заряды в конденсаторах памяти будут  “стекать”, и данные будут потеряны. Регенерация в микросхеме происходит одновременно по всей строке матрицы при обращении к любой из ее ячеек. Максимальный период обращения к каждой строке TRF (refresh time) для гарантированного сохранения информации у современной памяти лежит в пределах 8-64 мс. В зависимости от объема и организации матрицы для однократной регенерации всего объема требуется 512, 1024, 2048 или 4096 циклов обращений. При распределенной регенерации (distributed refresh) одиночные циклы регенерации выполняются равномерно с периодом tRF, который для стандартной памяти принимается равным 15,6 мкс. Период этих циклов называют «refresh rate», хотя такое название больше подошло бы к обратной величине — частоте циклов f=l/tRF. Для памяти с расширенной регенерацией (extended refresh) допустим период циклов до 125 мкс. Возможен также и вариант пакетной регенерации (burst refresh), когда все циклы регенерации собираются в пакет, во время которого обращение к памяти по чтению и записи блокируется. При количестве циклов 1024 эти пакеты будут периодически занимать шину памяти примерно на 130 мкс, что далеко не всегда допустимо. По этой причине, как правило, выполняется распределенная регенерация, хотя возможен и промежуточный вариант — пакетами по несколько циклов.
      Некоторые системы позволяют изменить параметры  регенерации с помощью программы  установки параметров CMOS, но увеличение времени между циклами регенерации может привести к тому, что в некоторых ячейках памяти заряд “стечет”, а это вызовет сбой памяти. В большинстве случаев надежнее придерживаться рекомендуемой или заданной по умолчанию частоты регенерации.
      В устройствах DRAM для хранения одного бита используется только транзистор и конденсатор, поэтому они более вместительны, чем микросхемы других типов памяти. Транзистор для каждого однозарядного регистра DRAM использует для чтения состояния смежного конденсатора. Если конденсатор заряжен, в ячейке записана 1; если заряда нет – записан 0. Заряды в крошечных конденсаторах все время стекают, вот почему память должна постоянно регенерироваться. Даже мгновенное прерывание подачи питания или какой-нибудь сбой в циклах регенерации приведет к потере заряда в ячейке DRAM, а следовательно, к потере данных.
      Каждая  ячейка способна хранить только один бит. Если конденсатор ячейки заряжен, то это означает, что бит включен, если разряжен – выключен. Если необходимо запомнить один байт данных, то понадобится 8 ячеек (1 байт = 8 битам). Ячейки расположены в матрицах и каждая из них имеет свой адрес, состоящий из номера строки и номера столбца.
 
      Теперь  рассмотрим, как происходит чтение. Сначала на все входы подается сигнал RAS (Row Address Strobe) – это адрес  строки. После этого, все данные из этой строки записываются в буфер. Затем на регистр подается сигнал CAS (Column Address Strobe) – это сигнал столбца и происходит выбор бита с соответствующим адресом. Этот бит и подается на выход. Но во время считывания данные в ячейках считанной строки разрушаются и их необходимо перезаписать, взяв из буфера.
      Теперь  запись. Подается сигнал WR (Write) и информация поступает на шину столбца не из регистра, а с информационного  входа памяти через коммутатор, определенный адресом столбца. Таким образом, прохождение данных при записи определяется комбинацией сигналов адреса столбца и строки и разрешения записи данных в память. При записи данные из регистра строки на выход не поступают.
      Следует учесть то, что матрицы с ячейками расположены вот таким вот  образом:
      
      Это означает, что за один раз будет считан не один бит, а несколько. Если параллельно расположено 8 матриц, то сразу считан будет один байт. Это называется разрядностью. Количество линий, по которым будут передаваться данные от (или на) параллельных матриц, определяется разрядностью шины ввода/вывода микросхемы.
      Важнейшей характеристикой DRAM является быстродействие, а проще говоря, продолжительность цикла + время задержки + время доступа, где продолжительность цикла – время, затраченное на передачу данных, время задержки – начальная установка адреса строки и столбца, а время доступа – время поиска самой ячейки. Измеряется в наносекундах.
      Сейчас  уже не актуально использовать 66-МГц шины памяти. Разработчики DRAM нашли возможность преодолеть этот рубеж и извлекли некоторые дополнительные преимущества путем осуществления синхронного интерфейса.
      С асинхронным интерфейсом процессор  должен ожидать, пока DRAM закончит выполнение своих внутренних операций, которые  обычно занимают около 60 нс. С синхронным управлением DRAM происходит защелкивание информации от процессора под управлением системных часов. Триггеры запоминают адреса, сигналы управления и данных, что позволяет процессору выполнять другие задачи. После определенного количества циклов данные становятся доступны, и процессор может считывать их с выходных линий.
      Другое  преимущество синхронного интерфейса заключается в том, что системные  часы задают только временные границы, необходимые DRAM. Это исключает необходимость  наличия множества стробирующих импульсов. В результате упрощается ввод, т. к. контрольные сигналы адреса данных могут быть сохранены без участия процессора и временных задержек. Подобные преимущества также реализованы и в операциях вывода.

      2.1.1  FPM

     FPM (Fast Page Mode) DRAM — Динамическое ОЗУ, работающее в режиме ускоренного страничного обмена
     Тип динамической памяти с произвольным доступом, которая обеспечивает более  высокую производительность, чем  обычное динамическое ОЗУ.
     Двоичные  разряды хранятся в ячейках памяти, организованных в виде матрицы, состоящей из строк и столбцов. Подобно всем остальным видам динамического ОЗУ, у ИС памяти данного типа имеется лишь половина всех выводов, необходимых для указания адреса чтения или записи данных. При этом цикл памяти начинается с указания в первую очередь адреса строки, для чего требуется половина разрядов адреса, а затем и адреса столбца данных, который составляет другую половину адреса. Затем выполняется чтение или запись данных.
     Режим ускоренного страничного обмена позволяет адресовать следующий  столбец, который соответствует следующему по порядку адресу памяти, без повторного указания строки. Это дает возможность сократить время доступа к нескольким следующим по порядку ячейкам памяти при условии, что при этом еще не достигнут конец строки, увеличивая тем самым производительность.
     Время цикла памяти FPM DRAM составляет 50нс, что позволяет поддерживать доступ к памяти с частотой 30 миллионов раз в секунду или 30 МГц. Этого вполне достаточно для шины памяти с тактовой частотой 60 или 66 МГц, типичной для процессора Pentium. Следовательно, для доступа к памяти требуется не один цикл памяти, причем это делается в пакетном режиме, поэтому адреса памяти отнюдь не обязательно указывать при каждом доступе. Это возможно потому, что доступ к памяти обычно осуществляется в виде обращения к расположенным по порядку ячейкам памяти, а если это не так, то дополнительный доступ к памяти не используется либо данные игнорируются. Доступ к памяти в пакетном режиме обычно обозначается формулой 6-3-3-3, которая означает, что для первого обращения к памяти требуется 6 тактовых циклов, поскольку при этом необходимо полностью указать адрес, а для каждого из трех последующих обращений требуется лишь 3 тактовых цикла. Как правило, тактовые циклы выполняются с быстродействием шины памяти процессора. Зачастую это соответствует тактовой частоте 60 или 66 МГц при внутренней тактовой частоте процессора соответственно 120 или 133 МГц.
    

    Рис. 2.1.1.1 Временная диаграмма  FPM режима
 
    В этом способе при считывании данных со строки памяти сигнал RAS удерживается, пока все столбцы не считаются.
    Сигнал  CAS снимается и выставляется каждый раз после установки очередного адреса столбца С2, С3, С4, при этом после очередной установки сигнала CAS данные появляются на выходе, в этом сокращение времени достигается за счёт того, что сигнал RAS выставляется один раз в начале страницы, а столбцы выбираются сигналом RAS. Этот режим даёт выигрыш лишь при страничной организации.
     Память  FPM была распространена в ПК в 1995 году. Более быстродействующим типом памяти является динамическое ОЗУ EDO DRAM.

      2.1.2  EDO

      Начиная с 1995 года, в компьютерах на основе Pentium используется новый тип оперативной памяти – EDO ( Extended Data Out). Это усовершенствованный тип памяти FPM; его иногда называют Hyper Page Mode. Память типа EDO была разработана и запатентована фирмой  Micron Tehnology. Память EDO собирается из специально изготовленных микросхем, которые учитывают перекрытие синхронизации между очередными операциями доступа. 
      Не  смотря на небольшие конструктивные различия, и FPM, и EDO RAM делаются по одной и той же технологии, поэтому скорость работы должна быть одна и та же. Действительно, и FPM, и EDO RAM имеют одинаковое время считывания первой ячейки — 60 —70 нс. Однако в EDO RAM применен метод считывания последовательных ячеек. При обращении к EDO RAM активизируется не только первая, но и последующие ячейки в цепочке. Поэтому, имея то же время при обращении к одной ячейке, EDO RAM обращается к следующим ячейкам в цепочке значительно быстрее. Поскольку обращение к последовательно следующим друг за другом областям памяти происходит чаще, чем к ее различным участкам (если отсутствует фрагментация памяти), то выигрыш в суммарной скорости обращения к памяти значителен.
    Регистр прозрачен для данных, когда сигнал CAS находится в рабочем состоянии (низком уровне).
    Выходные  данные защёлкиваются подъёмом сигнала  CAS и удерживаются.
    Стандартное Z-состояние обеспечивается либо снятием сигнала OE (CS), либо одновременным снятием сигналов RAS и CAS, либо сигналом WE, при наличии RAS и CAS.
    Наличие выходного буфера позволяет укорачивать  цикл CAS и уменьшать время доступа в пределах страницы.
 
    
    Рис 2.1.2.2 2  Диаграмма работы памяти EDO
 
    В отличие от стандартного режима снятие сигнала CAS может осуществляться даже раньше, чем появляются действительные данные на выходе, это соответствует:  Т1 0.
    За  счёт защёлкивания данных в выходном регистре и удерживаются до очередного установления сигнала CAS и удерживаются до очередного Т2. Это позволяет сократить цикл CAS и, соответственно, уменьшить время доступа.
    В EDO в страничном режиме быстродействие увеличивается на 40%. В межстраничном режиме время доступа обычное.
    Использование памяти EDO, вместо стандартной, может вызывать конфликт, обусловленный тем, что выход в пределах страничного режима не удерживается в Z-состоянии.
    Для согласования со стандартным режимом  может использоваться сигнал WE.
    В режиме считывания сигнал WE переводит буфер в Z-состояние так же, как сигналы RAS и CAS.
    Режим использования сигнала OE практически не используется.
    
    Рис 2.1.2.2  Диаграмма работы памяти EDO с использованием режима WE
 
    Для обеспечения стандартного режима, при  смене адреса столбцов временно устанавливается  сигнал WE, который переводит выход Data в Z-состояние (стрелка-1).
    После снятия сигнала WE выход переходит опять в нормальное состояние, после считывания всей страницы сигналы CAS и RAS снимаются и выходы переходят в Z-состояние (стрелки 2 и 3).
    Однако  даже для EDO RAM существует предел частоты, на которой она может работать. Несмотря ни на какие ухищрения, модули SIMM не могут работать на частоте локальной шины PCI, превышающей 66 МГц.

     2.1.3  BEDO

     Двукратное  увеличение производительности было достигнуто в BEDO DRAM (Burst EDO). Добавив в микросхему генератор номера столбца, конструкторы ликвидировали задержку CAS Delay, сократив время цикла до 15 нс. После обращения к произвольной ячейке микросхема BEDO автоматически, без указаний со стороны контроллера, увеличивает номер столбца на единицу, не требуя его явной передачи. По причине ограниченной разрядности адресного счетчика (конструкторы отвели под него всего лишь два бита) максимальная длина пакета не могла превышать четырех ячеек (22=4).
     
    Рис.  2.1.3.1 Диаграмма работы памяти BEDO
 
     Независимо  от порядка обращения к данным, BEDO всегда работает на максимально возможной скорости и для частоты 66 Мгц ее формула выглядит так: 5-1-1-1, что на ~40% быстрее EDO-DRAM!
     Все же, несмотря на свои скоростные показатели, BEDO оказалась не конкурентоспособной  и не получила практически никакого распространения. Просчет состоял в том, что BEDO, как и все ее предшественники, оставалась асинхронной памятью. Это накладывало жесткие ограничения на максимально достижимую тактовую частоту, ограниченную 60 - 66 (75) мегагерцами. Действительно, пусть время рабочего цикла составляет 15 нс. (1 такт в 66 MHz системе). Однако, поскольку "часы" контроллера памяти и самой микросхемы памяти не синхронизованы, нет никаких гарантий, что начало рабочего цикла микросхемы памяти совпадет с началом такового импульса контроллера, вследствие чего минимальное время ожидания составляет два такта. Вернее, если быть совсем точным, рабочий цикл микросхемы памяти никогда не совпадает с началом тактового импульса. Несколько наносекунд уходит на формирование контроллером управляющего сигнала RAS или CAS, за счет чего он уже не совпадет с началом тактирующего импульса. Еще несколько наносекунд требуется для стабилизации сигнала и "осмысления" его микросхемой, причем, сколько именно времени потребуется заранее определить невозможно, т.к. на результат влияет и температура, и длина проводников, и помехи на линии, и т.д.
 
 
      2.1.4  VRAM
VRAM (Video Random Access Memory) — ВидеоОЗУ. Память, специально адаптированная для использования в видеоадаптерах. Двухпортовая память — ПК может записывать данные (для изменения изображения) в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое VRAM для прорисовки его на экране. Обычно необходимость в памяти такого типа возникает при работе с высокими разрешениями (более 1024 х 768 пикселов) в "глубоком" цвете (более 65536 цветов) и высокой частотой кадровой развертки (более 85 Гц). "Оконное" ОЗУ (WRAM - Window RAM) также является двухпортовой, однако поддерживает более эффективную схему буферизации и другие усовершенствования, позволяющие повысить производительность на
25% по  сравнению с VRAM. Оба описанных типа ОЗУ производительнее и дороже EDO.

      2.1.5  SDRAM

       SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – это  синхронизированная динамическая  память с произвольным порядком  выборки. Одним словом, синхронная динамическая оперативная память. SDRAM состоит из физических ячеек, которые собраны в страницы. Размер страницы может быть от 512 байт до нескольких килобайт. Каждая страница разбита на два банка: в одном банке ячейки с нечетными адресами строк, а в другом – с четными. Каждая ячейка имеет свой адрес, состоящий из номера (адреса) строки и номера (адреса) столбца. Сначала передается номер строки, затем номер столбца. По сути дела, номер – это набор электрических сигналов, которые надо сгенерировать, передать и обработать. На все это необходимо затратить время. В страничном режиме, передав номер строки можно получить доступ к нескольким ячейкам с разными номерами столбцов, то есть, не надо для каждой из них передавать номер строки, достаточно только номера столбца. Экономия времени налицо. Двигаемся дальше, строки можно разделить на четные и нечетные. Получается два банка: один – с четными строками, а другой – с нечетными. В то время, когда происходит обращение к одному банку, в другом происходит выборка адреса или еще что. Опять же экономия времени. Такой режим иногда называют расслоением.
        Для того чтобы увеличить скорость доступа к памяти, разработали пакетный режим (burst) доступа. Принцип состоит  в том, что после установки строки и столбца ячейки, происходит обращение к следующим трем смежным адресам без дополнительных состояний ожидания. Схема пакетного режима будет выглядеть так: x-y-y-y, где х – время выполнения первой операции доступа состоящей из продолжительности цикла и времени ожидания, а y – это число циклов, необходимое для выполнения каждой последующей операции. Например, для SDRAM схема будет выглядеть так: 5-1-1-1.
      

      Рис.2.1.5.1 Временная диаграмма  SDRAM
      По  отдельной линии передается синхронизирующий сигнал, по шине управления передается команда, скажем на считывание. После  этого формируется адрес и  по шине адреса передается в память. Затем начинается передача информации по шине данных. В этот момент может быть сформирован и передан новый адрес. И так постоянно.
 
      

      Рис.2.1.5.2. Модуль SDRAM на 256Мбайт
      

      Рис.2.1.5.3  Стандартный модуль памяти SDRAM PC100
      Выпустив  чипсет 440BX с официальной поддержкой тактовой частоты системной шины до 100 МГц, Intel сделала оговорку, что модули памяти SDRAM неустойчиво работают на такой скорости. После заявления Intel представила новую спецификацию, описывающую все тонкости, SDRAM PC100.
      Данной  спецификации отвечают только 8-нс чипы, а 10-нс чипы, по мнению Intel, неспособны устойчиво работать на частоте 100 МГц.
      Введение  стандарта PC100 в некоторой степени  можно считать рекламной уловкой, но все известные производители  памяти и системных плат поддержали эту спецификацию, а с появлением следующего поколения памяти переходят на его производство.
      Спецификация PC100 является очень критичной, одно описание с дополнениями занимает больше 70 страниц.
      Для комфортной работы с приложениями, требующими высокого быстродействия, разработано следующее поколение синхронной динамической памяти - SDRAM PC133. Продвижением данного стандарта на рынок занимается уже не Intel, а их главный конкурент на рынке процессоров AMD. Intel же решила поддерживать память от Rambus, мотивируя это тем, что она лучше сочетается с шиной AGP 4x.
      133-МГц  чипы направлены на использование  с новым семейством микропроцессоров, работающих на частоте системной  шины 133 МГц, и полностью совместимы  со всеми PC100 продуктами. Такими производителями, как VIA Technologies, Inc., Acer Laboratories Inc. (ALi), OPTi Inc., Silicon Integrated Systems (SiS) и Standard Microsystems Corporation (SMC), разработаны чипсеты, поддерживающие спецификацию PC133.

      2.1.6  Enhanced SDRAM (ESDRAM)

     Enhanced SDRAM (ESDRAM - улучшенная SDRAM) - более быстрая версия SDRAM, сделанная в соответствии со стандартом JEDEC компанией Enhanced Memory Systems. С точки зрения времени доступа производительность ESDRAM в два раза выше по сравнению со стандартной SDRAM. В большинстве приложений ESDRAM, благодаря более быстрому времени доступа к массиву SDRAM и наличию кэша, обеспечивает даже большую производительность, чем DDR SDRAM.
     Более высокая скорость работы ESDRAM достигается  за счет дополнительных функций, которые  используются в архитектуре этой памяти. ESDRAM имеет строку кэш-регистров (SRAM), в которых хранятся данные, к которым уже было обращение. Доступ к данным в строке кэша осуществляется быстрее, чем к ячейкам SDRAM, со скоростью 12 ns, т.к. не требуется обращаться к данным в строке через адрес в колонке. При этом скорость работы ячеек ESDRAM составляет 22 ns в отличие от стандартной скорости работы ячеек SDRAM, имеющей значения 50 - 60 ns.
     При этом стоит заметить, что память ESDRAM полностью совместима со стандартной  памятью JEDEC SDRAM на уровне компонентов и модулей, по количеству контактов и функциональности. Однако чтобы использовать все преимущества этого типа памяти, необходимо использовать специальный контроллер (чипсет).
     Увеличение  производительности при использовании ESDRAM достигается за счет применения двухбанковой архитектуры, которая состоит из массива SDRAM и SRAM строчных регистров (кэш). Строчные регистры вместе с быстрым массивом SDRAM обеспечивают более быстрый доступ для чтения и записи данных по сравнению со стандартной SDRAM. ESDRAM может работать в режиме "упреждающего обращения" к массиву SDRAM, в результате следующий цикл записи или чтения может начаться в момент, когда выполнение текущего цикла не завершено. Возможность использовать такой режим напрямую зависит от центрального процессора, управляющего работой конвейера адресации.
 
     2.1.7  SGRAM
     Это аббревиатура для Синхронной графической  памяти со случайным доступом (Synchronous Graphic Random Access Memory), типа DRAM, всё в большей  степени используемом в видеоадаптерах и графических акселераторах. Как и SDRAM, SGRAM способна самосинхронизироваться с частотой шины процессора вплоть до частот около 100 МГц. Вдобавок к этому, SGRAM использует некоторые другие технологии, такие как шаблонная и блочная запись, для увеличения пропускной способности для интенсивно работающих с графикой приложений

      2.1.8  DDR SDRAM (SDRAM II)

      DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) –  динамическая синхронизированная  память с произвольным порядком выборки и удвоенной передачей данных. Появился этот тип памяти где-то в 1998 году и был сразу взят на вооружение производителями видеокарт. Затем DDR широко распространилась и на материнские платы. На сегодняшний день, этот тип памяти, пожалуй, наиболее применяемый в персональных компьютерах. Ведь DDR сочетает в себе приемлемую скорость и при этом относительную дешевизну.
      

      Рис.2.1.8.1 Стандартный модуль DDR SDRAM
      Принцип работы DDR SDRAM очень схож с обычной SDRAM (отсюда и второе название DDR SDRAM – SDRAM 2). Память разбита на страницы, каждая страница разбита на банки. Работа памяти синхронизирована с тактовым генератором системной платы. Основное отличие заключается в том, что за один цикл происходит два обращения к данным: по фронту и срезу импульса тактового сигнала системной шины. Говоря простым языком, чтение/запись происходит два раза за один такт. Кроме того, частота работы повышается за счет применения интерфейсных логических схем с еще более пониженным уровнем питания. Если для SDRAM обычно используются схемотехнические решения на базе LVTTL (Low Volt Transistor-to-Transistor Logic) с напряжением питания 3,3 В, то в DDR SDRAM - на базе SSTL (Stub Series Terminated Logic) с напряжением 2,5 В (а в перспективе и SSTL-2 с напряжением 1,25 В).
      DDR SDRAM управляется инверсными тактовыми  сигналами. Управляющие и адресные  сигналы регистрируются по положительному  фронту тактового сигнала, точнее при переходе сигнала с низкого уровня напряжения на более высокий, а вот данные передаются по обоим фронтам сигнала. Такая схема работы требует более четкой синхронизации. Для этого введен дополнительный стробовый сигнал DQS. Говоря просто, этот сигнал необходим для согласования передачи данных при чтении из памяти и контроллером при записи в память. До кучи, следует отметить, что при передаче данных по фронту и срезу сигнала синхронизации критичным будет лишь время задержки распространения сигнала. Вот и пришлось использовать этот строб-сигнал.
      

      Рис.2.1.5.2 Временная диаграмма  DDR SDRAM
      При тактовой частоте системной шины 100 МГц скорость передачи данных будет равна 1600 Мбайт/сек, а при 133 МГц – 2100 Мбайт/сек. Отсюда следуют названия памяти DDR – РС1600 и РС2100. Максимальная же пропускная способность при результирующей частоте в 400 Мгц может достигать 3,2 Гбайт/сек.
      Следует упомянуть тот факт, что микросхемы SDRAM и DDR физически не совместимы: в первом случае микросхемы имеют 168 контактов, во втором – 184. Отсюда несколько разное расположение ключа. Кроме этого, не все чипсеты поддерживают тот или иной тип памяти.
      В ближайшее время на рынке должна появится DDR 2. В этом типе памяти данные будут передаваться не 2 раза, а 4, что позволит повысить максимальную пропускную способность до 6,4 Гбайт/сек, и это позволит продлить жизнь DDR в мире инфотехнологий.

      2.1.9  RDRAM (Rambus DRAM)

      Direct Rambus DRAM - это высокоскоростная динамическая память с произвольным доступом, разработанная Rambus, Inc. Она обеспечивает высокую пропускную способность по сравнению с большинством других DRAM. Direct Rambus DRAMs представляет интегрированную на системном уровне технологию.
      Технология Direct Rambus представляет собой третий этап развития памяти RDRAM. Впервые память RDRAM появилась в 1995 г., работала на частоте 150 МГц и обеспечивала пропускную способность 600 Мбайт/с. Она использовалась в станциях SGI Indigo2 IMPACTtm, в приставках Nintendo64, а также в качестве видеопамяти. Следующее поколение RDRAM появилось в 1997 г. под названием Concurrent RDRAM. Новые модули были полностью совместимы с первыми. Но за год до этого события в жизни компании произошло не менее значимое событие. В декабре 1996 г. Rambus, Inc. и Intel Corporation объявили о совместном развитии памяти RDRAM и продвижении ее на рынок персональных компьютеров. Вопреки распространенному мнению, ее архитектура довольно прозаична и не блещет новизной. Основных отличий от памяти предыдущих поколений всего три:
    а) увеличение тактовой частоты за счет сокращения разрядности шины, 
    б) одновременная передача номеров строки и столба ячейки, 
    в) увеличение количества банков для усиления параллелизма.

        Повышение тактовой частоты вызывает резкое усиление всевозможных помех и в первую очередь электромагнитной интерференции, интенсивность которой в общем случае пропорциональна квадрату частоты, а на частотах свыше 350 мегагерц вообще приближается к кубической. Это обстоятельство налагает чрезвычайно жесткие ограничения на топологию и качество изготовления печатных плат модулей микросхемы, что значительно усложняет технологию производства и себестоимость памяти. С другой стороны, уровень помех можно значительно понизить, если сократить количество проводников, т.е. уменьшить разрядность микросхемы. Именно по такому пути компания Rambus и пошла, компенсировав увеличение частоты до 400 MHz (с учетом технологии DDR эффективная частота составляет 800 MHz) уменьшением разрядности шины данных до 16 бит (плюс два бита на ECC).
 
      
      Рис.2.1.9.1 Модули памяти RDRAM
      Второе (по списку) преимущество RDRAM - одновременная  передача номеров строки и столбца ячейки при ближайшем рассмотрении оказывается вовсе не преимуществом, конструктивной особенностью. Это не уменьшает латентности доступа к произвольной ячейке (т.е. интервалом времени между подачей адреса и получения данных), т.к. она, латентность, в большей степени определяется скоростью ядра, а RDRAM функционирует на старом ядре.
        Большое количество банков позволяет  (теоретически) достичь идеальной  конвейеризации запросов к памяти, несмотря на то, что данные  поступают на шину лишь спустя 40 нс. после подачи запроса (что  соответствует 320 тактам в 800 MHz системе), сам поток данных непрерывен.
       Емкость серийно выпускаемых модулей Rambus DRAM составляет 64, 128 и 256 Мб, в дальнейшем ожидаются изделия по 1 Гб. Так  как использование 9-го бита на каждый байт данных оставлено на усмотрение производителя, одни фирмы вводят функцию ЕСС, другие увеличивают емкость чипов. В последнем случае получаются модули емкостью 72, 144 или 288 Мб.
       Недостатком можно посчитать придуманные производителем режимы управления питанием модулей. Если напряжение питания 2,5 В стало практически стандартом для всех новых технологий памяти DRAM, то режимы работы Асtive (активный), Standby (ожидания), NAP ("спящий") и PowerDown (отключение питания) - собственное изобретение Rambus. Самое интересное, что микросхема, не обменивающаяся в текущий момент данными с контроллером, автоматически переводится в режим ожидания, иначе возможен перегрев системы, так как тактовые частоты весьма высоки. На переключение же из режима Standby в активное состояние требуется 100 нс.
      Хочется отметить, что реальная пропускная способность RDRAM существенно ниже заявленных Rambus значений. После появления системного набора Intel 820 с поддержкой DR DRAM были проведены сравнительные тесты с другими типами памяти. Оказалось, что на большинстве реальных задач RDRAM уступает даже SDRАМ, работающим на частоте 133 МГц. В значительной мере это объясняют более узкой шиной данных канала Rambus (16 бит) по сравнению с 64-битной шиной SDРАМ. С появлением чипсета VIА Ароllo Рго2бб, поддерживающего DDR DRАМ, картина для Rambus и Intel становится вовсе безрадостной.
        

      2.2  Память типа SRAM

      Существует  тип памяти, совершенно отличный от других - статическая оперативная память (Static RAM – SRAM). Она названа так потому, что, в отличии от динамической оперативной памяти, для сохранения ее содержимого не требуется периодической регенерации. Но это не единственное ее преимущество. SRAM имеет более высокое быстродействие, чем динамическая оперативная память, и может работать на той же частоте, что и современные процессоры.
      Время доступа SRAM не более 2 нс, это означает, что такая память может работать синхронно с процессорами на частоте 500 МГц или выше. Однако для хранения каждого бита в конструкции SRAM используется кластер из 6 транзисторов. Использование транзисторов, без каких либо конденсаторов означает, что нет необходимости в регенерации. Пока подается питание, SRAM будет помнить то, что сохранено.
      

      Рис.2.2.1 Ячейка SRAM
      Микросхемы  SRAM не используются для всей системной памяти потому, что по сравнению с динамической оперативной памятью быстродействие SRAM намного выше, но плотность ее намного ниже, а цена довольно высокая. Более низкая плотность означает, что микросхемы SRAM имеют большие габариты, хотя их информационная емкость намного меньше. Большое число транзисторов и кластиризованное их размещение не только увеличивает габариты SRAM, но и значительно повышает стоимость технологического процесса по сравнению с аналогичными параметрами для микросхем DRAM.
      Несмотря  на это, разработчики все-таки применяют  память типа SRAM для повышения эффективности РС. Но во избежание значительного увеличения стоимости устанавливается только небольшой объем высокоскоростной памяти SRAM, которая используется в качестве кэш-памяти. Кэш-память работает на тактовых частотах, близких или даже равных тактовым частотам процессора, причем обычно именно эта память используется процессором при чтении и записи.
     В переводе слово «cache» (кэш) означает «тайный склад», «тайник» («заначка»). Тайна этого склада заключается в его «прозрачности» — адресуемой области памяти для программы он не добавляет. Кэш является дополнительным быстродействующим хранилищем копий блоков информации из основной памяти, вероятность обращения к которым в ближайшее время велика. Кэш не может хранить копию всей основной памяти, поскольку его объем во много раз меньше объема основной памяти. Он хранит лишь ограниченное количество блоков данных и каталог (cache directory) — список их текущего соответствия областям основной памяти. Кроме того, кэшироваться может и не вся оперативная память, доступная процессору: во-первых, из-за технических ограничений может быть ограничен максимальный объем кэшируемой памяти; во-вторых, некоторые области памяти могут быть объявлены некэшируемыми (настройкой регистров чипсета или процессора). Если установлено оперативной памяти больше, чем возможно кэшировать, обращение к некэшируемой области ОЗУ будет медленным. Таким образом, увеличение объема ОЗУ, теоретически всегда благотворно влияющее на производительность, может снизить скорость работы определенных компонентов, попавших в некэшируемую память. В ОС Windows память распределяется, начиная с верхних адресов физической памяти, в результате чего в некэшируемую область может попасть ядро ОС.
     При каждом обращении к памяти контроллер кэш-памяти по каталогу проверяет, есть ли действительная копия затребованных данных в кэше. Если она там есть, то это случай кэш-попадания (cache hit) и данные берутся из кэшпамяти. Если действительной копии там нет, это случай кэш-промаха (cache miss), и данные берутся из основной памяти. В соответствии с алгоритмом кэширования блок данных, считанный из основной памяти, при определенных условиях заместит один из блоков кэша. От интеллектуальности алгоритма замещения зависит процент попаданий и, следовательно, эффективность кэширования. Поиск блока в списке должен производиться достаточно быстро, чтобы «задумчивостью» в принятии решения не свести на нет выигрыш от применения быстродействующей памяти. Обращение к основной памяти может начинаться одновременно с поиском в каталоге, а в случае попадания — прерываться (архитектура Look aside). Это экономит время, но лишние обращения к основной памяти ведут к увеличению энергопотребления. Другой вариант: обращение к основной памяти начинается только после фиксации промаха (архитектура Look Through), при этом теряется, по крайней мере, один такт процессора, зато экономится энергия.
     Кэш в современных компьютерах строится по двухуровневой, а иногда и трехуровневой схеме.
       Первичный кэш, или L1 Cache (Level 1 Cache), — кэш 1 уровня, внутренний (Internal, Integrated) кэш процессоров класса 486 и выше, а также некоторых моделей 386.
       Вторичный кэш, или L2 Cache (Level 2 Cache), — кэш 2 уровня. Для процессоров вплоть до Pentium (и аналогичных) это внешний (External) кэш, установленный на системной плате. В Р6 и более мощных процессорах вторичный кэш расположен в одном корпусе с процессором, и для таких процессоров дополнительный кэш на системную плату уже не устанавливается.
       Кэшем третьего уровня оказывается кэш, установленный на системной плате с сокетом 7, когда в него устанавливают процессор AMD K6-3, обладающий встроенным двухуровневым кэшем.
     Объем первичного кэша невелик (8-128 Кбайт); чтобы  повысить его эффективность, для данных и команд часто используется раздельный кэш (так называемая Гарвардская архитектура — противоположность Принстонской с общей памятью для команд и данных). В процессорах Pentium 4 первичный кэш устроен уже иначе.
     Кэш-контроллер должен обеспечивать когерентность (coherency) — согласованность данных кэш-памяти обоих уровней с данными в основной памяти при том условии, что обращение к этим данным может производиться не только процессором, но и другими активными (bus-master) адаптерами, подключенными к шинам (PCI, VLB, ISA и т. д.). Следует также учесть, что процессоров может быть несколько, и у каждого может быть свой внутренний кэш.
     Контроллер  кэша оперирует строками (cache line) фиксированной длины. Строка может хранить копию блока основной памяти, размер которого, естественно, совпадает с длиной строки. С каждой строкой кэша связана информация об адресе скопированного в нее блока основной памяти и ее состоянии. Строка может быть действительной (valid) — это означает, что в текущий момент времени она достоверно отражает соответствующий блок основной памяти, или недействительной. Информация о том, какой именно блок занимает данную строку (то есть старшая часть адреса или номер страницы) и о ее состоянии, называется тегом (tag) и хранится в связанной с данной строкой ячейке специальной памяти тегов (tag RAM). В операциях обмена с основной памятью обычно строка участвует целиком (несекторированный кэш), для процессоров 486 и выше длина строки совпадает с объемом данных, передаваемых за один пакетный цикл (для 486 — это 4x4 = 16 байт, для Pentium — 4 х 8 = 32 байт). Возможен и вариант секторированного (sectored) кэша, при котором одна строка содержит несколько смежных ячеек — секторов, размер которых соответствует минимальной порции обмена данных кэша с основной памятью. При этом в записи каталога, соответствующей каждой строке, должны храниться биты действительности для каждого сектора данной строки. Секторирование позволяет экономить память, необходимую для хранения каталога при увеличении объема кэша, поскольку большее количество бит каталога отводится под тег и выгоднее использовать дополнительные биты действительности, чем увеличивать глубину индекса (количество элементов) каталога.
SRAM различается  по принципу работы. Существует три типа:
      Async SRAM (Asynchronous Static Random Access Memory) - асинхронная статическая память с произвольным порядком выборки;
      SyncBurst SRAM (Synchronous Burst Random Access Memory) – синхронная пакетная статическая память с произвольным порядком выборки;
      PipBurst SRAM (Pipelined Burst Random Access Memory) – конвейерная пакетная статическая память с произвольным порядком выборки;
Async SRAM – это устаревший тип памяти, асинхронный интерфейс которой  схож с интерфейсом DRAM и включает в себя шины адреса, данных и управления. SyncBurst SRAM – этот тип памяти синхронизирован с системной шиной и лучше всего подходит для выполнения пакетных операций. Ну а интерфейс PipBurst SRAM схож с интерфейсом SyncBurst SRAM, но позволяет получать данные без тактов ожидания.
 
      Глава 3.  Разъёмы
  3.1 DIP.
  DIP-корпус  —это исторически сама древняя  реализация DRAM. DIP-корпус соответствует  стандарту IC. Обычно это маленький  черный корпус из пластмассы, по обеим сторонам которого  располагаются металлические контакты (см. рисунок B.3.1.).
  

  Рис.3.1.1  Стандартный DIP-корпус
  Микросхемы  динамического ОЗУ устанавливаются  так называемыми банками. Банки бывают на 64, 256 Кбайт, 1 и 4 Мбайт. Каждый банк состоит из девяти отдельных одинаковых чипов. Из них восемь чипов предназначены для хранени информации, а девятый чип служит для проверки четности остальных восьми микросхем этого банка.
  Чипы  памяти бывают одно и четырехразрядными, и иметь емкость 64 Кбит, 256 Кбит, 1 и 4 Мбит. Обозначение разновидностей микросхем памяти в DIP-корпусах показано в таблице.
  Следует отметить, что памятью с DIP-корпусами  комплектовались персональные компьютеры с микропроцессорами i8086/88, i80286 и, частично, i80386SX/DX. Установка и замена этого  вида памяти была нетривиальной задачей. Мало того, что приходилось подбирать чипы для банков памяти одинаковой разрядности и емкости. Приходилось прилагать усилия и смекалку, чтобы чипы правильно устанавливались в разъемы. К тому же необходимо было не разрушить контакты механически, не повредить их инструментом, статическим электричеством, грязью и т.п. Поэтому уже в компьютерах с процессором i80386DX эти микросхемы стали заменять памяти SIPP и SIMM.
  3.2 SIPP
  Одной из незаслуженно забытых конструкций  модулей памяти являются SIPP-модули. Эти модули представляют собой маленькие платы с несколькими напаянными микросхемами DRAM.
  

  Рис.3.2.1  Стандартный SIPP-корпус
  SIPP является сокращением слов Single Inline Package. SIPP-модули соединяются с  системной платой с помощью  контактных штырьков. Под контактной колодкой находятся 30 маленьких штырьков (смотри рисунок B.3.3.), которые вставляются в соответствующую панель системной платы.
  Модули SIPP имели определенные вырезы, которые  не позволяли вставить их в разъемы  неправильным образом. По мнению автора, этот вид модулей лидировал по простоте их установки на системную плату.

      3.3 SIMM, DIMM и RIMM

      В большинстве современных компьютеров  вместо отдельных микросхем памяти используются модули SIMM или DIMM, представляющие собой небольшие платы, которые устанавливаются в специальные разъемы на системной плате или плате памяти. Отдельные микросхемы так припаены к плате модуля SIMM или DIMM, что выпаить и заменить их практически невозможно. При появлении неисправности приходится заменять весь модуль. По существу, модуль SIMM или DIMM можно считать одной большой микросхемой.
      В РС совместимых компьютерах применяются в основном два типа модулей SIMM: 30-контактные (9разрядов) и 72-контактные (36 разрядов). Первые из них меньше по размерам. Микросхемы в модулях SIMM могут устанавливаться как на одной, так и на обеих сторонах платы. Использование 30-контактных модулей неэффективно, поскольку для заполнения одного банка памяти новых 64-разрядных систем требуется восемь таких модулей.
      72-пиновые  разъемы SIMM ожидает та же участь, которая несколькими годами раньше постигла их 30-пиновых предшественников: те уже давно не производятся. Им на смену в 1996 г. пришел новый разъем DIMM со 168 контактами, а после и разъем RIMM. Если на SIMM реализовывались FPM и EDO RAM, то на DIMM более современная технология SDRAM. В системную плату модули SIMM необходимо было вставлять только попарно, а DIMM можно выбрать по одному, что связано с разрядностью внешней шины данных процессоров Pentium. Такой способ установки предоставляет больше возможностей для варьирования объема оперативной памяти.
      Первоначально материнские платы поддерживали оба разъема, но уже довольно продолжительное  время они комплектуются исключительно  разъемами DIMM. Это связано с упомянутой возможностью устанавливать их по одному модулю и тем, что SDRAM обладает большим быстродействием по сравнению с FPM и EDORAM.
      Если  для FPM и EDO памяти указывается время  чтения первой ячейки в цепочке (время  доступа), то для SDRAM указывается время  считывания последующих ячеек. Цепочка - несколько последовательных ячеек. На считывание первой ячейки уходит довольно много времени (60-70 нс) независимо от типа памяти, а вот время чтения последующих сильно зависит от типа.
      В качестве оперативной памяти также  используются модули RIMM, SO-DIMM и SO-RIMM. Все они имеют разное количество контактов. Модули SIMM сейчас встречаются только в старых моделях материнских плат, а им на смену пришли 168-контактные DIMM. Модули SO-DIMM и SO-RIMM, имеющие меньшее количество контактов, чем стандартные DIMM и RIMM, широко используются в портативных устройствах.
      

      Рис.3.3.1  Модуль памяти SO-DIMM
      При установке совпадение форм-факторов модуля и разъема не всегда стопроцентно гарантирует работоспособность  модуля. Для сведения к минимуму риска использования неподходящего устройства применяются так называемые ключи. В модулях памяти такими ключами являются один или несколько вырезов. Этим вырезам на разъеме соответствуют специальные выступы. Так в модулях DIMM используется два ключа. Один из них (вырез между 10 и 11 контактами) отвечает за буферизованность модуля (модуль может быть буферизованным или небуферизованным), а второй (вырез между 40 и 41 контактами) - за рабочее напряжение (может быть 5 В или 3,3 В).
и т.д.................


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть полный текст работы бесплатно


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.