На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


курсовая работа Электронно-лучевая обработка

Информация:

Тип работы: курсовая работа. Добавлен: 29.08.2012. Сдан: 2011. Страниц: 24. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


    1 Содержание  способа электронно-лучевой обработки
     1.1 Развитие электронно-лучевой технологии
     Выделение электронно-лучевой технологии в  самостоятельную отрасль научно-технических знаний тесно связано с успехами вакуумной техники и электронной оптики.
     Первые  попытки электронно-лучевой плавки были предприняты в 1905 г. Пирани. Ему удалось плавить даже такие тугоплавкие металлы, как тантал. Но ни вакуумная, ни электронная техника в то время еще не получили должного развития, и с другой стороны, еще не возникла потребность в подобной технологии. Поэтому работы Пирани тогда не нашли технической реализации. В последующие годы не было недостатка в попытках использовать электронные пучки, в лабораторных условиях для решения различных задач.
     С середины 20-х годов начинается бурное развитие электронной оптики. Вместе с прогрессом вакуумной техники это создало возможность надежного получения и формирования электронных пучков. Фон Арденне и Рюле уже в 1934 г. использовали электронные пучки, сфокусированные магнитными линзами, для получения отверстий малого диаметра и для испарения металлов. Однако и в это время потребности в широком техническом применении этих способов еще не было. Кроме того, еще не были созданы достаточно мощные вакуумные системы.
     В 1950 г. Штейгервальд показал технологические возможности электронного пучка как инструмента для получения отверстий и прецизионной обработки поверхностей. Необходимость же использования нового технологического способа для таких целей, как сварка, плавка и напыление, появилась прежде всего в связи с развитием ядерной и космической техники. Эти новые отрасли нуждались, помимо всего прочего, в новых материалах, обрабатывать которые существовавшими тогда способами было либо невозможно, либо возможно, но с весьма неудовлетворительными результатами. Это и послужило в середине 50-х годов стимулом к использованию электронных пучков для технологических целей. Характерным примером тому служат работы Стора в области технического применения электроннолучевой сварки.
     С 1957 по 1960 г. в различных странах разрабатываются методы и оборудование для электронно-лучевой плавки. Важной предпосылкой для этого явилось создание к этому времени высокопроизводительных вакуумных систем.
     В последующие годы в промышленность во все возрастающей степени внедрялись методы электронно-лучевого испарения для решения различных задач по нанесению покрытий.
     Приблизительно  к 1965 г. способы и установки электронно-лучевой технологии достигают такой степени технического совершенства, что электронно-лучевую плавку, сварку, напыление и обработку поверхностей можно считать внедренными в промышленность.
     В последние годы масштабы этого внедрения  возросли. Кроме того, освоены и другие области применения, например; нетермическая электронно-лучевая обработка микроструктур и химическая электронно-лучевая обработка синтетических материалов и покрытий в промышленных масштабах. В настоящее время ведутся работы по промышленному освоению ряда других процессов.
     Период  с 1965 по 1975 г. характерен еще и возрастающим использованием такого достоинства электронно-лучевых установок, как легкость автоматизации. Установки все чаще вводятся в состав поточных линий. Появляются новые поколения установок.
     Процессы  и установки электронно-лучевой  технологии служат объектом многочисленных и разносторонних исследований и разработок. В ее достижения существенный вклад внесли научные институты РФ, США, ГДР, ФРГ, Франции, Англии, Японии. Помимо тысяч научно-исследовательских публикаций появилось немало обширных трудов по отдельным вопросам электроннолучевой технологии.  

     1.2 Основные понятия и определения.
     Электронно-лучевой  обработкой называют группу способов микрообработки поверхности материалов, при которых в технологических целях используются термическое или нетермическое воздействия электронного пучка на материал. При термической обработке в результате плавления и испарения происходит унос материала из зоны действия пучка и термические превращения материала. При нетермической обработке используются химические или физические превращения материала при воздействии на него электронного пучка. В обоих случаях цель обработки заключается в изменении формы и конфигурации структуры заготовки; эта цель достигается соответствующим управлением воздействием пучка на заготовку в пространстве и во времени. Разнообразие требований к параметрам пучков, предъявляемых различными технологиями обработки, привело к формированию трех относительно самостоятельных направлений, отличающихся друг от друга как по характеру процессов, так и по концепциям, положенным в основу конструкций установок:
    термическая размерная обработка компактных тел;
    термическая размерная обработка тонких слоев;
    нетермическая обработка.
     Кинетическую  энергию электронов пучка, превращающуюся при встрече пучка с компактным телом в тепло, можно использовать для изменения химического состава или структуры материала в бомбардируемой  зоне, обусловленных термическими процессами. Окрестности зоны обработки, по крайней мере, вне некоторого заданного района вокруг этой зоны, необходимо защитить от недопустимых тепловых нагрузок. Границы допустимой тепловой нагрузки могут определяться, например, остаточными собственными механическими напряжениями в материале или нежелательными химическими или структурными превращениями в нем.
     Непосредственной  целью обработки может явиться, например, получение отверстий заданного  диаметра или пазов заданной ширины, глубины и с заданным профилем сечения.
     Под обработкой компактных тел понимают такие разновидности обработки, при которых глубина обработки Т превышает глубину проникновения S электронов пучка в данный материал.
     Рассмотрим  более подробно процесс поглощения энергии в обрабатываемом материале. При этом удобнее всего считать, что пучок имеет наиболее важную для практики осесимметричную форму, а удельная поверхностная мощность распределена в его поперечном сечении по Гауссу:
      pF(r)=pF0e-(2r/dF)2=UbiF0e-(2r/dF)2 

     Рис. 1.1 Пространственное распределение  относительной плотности поглощаемой  мощности Pa/Pa max в зависимости от относительных координат (2r/dF, z/S) для случая dP»iS. 

    В заготовке на глубине проникновения электронов S из мощности пучка Р0 в тепловую преобразуется доля nP0, где n<1. Значение n в основном определяется отражением электронов. Распределение источников тепла в заготовке нетрудно рассчитать для случая dF>S и воздействия пучка на плоскую поверхность. На рисунке 1.1 представлено семейство кривых равных относительных удельных поглощаемых мощностей. Из рассмотрения этого графика можно сделать следующие выводы:
    Максимум удельной поглощаемой мощности находится на оси пучка под поверхностью детали на глубине, равной 1/3 глубины проникновения, и приблизительно вдвое превышает удельную поглощаемую мощность на поверхности заготовки.
     2.Для относительных поверхностных мощностей, превышающих 0,52рА мах, поверхности равных значений являются замкнутыми сферами, целиком расположенными под поверхностью заготовки последней достигают только области, в которых относительные удельные  поглощаемые мощности меньше 0,52рА мах.
     3. С удалением от точки, в которой имеет место максимум, удельная поглощаемая мощность монотонно уменьшается, стремясь к нулю.
     4. Вследствие того, что S~U2В, максимальная удельная поглощаемая мощность пропорциональна отношению iF0/Uв, т. е. при одинаковой плотности тока и увеличении ускоряющего напряжения падает, несмотря на то, что удельная поглощаемая мощность pF0 при этом растет.
     Хотя  переносить приведенные рассуждения  количественно на случаи с dF~S, когда на распределение удельной поглощаемой мощности влияет рассеяние электронов, нельзя, качественная сторона рассуждения и здесь остается в силе. Наиболее важное следствие уменьшения отношения dF/S состоит в снижении рА таx и «растягивании» областей равных поглощаемых мощностей в радиальных направлениях.
      Формы кривых равных удельных поглощаемых мощностей, приведенных на рис. 2 искривляются также в случае, если ось пучка наклонена в рабочей зоне к поверхности заготовки" не под прямым углом. Эта ситуация в той или иной мере возникает для  

Рис. 2. Влияние  удельной поверхностной мощности на поверхности обрабатываемого изделия на ход размерной термической обработки с уносом материала. 

периферийной части пучка, когда при выполнении, например, отверстий глубина канала, из которого удален материал, достигает больших значений. При этом если пучок в достаточной мере сохраняет параллельность траекторий электронов, его «ядро» с высокой удельной поглощаемой мощностью все время находится на дне канала, а у стенок канала удельная поглощаемая мощность падает до весьма малых значений. Рассчитать пространственное распределение удельной поглощаемой мощности здесь затруднительно, так как удельная мощность, поступающая на поверхность, испытывает сильное воздействие динамики процессов уноса материала, которые не поддаются полному учету. Влияние наиболее существенных факторов пояснено на рис. 2. При отношениях глубины канала к его диаметру, равных 3—5 и более, доля мощности практически достигает единицы. С возрастанием апертуры пучка и расстояния между его фокусом и дном канала основное поглощение мощности все более перемещается на стенки канала (б). Значительная часть периферийных электронов, попадая на стенку канала под очень небольшими углами к ее поверхности, отражается от нее и вносит свой вклад в энергию, поглощаемую дном канала (в). Пар, образующийся в канале при обработке, может существенно увеличить рассеяние электронного пучка и тем самым снизить удельную поверхностную мощность пучка у дна канала, что повышает энергетическую нагрузку на его стенки (г). Положительные ионы, образовавшиеся в результате взаимодействия пучка с паром, компенсируют, а иногда и перекомпенсируют пространственный заряд пучка. Это может, по крайней мере при очень малой апертуре пучка, оказывать на пучок фокусирующее воздействие (д). Дополнительное рассеяние и поглощение энергии пучка могут вызывать также брызги материала в канале (е). 

     1.3 Эффекты обработки
     Возможные эффекты размерной обработки  зависят от поведения материала  при повышении его температуры, В табл. 1 приведены наиболее существенные из полезных тепловых эффектов, вытекающих из них технологические следствия и примеры материалов, пригодных для достижения этих эффектов.
     Если  при фазовых превращениях вещество остается твердым, то область превращений  ограничивается поверхностью, внутри которой подводимая энергия имеет плотность, как раз достаточную для нагрева материала до температуры превращения и сообщения ему скрытой теплоты превращения. Материал при этом не уносится, Обработанные участки отличаются от необработанных, например тем, что обладают иными механическими свойствами — твердостью и т. п.
     Сублимирующие материалы или материалы, разлагающиеся из твердого состояния на летучие компоненты; можно целенаправленно удалять, прямо переводя их из твердого состояния в газообразное. Геометрия рельефа  (структуры), получаемого в  результате обработки, здесь также определяется контурами тех поверхностей равных плотностей преобразуемой энергии, внутри которых эта энергия по крайней мере достаточна для достижения температуры сублимации или разложения и для покрытия энергетических затрат на эти процессы. 
Аналогично обстоит дело и тогда, когда материал разлагается на твердые продукты, с той, однако, разницей, 
что продукты остаются в зоне обработки, и в дальнейшем их необходимо еще удалить оттуда.

     Эффект  плавления с точки зрения технологии можно использовать для микросварки и для получения сплавов. При этом можно добиться того, чтобы расплавленные участки монокристаллического материала, застывая,  образовывали  снова монокристаллическую структуру с той же ориентацией, что и первоначальная. Иной технологический эффект получается, когда материал, расплавленный в месте обработки, при затвердевании приобретает состав или структуру, существенно отличные от исходных. Так, если заготовку из керамики, например из окиси алюминия, локально расплавить с поверхности на участке, имеющем вид линии, то расплав, затвердев, образует стекловидную массу. Поскольку она механически весьма слабо связана с коренным материалом, таким путем можно эффективно уменьшать поперечное сечение заготовки для того, чтобы затем соответствующим приложением к ней механического усилия разламывать ее по линии ослабленного сечения.
     Если  плавящийся материал удается нагреть  электронной бомбардировкой достаточно быстро и с достаточно большим перегревом над температурой плавления, то испарение материала начинается раньше всего в области максимального поглощения энергии, расположенной под поверхностью заготовки. Из-за высокой скорости нагрева и, по-видимому, связанного с ней вскипания испарение происходит практически мгновенно и сопровождается настолько резким подъемом давления, что происходит взрывообразный выброс из зоны обработки скопившихся под поверхностью паров материала вместе с окружающим расплавом. Ясно, что очертания получающейся при этом геометрической структуры  определяются   границей   расплавившегося объема. При обработке стекла процесс вытеснения материала из области максимальной температуры можно наблюдать непосредственно. При соответственно подобранных параметрах обработки вытеснение размягченного стекла приводит к вспучиванию поверхности до того, как начинается его унос.
     Особый  вид имеет унос материала, при чрезвычайно высокой удельной поглощаемой мощности. Нагрев материала происходит настолько быстро, что расплавившийся материал испаряется еще раньше того, как он может быть выброшен из зоны обработки. Такая ситуация имеет место, когда материал в расплавленном виде находится всего лишь в течение нескольких долей микросекунды. Эта форма уноса материала получила название квазисублимации. Так как материал испаряется практически полностью, а доля скрытой теплоты испарения в балансе энергии велика, такой род обработки требует очень высокого удельного расхода энергии.
     При практически мгновенном локальном  нагреве тепловое расширение, если материал весьма хрупок, может привести к образованию механических ударных волн. Последние вызывают в обрабатываемой области и вокруг нее механические напряжения. Если они превосходят прочностные характеристики материала, то в нем появляются трещины.
     Таблица 1 – Тепловые эффекты
 Тепловой  эффект Технологический эффект  Материалы
 Фазовые превращения в твердом состоянии  Закалка  Стали, поддающиеся  закалке
 Сублимация  Унос материала (выполнение отверстий, пазов; гравирование; резка)  Алмаз, графит, кварцевое стекло
 Разложение  твердого материала летучие компоненты  То же  Целлюлоза (бумага), различные синтетические материалы, керамика
 Разложение  с образованием по крайней мере одной  твердой компоненты  То же  Арсенид галлия, фосфид галлия
 Плавление  Микросварка;  полирование; летирование;
 нанесение рисок  оплавлением
 Металлы  Кремний, германий
 Кремний, германий, керамика, ферриты
 Испарение, квазисублимация  Унос материала (выполнение отверстий, пазов; гравирование; резка)  Металлы, синтетические  материалы, диэлектрические материалы
 Ударные волны  Дробление материалов  Камень
 
     Чтобы указанные выше эффекты обработки  было можно использовать в технологических  целях, необходимы технические средства, обеспечивающие, проведение того или иного вида обработки при соблюдении заданных допусков и постоянстве воспроизводимости результатов.
     Как упоминалось, результаты обработки  существенным образом зависят от мощности, поглощаемой определенным элементом объема или подведенной к этому объему путем теплопроводности. Вследствие порогового характера таких явлений, как плавление, сублимация и им подобные, геометрия результатов обработки в основном определяется такой граничной поверхностью, в точках которой достигнутые температура или плотность энергии в точности равны необходимым для данного эффекта, так как для разных материалов тот или иной эффект требует различных удельных объемных расходов энергии, параметры электронных пушек необходимо выбирать так, чтобы они удовлетворили требованиям вполне конкретной задачи обработки. Это относится прежде всего к выбору тока пучка, ускоряющего напряжения, распределения удельной поверхностной мощности в.рабочей зоне, а в ряде случаев — к выбору апертуры пучка, оценки необходимости ее настройки, воспроизводимости настройки и управления ею во времени.
     Чтобы избежать вредного влияния теплопроводности на результат обработки и на ее энергетический КПД, энергия, вводимая в обрабатываемый элемент, должна быть введена в него за время действия пучка tw.
     Следовательно, пригодность того или иного материала для размерной электронно-лучевой обработки и требования к электронной пушке определяются в конечном счете теплофизическими свойствами материала: температурой его плавления, удельной теплоемкостью, теплопроводностью и плотностью. Механические свойства материала (твердость, вязкость и т. д.) в противоположность этому не оказывают на сам эффект обработки никакого влияния.
     Из  ограничений на продолжительность  непрерывного воздействия пучка на заданную зону обработки вытекает возможность применения следующих технических вариантов обработки:
    моноимпульсная обработка;
    многоимпульсная обработка;
    обработка с быстрым отклонением пучка.
     В моноимпульсном варианте задача обработки  решается в течение времени действия однократного импульса пучка. Длительность импульса tt ограничена  значениями xts или xtdf; импульс должен при этом передать материалу всю необходимую энергию. Для различных материалов получаем: 0,1 mkc ? ti ? 1 мс. В случае обработки с уносом материала вариант позволяет достичь глубины обработки, намного превышающей глубину проникновения электронов, так как при непрерывном выбросе материала пучок все глубже проникает в заготовку. Глубина канала зависит от рода материала и мощности, которую способна развить пушка, и может достичь нескольких миллиметров.
     Если  результат, достижимый при действий единственного импульса, не удовлетворяет каким-либо условиям задачи, например, в части глубины канала, то можно применить многоимпульсную обработку. При этом длительность пауз между импульсами tp должна быть намного большей, чем xt,s или xt,dF, т. е. иметь порядок 100 ti. Во время пауз зона обработки остывает приблизительно до температуры окружающей среды. Влияние факторов здесь проявляется в том, что по мере углубления канала его дна достигает все меньшая часть энергии импульса и в конце концов эта часть становится недостаточной для обеспечения эффекта обработки. Поэтому с увеличением числа импульсов глубина канала растет не линейно, а примерно логарифмически, стремясь при очень большом числе импульсов к некоторому пределу. На практике получали распространение каналы глубиной до 15 мм. Вследствие условия tp/ti~100 производительность многоимпульсной обработки соответственно меньше, чем моноимпульсной. Импульсные методы применяют по преимуществу для точечной обработки с уносом материала.
     Ограничить  длительность воздействия пучка  на данную точку поверхности путем быстрого отклонения пучка можно только при выполнении линейных элементов структуры обработки. Скорость отклонения vA необходимо выбирать так, чтобы время tw действия пучка на данную точку удовлетворяло условию.
     Tw= df/ va< xt,s; xt,dF
     Скорость  отклонения в конечном счете также  определяется температуропроводностью  материала и диаметром пятна  или глубиной проникновения электронов.
     Помимо  управления во времени подводом энергии  к объекту необходимо управлять  пучком и деталью 
в пространстве, перемещая деталь относительно неподвижного пучка или пучок относительно неподвижной 
детали. Эта необходимость возникает, прежде всего, тогда, когда в направлении, перпендикулярном оси 
пучка, подлежащая обработке структура по своим размерам превышает диаметр фокусного пятна пучка.

     Подбором  функций отклонений можно получать почти 'любые очертания структур обработки. Большое число параметров, которыми можно задаваться (длительность импульсов, ток импульса, удельная поверхностная мощность, положение фокуса и т. д.), предоставляет широкую свободу варьирования факторов, влияющих на результаты- обработки, например на диаметр и профиль канала.
     На  основе изложенных выше материалов о  поглощении мощности можно определять значения главных параметров обработки, удовлетворяющих условиям той или иной задачи. Однако так как часть взаимодействий при обработке не поддается контролю, для окончательной оптимизации техники и режимов обработки в большинстве случаев необходимы, кроме того, или детальные эксперименты, или накопление большого опыта работы. 

     1.4 Установки для размерной термической обработки
     Для размерной термической обработки  компактных тел применяют только такие устройства, которые создают  осесимметричное распределение  удельной поверхностной мощности по поперечному сечению пучка. Пушки содержат трехэлектродные генераторы пучков с высокой плотностью эмиссии. Катоды с малой поверхностью эмиссии выполняются из вольфрама или гексаборида лантана. Электронно-оптическая система состоит из одной или двух линз, ряда диафрагм для отсечения периферийных зон пучка, стигматора и отклоняющего узла, который расположен после линз. Развиваемые мощности составляют максимум 1 кВт в среднем и до 15 кВт в импульсе. Во времени пучком управляют с помощью управляющего электрода, а в устройствах малой мощности — и с помощью электростатических запирающих пластин.
     Для решения простейших задач обработки  с невысокими требованиями к параметрам пучка (в особенности к его удельной поверхностной мощности в пятне) используют пушку с плоским пучком и механическим делителем пучка, что позволяет одновременно обрабатывать несколько участков заготовки.
     К пушкам и системам их питания предъявляются  очень жесткие требования в части  точности и воспроизводимости настройки  режима и обеспечения минимальных погрешностей отклонения пучка
     Для управления пучком во времени и пространстве применяют специализированные электронные  функциональные генераторы и точечные световые зонды; для той же цели во все возрастающей мере используют устройства цифрового программного управления с цифро-аналоговыми преобразователями, формирующими сигналы управления отклоняющей системой.
     В установках большой мощности относительное  перемещение пучка и заготовки реализуют, согласовывая отклонения пучка и перемещения заготовки друг с другом, так что обработку можно вести и при перемещающейся заготовке. Такое совмещение позволяет производительно использовать время перемещения заготовки и снять ограничения, накладываемые на скорость перемещения инерционностью механизма. 

     1.5 Нетермическая обработка
     1.5.1 Задачи обработки
     При бомбардировке органических или  неорганических веществ электронным  пучком химические или физические взаимодействия пучка с веществом могут вызвать в последнем изменения состава или структуры. Связанные с этими изменениями эффекты можно использовать для того, чтобы получать явные или скрытые структуры на поверхности заготовки.
     Если  электронные пучки воздействуют на хорошо электроизолированные материалы, то в зоне обработки остается локализованный перенесенный заряд. Это позволяет  получать зарядовые локальные структуры, которые в ряде случаев с помощью  соответствующей последующей обработки можно превратить в явные.
     Этот  способ, применяемый главным образом  в микроэлектронике и в технике записи и накопления информации, представляет особый интерес для реализации субмикроскопических структур, получить которые традиционными способами, например фотолитографией, невозможно. 

     1.5.2 Нетермические воздействия электронного пучка
     По  используемым воздействиям электронного пучка на вещество нетермические  эффекты обработки можно разделить  на следующие три группы:
    перенос энергии (химические электронно-лучевые эффекты);
    передача импульса (эффекты столкновений);
 3)перенос заряда (эффекты, порожденные электростатическими полями или, силами).
     Для нетермической обработки типично  то, что целевой технологический эффект зачастую достигается только в сочетании электронно-лучевого процесса с процессами последующей обработки, т. е. проявления. 

     1.5.3 Химические электронно-лучевые эффекты
     Ионизация и возбуждение, связанные с поглощением  энергии пучка, могут вызвать электронно-лучевые химические реакции в органических соединениях. В результате этих реакций в веществе происходят стехиометрические или структурные изменения, которые приводят к соответствующим изменениям его химических и физических свойств. Характер этих изменений существенным образам зависит от молекулярного строения соединения и от переданной ему энергии. В тех случаях, которые представляют интерес для микрообработки, т. е. в случаях твердых веществ или адсорбированных слоев, молекулярная подвижность настолько мала, что химические изменения оказываются локализованными в той области, в которой происходит преобразование энергии. Поэтому и здесь результат обработки в основном определяется пространственным распределением плотности поглощаемой энергии, и такие параметры электронного пучка, как распределение удельной поверхностной мощности, энергия электронов, а также продолжительность воздействия пучка, влияют на результат обработки именно в той мере, в какой они определяют плотность поглощаемой энергии.
     Целевые эффекты обработки большей частью обусловливаются химической электронно-лучевой  полимеризацией и образованием сетчатых молекул, а также расщеплением молекул  соответствующих органических соединений. При полимеризации молекулы одинакового вида соединяются в молекулярные цепи. Образование сетчатых молекул происходит путем установления химических связей между соседними молекулярными цепями, и в предельном случае образуется гигантская молекула, занимающая весь объем, подвергнутый электронно-лучевой обработке. В противоположность этому при расщеплении сложная молекула расщепляется на одинаковые по структуре части или на атомы, или же от молекулярного соединения отщепляются определенные химические группы. В общем случае все три указанные химические реакции протекают совместно, но с различными скоростями. У исходного мономера или предполимера при воздействии на него электронного пучка протекает в основном полимеризация. С возрастанием степени полимеризации увеличивается и вероятность образования сетчатых молекул, а затем преобладающим становится расщепление молекул.
     Полимеризация и образование сетчатых молекул  ведут к увеличению средней молекулярной массы соединения, а расщепление молекул — к его уменьшению. Молекулярная же масса, со своей стороны, определяет поведение соединения в соответствующем растворителе. Уменьшение молекулярной массы приводит к возрастанию скорости растворения, и наоборот. Если род материала и сообщаемая ему энергия выбраны такими, что в веществе преобладают либо полимеризация и образование сетчатых молекул, либо расщепление молекул, то обработанные участки отличаются от необработанных своей скоростью растворения.
и т.д.................


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть полный текст работы бесплатно


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.