На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


лекция Тиристоры

Информация:

Тип работы: лекция. Добавлен: 08.07.2012. Сдан: 2010. Страниц: 8. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


7.  Тиристоры 

7.1 Назначение и классификация 

      Тиристор  представляет собой полупроводниковый  прибор с двумя устойчивыми состояниями, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
      Это определило его название – “thyra” по гречески “дверь”. Тиристор подобно двери открывается, пропуская электрический ток, и закрывается, преграждая путь току. Тиристоры используются в цепях электропитания устройств связи и энергетики, в качестве регуляторов.
      Применение  тиристоров на электроподвижном составе  и тяговых подстанциях позволило осуществлять плавное регулирование выпрямленного тока, инвертирование тока, а также выполнять ряд других функций.
      Перевод тиристора из закрытого состояния  в открытое в электрической цепи осуществляется внешним воздействием на прибор. К числу факторов, наиболее широко используемых для отпирания  тиристоров, относится воздействие  напряжением (током) или светом (фототиристоры).
      По  своей структуре тиристоры отличаются от биполярных транзисторов тем, что  у них вместо трех – четыре (или  более) полупроводниковых слоя, в  которых проводимость последовательно чередуется.
      Существует  много разновидностей тиристоров (рис. 7.1).

Рис. 7.1. Классификация тиристоров
  Основными типами являются диодные и триодные тиристоры.  

7.2. Диодные и триодные тиристоры 

      В диодных тиристорах (динисторах) переход  прибора из закрытого состояния в открытое связан с тем, что напряжение между анодом и катодом достигает некоторой граничной величины – напряжения включения (Uвкл), являющейся параметром прибора.
      В триодных тиристорах (тринисторах) управление состоянием прибора производится по цепи третьего – управляющего электрода.
      Устройство  тиристора с управляющим электродом показано на рис. 7.2. Тиристор имеет  структуру p1-n1-p2-n2 c тремя p-n-переходами (П1- П3).
        
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Рис. 7.2. Устройство тиристора с управляющим электродом 

      Исходным  материалом для изготовления тиристора  является кремниевая пластина n-типа. Сначала путем диффузии акцепторной примеси с обеих сторон создают транзисторную структуру p1-n1-p2. Затем, после локальной обработки поверхности слоя p2, вносят донорную примесь в этот слой для получения четвертого n2-слоя.
      Рассмотрим  структурную схему тиристора  при приложении напряжений обратной и прямой полярности и его ВАХ (рис. 7.3, 7.4).
      Рассмотрим  обратную ветвь вольт-амперной характеристики тиристора, которая снимается при  токе управления Iу = 0. Обратному напряжению соответствует полярность, указанная на рис. 7.3 без скобок. При приложении обратного напряжения Uобр переходы П1 и П3 закрыты, П2 – открыт. Падение напряжения на переходе П2 мало, поэтому можно предположить, что обратное напряжение Uобр распределяется равномерно между переходами П1 и П3.
 

Рис. 7.3. Вольт-амперная характеристика тиристора 


Рис. 7.4. Структурная схема тиристора при приложении напряжений
обратной и прямой полярности
      При изготовлении тиристоров концентрация примесей в слоях p2 и n2 делается намного выше концентрации примесей в слоях p1 и n1, поэтому переход П3 получается узким. С приложением обратного напряжения переход П3 вступает в режим электрического пробоя при напряжении, меньшем рабочего напряжения тиристора, то есть обратное напряжение приложено по существу к переходу П1.
      Обратная  ветвь ВАХ тиристора представляет собой обратную ветвь ВАХ перехода П1 или диода (рис. 7.3). Именно на переходе П1 решается задача получения лавинной характеристики для защиты тиристора от перенапряжений (создание лавинного тиристора).
      Рассмотрим  прямую ветвь ВАХ. При приложении прямого напряжения переходы П1 и П3 открыты, переход П2 закрыт.
      Рассмотрим  работу тиристора при токе управления Iу = 0. Этот режим соответствует работе тиристора в режиме динистора.
      Для рассмотрения принципа работы тиристора  воспользуемся двухтранзисторной аналогией. На рис. 7.4 можно представить структуру p1-n1-p2 в виде транзистора VT1, а структуру n2-p2-n1 в виде транзистора VT2. При этом переходы П1 и П3 будут являться эмиттерными переходами двух транзисторов, а переход П2 будет являться общим коллекторным переходом для обоих транзисторов. Через эмиттерные переходы транзисторов VT1 и VT2 будут протекать токи Iэ1 и Iэ2, а коэффициенты передачи этих токов – ?1 и ?2.
      Из-за большого сопротивления перехода П2 тиристор находится в закрытом состоянии.
      Чтобы открыть тиристор необходимо сбалансировать потенциальный барьер на границе  слоев n1 и p2. Под действием прямых напряжений через эмиттерные переходы (П1 и П3) происходит инжекция основных носителей заряда в соответствующие базы транзисторов n1 и p2. В транзисторе VT2 электроны из эмиттера (слой n2) переходят в базу (слой p2), где становятся неосновными носителями. Часть этих электронов рекомбинирует в базе, а остальные переходят на коллектор n1, где создается избыточный отрицательный заряд. Аналогично дырки создают в слое p2 избыточный положительный заряд.
      Однако, за счет обратного напряжения на переходе П2 в области n1 имеется положительный заряд, а в области p2 – отрицательный, образующие потенциальный барьер. Избыточные электроны в слое n1 и дырки в слое p2, накапливаясь, создают свое электрическое поле, которое снижает потенциальный барьер. Чем больше напряжение Uпр, тем больше это поле, и в результате оно может полностью компенсировать потенциальный барьер, при этом Uпр достигнет значения напряжения включения Uвкл. Ток тиристора резко возрастет, тиристор откроется, его ВАХ будет идентична ВАХ диода. Сопротивление перехода П2 станет незначительным (как у переходов П1 и П3). На рис. 7.3 значение напряжения включения Uвкл соответствует значению в точке а.
      Процесс скачкообразного переключения тиристора  из закрытого состояния в открытое можно еще весьма просто объяснить математически.
      Коллекторные  токи транзисторов VT1 и VT2 определяются следующим образом:
Iк1 = a1?Iэ1;
          Iк2 = a2?Iэ2.                                                     (7.1)
      Через коллекторный переход течет еще  обратный ток этого перехода –  Iко – тепловой ток. Таким образом, результирующий ток коллекторного перехода будет равен:
      Iкол = Iк1 + Iк2 + Iко = a1?Iэ1 + a2?Iэ2 + Iко.                    (7.2)
      Все переходы в тиристоре соединены  последовательно и тиристор имеет  два силовых вывода, поэтому результирующий ток будет равен:
      IА = Iк = Iэ1 = Iэ2.                                        (7.3)
      Из  выражения (7.2) с учетом (7.3) можно  определить ток анода:
       .                                     (7.4)
      При малых токах a1 и a2 значительно меньше единицы и сумма их также меньше единицы. Тогда в соответствии с выражением (7.4) ток IА получается сравнительно небольшим. С увеличением тока a1 и a2 растут, и это приводит к возрастанию тока IА. При некотором токе, являющимся током включения Iвкл, сумма a1 + a2 становится равной единице и ток IА возрос бы до бесконечности, если бы его не ограничивало сопротивление нагрузки Rн (участок  б-в на рис. 7.3). Именно такое стремление тока IА неограниченно возрастать указывает на скачкообразное нарастание тока, то есть на отпирание тиристора.
      При отсутствии тока управления Iу тиристор будет всегда открываться при напряжении включения Uвкл (точка а на рис. 7.3), но он неуправляем, т.е. работает в режиме динистора. 
      В ряде случаев динистор используется в электрических цепях в качестве разрядника, например для защиты вентильных обмоток преобразовательных трансформаторов  электроподвижного состава. Работа его заключается в следующем: при возникновении перенапряжения и соответствующем пробое динистора вентильная обмотка преобразовательного трансформатора закорачивается, но аварийное перенапряжение при этом не пропускается на нагрузку.
      Недостатком динисторов является большое значение напряжения включения Uвкл при протекании больших токов.
      Создав  третий электрод можно управлять  моментом открытия тиристора. Такой тиристор (трехэлектродный) называется тринистором.
      С увеличением напряжения управления + Uупр возрастает значение тока управления Iу. Ток управления приводит к движению электронов из области n2 в область p2. Для области p2 электроны – неосновные носители заряда, для них поле перехода П2 действует втягивающее (экстракция). Эти электроны усиливают компенсацию объемного положительного заряда и тиристор открывается при значении прямого напряжения Uпр меньшем, чем значение напряжения включения Uвкл. У тиристора растет значение a2, сумма a1 + a2 стремится к единице при напряжении Uпр < Uвкл. Значения тока Iу – единицы миллиампер, при этом значения тока IА достигает десятков и сотен ампер. На рис. 7.3 точки г, д, е, ж соответствуют различным сочетаниям значений Uвкл и Iу (Uвкл1 и Iу1; Uвкл2 и Iу2 и т.д.). Существует значение тока управления, при котором тиристор открывается сразу – ток управления спрямления. При этом ВАХ тиристора вырождается в ВАХ диода.
      Тиристор  – частично управляемый вентиль, так как можно управлять только моментом его открытия, тиристор не может закрыться при уменьшении Iу, а закроется при условии, что ток анода IА будет меньше тока удержания Iуд. 

7.3. Переходные процессы при включении и выключении тиристора 

7.3.1. Переходные процессы при включении тиристора 

      Рассмотрим  процесс включения тиристора. Тиристор включается подачей импульса тока на его управляющий электрод. Так как после отпирания вентиля ток управления Iу больше не влияет на его работу, то для управления тиристором применяются кратковременные импульсы (несколько сотен микросекунд). Для четкого включения импульс тока управления должен иметь достаточную крутизну S = 1-5 А/мкс.
      Временные диаграммы электромагнитных процессов при включении тиристора приведены на рис. 7.5.

Рис. 7.5. Временные диаграммы электромагнитных процессов
при включении  тиристора 

      При подаче импульса управления (рис. 7.5, а) тиристор переходит из запертого  состояния в открытое не мгновенно, так как для инжекции носителей электричества в слои p2 и n1 требуется определенное время. За время включения tвкл (рис. 7.5, б) принимают промежуток времени от момента подачи импульса до момента когда прямое напряжение Uпр уменьшится до 10 % от первоначального значения.
      На  рис. 7.5 б, в  видно,  что  время  включения  определяется  по  выражению:
        tвкл = tз + tн ,                                                (7.5)
где tз – время задержки;
      tн – время нарастания тока.
      За  время tз прямое напряжение Uпр снижается от 100 до 90 %, а ток Iпр возрастает от 0 до 10 % от установившегося значения. За время tн прямое напряжение Uпр снижается от 90 до 10 %, а ток Iпр возрастает от 10 до 90 % от установившегося значения.
      В зависимости от мощности тиристора  время включения tвкл = 2-20 мкс.
      Физически в течение времени задержки tз происходит первоначальная инжекция электронов из эмиттерной области П2 в базовую область p2. Ток, проходящий через вентиль за это время, увеличивается сравнительно медленно и определяется числом электронов, перешедших через переход П2. За время нарастания тока tн происходит резкое уменьшение сопротивления перехода П2, что вызывает лавинообразное нарастание прямого тока Iпр. Переходный процесс заканчивается с установлением на приборе значения напряжения DUпр, а прямой ток достигает установившегося значения Iпр. С увеличением амплитуды импульса тока управления и крутизны фронта время задержки tз и время нарастания тока tн уменьшаются.
      Выключить тиристор можно, уменьшая Iпр ниже значения тока удержания, но в этом случае время запирания будет большим. Чтобы его снизить, к тиристору необходимо приложить обратное напряжение. В этом случае начинается процесс исчезновения носителей электричества из всех слоев за счет их рекомбинации и ухода через p-n-переходы. 

7.3.2. Переходные процессы при выключении тиристора 

      Рассмотрим  процесс выключения тиристора. Временные  диаграммы электромагнитных процессов при выключении тиристора приведены  на рис. 7.6.
      Процесс состоит из нескольких этапов:
      1) за время t1 происходит уход дырок и электронов из зон, прилегающих к переходам П1 и П3, что вызывает появление в цепи вентиля обратного тока, при этом DUпр еще остается положительным;
      2) за время t2 переходы П1 и П3 восстанавливают свои запирающие свойства и обратный ток уменьшается до значения тока утечки Iут обр. Напряжение на тиристоре при этом равно обратному напряжению Uобр (определяется источником тока).
      Время (t1 + t2) – время восстановления запирающих свойств вентиля в обратном направлении. Однако, за это время вентиль не восстанавливает свои запирающие свойства при включении в прямом направлении, так как в зонах, прилегающих к переходу П2, имеется еще достаточная концентрация дырок и электронов. Снижение ее осуществляется в результате рекомбинации дырок и электронов и требует некоторого времени t3. Только после этого переход П2 запирается и появляется возможность прикладывать к вентилю прямое напряжение Uпр.

Рис. 7.6. Временные диаграммы тиристора  при его выключении 

      Сумма (t1 + t2 + t3) = tвыкл – время выключения тиристора, или время восстановления запирающих свойств в прямом направлении. Обычно время выключения тиристора много больше времени включения, и именно оно является определяющим при выборе частоты включения тиристоров в преобразователях (tвыкл = 12-250 мкс).
      Тиристоры, в зависимости от времени выключения, делятся на девять групп.
      Большое значение для работы тиристора имеет  скорость нарастания прямого напряжения на закрытом вентиле. Закрытый тиристор подобен конденсатору, через который протекает зарядный ток. Этот ток пропорционален скорости изменения приложенного к нему напряжения и, если он достигает значения тока включения, то возможно открытие тиристора при отсутствии сигнала управления и при условии, что Uпр < Uвкл. Минимальная скорость нарастания прямого напряжения Uпр, при которой происходит включение тиристора, даже при номинальном напряжении и отсутствии сигнала на управляющем электроде, называется критической скоростью нарастания прямого напряжения .
      В зависимости от значения критической  скорости нарастания напряжения тиристоры делятся на семь групп (от 0 до 6). На электроподвижном составе и тяговых подстанциях применяют тиристоры со значением критической скорости нарастания напряжения ? 200 В/мкс.
      Ограничивается  также скорость нарастания прямого  тока. В зависимости от этой величины тиристоры делятся на девять групп (от 1 до 9). На электроподвижном составе и тяговых подстанциях применяют тиристоры с значением критической скорости нарастания тока ? 70 А/мкс. 

7.4. Основные параметры  тиристоров 

      Как и для диодов, основными параметрами  тиристоров являются:
      – предельный прямой ток Iпр;
      – перегрузочная способность;
      – прямое падение напряжения Uпр;
      – повторяющееся и неповторяющееся  прямое или обратное напряжение;
      – сопротивление вентиля в прямом и обратном направлении;
      – температурный режим.
      Кроме того, существует ряд специфических  параметров:
      – напряжение включения;
      – токи включения и удержания (выключения);
      – обратный и прямой токи утечки;
      – скорость нарастания прямого тока при  включении;
      – скорость нарастания прямого напряжения на закрытом вентиле;
      – время включения и выключения;
      – ток, напряжение и предельное значение мощности в цепи управления.
      Прямое  падение напряжения Uпр при прямом токе Iпр у тиристоров больше, чем у диодов (1,75-2,3 В) вследствие того, что выпрямительный элемент имеет большую толщину и ток преодолевает сопротивления трех p-n-переходов.
      Как и диоды, тиристоры делятся на классы по допустимому повторяющемуся напряжению.
      Напряжение  включения тиристора Uвкл приблизительно равно максимальному обратному пробивному напряжению Uпроб, так как обе эти величины определяются электрической прочностью двух p-n-переходов, следовательно они зависят от класса вентиля.
      При повышении температуры значение напряжения включения Uвкл, так же как и значение напряжения пробоя Uпроб, уменьшается. Прямой и обратный токи утечки характеризуют вентильные свойства закрытого тиристора в прямом и обратном направлениях. Для мощных тиристоров значения этих токов находится в пределах 20-40 мА при предельном значении приложенного напряжения и максимально допустимой температуры структуры Tjm. 

7.5. Маркировка силовых  тиристоров 

      Приведем  пример маркировки силового тиристора, использующегося в составе выпрямительно-инверторного преобразователя ВИП4000 электровозов ВЛ 80Р и ВЛ 85.
      Т 353-800-28-61 УХЛ 2 – Т – тиристор; 3 – порядковый номер модификации конструкции; 5 – модификация по диаметру корпуса (73 мм) по ГОСТ 20859.1–89; 3 – конструктивное исполнение корпуса по ГОСТ 20859.1–89 (таблеточный); 800 – предельный ток (среднее значение), А, при заданной температуре корпуса; 28 – класс по напряжению; 6 – группа по критической скорости нарастания напряжения – 250 В/мкс; 1 – группа по времени выключения – не более 500 мкс; УХЛ – климатическое исполнение по ГОСТ 15150–69 – для умеренного и холодного климата; 2 – категория размещения по ГОСТ 15150–69 – установка в помещениях, где колебания температуры и влажности несущественно отличаются от внешней среды. 

7.6. Лавинные тиристоры 

      В тиристорах, также как и в диодах, за счет специальных технологий можно  создать такую структуру, в которой  при подаче обратного напряжения возникает лавинный пробой. Такие  тиристоры не выходят из строя  при подаче на них больших значений обратных напряжений. Маркируются они буквами ТЛ (тиристор лавинный). В отличие от обычных тиристоров, они имеют лавинные области на прямой (область АБ) и обратной (область ВГ) ветвях ВАХ (рис. 7.7).
      

      Рис. 7.7. Вольт-амперная характеристика лавинного  тиристора 

      Лавинные  области позволяют включать тиристор не только с помощью тока управления, но и подачей на анод прямого напряжения, большего, чем напряжение включения. Кроме того, лавинные тиристоры ограничивают кратковременные импульсы напряжения так же, как и выпрямительные лавинные диоды.  При  этом  рассеиваемая  энергия  на  p-n-переходе  должна быть не выше 1 Дж.
      Применение  в этих приборах кремния высокой  очистки и однородности, а так же технология изготовления p-n-переходов позволяют повысить допустимую температуру кремниевого элемента до 140 °С, что позволяет увеличить номинальный ток тиристора без увеличения площади p-n-перехода.
      Использование лавинных тиристоров в преобразовательных устройствах дает возможность обойтись без дополнительных устройств защиты и равномерного распределения напряжения между последовательно включенными вентилями. 

7.7. Симметричные тиристоры (симисторы) 

      В  некоторых схемах требуются приборы, которые можно включить как в  прямом, так и в обратном направлении. Этому требованию отвечают симисторы.
      Условное  графическое обозначение симистора  представлено на рис. 7.8.  


                                       а                                б
Рис. 7.8. Условное графическое обозначение (а) и представление симистора в виде двух тиристоров, включенных встречно-параллельно (б)   

      При подаче импульса тока управления на управляющий  электрод симистор включается при любой полярности анодного напряжения. Выключается– как обычный тиристор.
      ВАХ симистора аналогична ВАХ двух тиристоров, включенных встречно-параллельно (рис. 7.9).
      Выпрямительный  элемент симистора (рис. 7.10) имеет  пятислойную структуру (n-p-n-p-n). Крайние переходы симистора замкнуты металлическими контактами (шунтами Ш1, Ш2) электродов А и В. Управляющий электрод подключен к области p2.
      Если  полярность поданного напряжения следующая (на рис. 7.10 – без скобок): «минус»  на электроде А и «плюс» на электроде  В, то переход П4 закрыт. При подаче положительного импульса на управляющий электрод (УЭ) ток проходит по пути n1-p2-n3-p4, как и в обычном тиристоре. 


Рис. 7.9. Вольт-амперная характеристика симметричного  тиристора 


Рис. 7.10. Структура симистора 

      При обратной полярности: «плюс» на электроде  А и «минус» на электроде В, переход П1 закрыт. Напряжение приложено к слоям p2-n3-p4-n5. При подаче на управляющий электрод положительного импульса электроны из цепи управления попадают в слой p2 и под действием поля перехода П2 переходят в слой n3, понижая его потенциал. Это вызывает инжекцию дырок из слоя p2 в слой n3. Далее дырки переходят в слой p4, у которого отрицательный потенциал. Возникает лавинный процесс нарастания тока и симистор открывается.
      Прямая  и обратная ветви ВАХ симистора  имеют идентичный характер и определяются теми же параметрами, что и прямая ветвь обычного тиристора.
      Симисторы, как и обычные тиристоры, разбивают  на группы по среднему  падению  напряжения  и  на  классы  по  номинальному  рабочему  напряжению.
      Симисторы применяют в качестве бесконтактных  переключателей и управляемых вентилей для преобразования электрического тока. 

7.8. Полностью управляемые тиристоры  

      Полностью управляемые тиристоры в различных источниках имеют следующие названия: запираемые, выключаемые, двухоперационные, GTO-тиристоры.
      У обычных тиристоров можно управлять  моментом включения, но нельзя управлять моментом окончания токовой проводимости. В связи с этим использование тиристоров в цепях постоянного тока, а также в инверторах, требует применения специальных средств (схем индуктивно-емкостных контуров коммутации), гасящих ток.
      Условное  графическое обозначение запираемого тиристора приведено на рис. 7.11.

Рис. 7.11. Условное графическое обозначение  запираемого  тиристора 

      В запираемых тиристорах положительным  управляющим импульсом обеспечивается перевод тиристора в проводящее состояние, а отрицательным импульсом – выключение тиристора.
      ВАХ запираемого тиристора аналогична ВАХ обычного тиристора, аналогичен и процесс включения.
      Запираемый  тиристор имеет такую же четырехслойную структуру, что и обычный тиристор, поэтому к ним применим транзисторный аналог. При подаче отрицательного импульса тока управления в базовый слой структуры уменьшается заряд в обоих базах транзисторов. При этом уменьшаются все составляющие тока тиристора и он выключается.
      Переходный  процесс выключения запираемого  тиристора током в цепи управления происходит в три этапа (рис. 7.12).

Рис. 7.12. Переходные процессы при выключении запираемого тиристора 

      На  первом этапе при протекании тока IA = const подается импульс тока управления Iу на управляющий электрод (рис. 7.12, а). При этом происходит снижение значения тока катода Iк = (IА – Iу). Чтобы первый этап перешел во второй необходимо определенное значение запирающего тока управляющего электрода, намного большее, чем значение тока включения (Iу закр >> Iу вкл). Значение тока запирания Iу закр и тока анода IА связаны значением коэффициента усиления при выключении:
                                  (7.6)
      Обычно  G = = 3-5.
      Второй  этап характеризуется резким снижением  токов IА и IК (рис. 7.12, а, б). В течение этого этапа происходит дальнейшее снижение концентрации носителей заряда в обеих базах структуры. Этап заканчивается тогда, когда эта концентрация становится равной нулю, при этом по цепи управляющего электрода и катода протекает обратный ток.
      На  третьем этапе происходит рассасывание неосновных носителей и ток тиристора снижается до нуля (рис. 7.12, а).
      Основное  конструктивное отличие запираемых тиристоров от обычных (незапираемых) заключается в ином расположении горизонтальных и вертикальных слоев  с n- и p-проводимостями.
      Наибольшему изменению подверглось устройство катодного слоя n. Он разбит на несколько сотен элементарных ячеек, равномерно распределенных по площади и соединенных параллельно. Такое исполнение вызвано стремлением обеспечить равномерное снижение тока по всей площади полупроводниковой структуры при выключении прибора.
      Базовый слой p, несмотря на то, что выполнен как единое целое, имеет большое число контактов управляющего электрода (примерно равное числу катодных ячеек), так же равномерно распределенных по площади и соединенных параллельно. Базовый слой n выполнен аналогично соответствующему слою обычного тиристора.
      Анодный слой р имеет шунты (зоны с n-типом проводимости), соединяющие n-базу с анодным контактом через небольшие распределенные сопротивления. Анодные шунты применяют в тиристорах для снижения времени выключения прибора за счет улучшения условий извлечения зарядов из базовой n-области.
      Запираемые  тиристоры изготавливают в штыревых и таблеточных корпусах, устанавливаемых на типовых охладителях. 
 
 

7.9. Специальные типы тиристоров
и т.д.................


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть полный текст работы бесплатно


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.