На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


реферат Флэш-память

Информация:

Тип работы: реферат. Добавлен: 14.10.2012. Сдан: 2010. Страниц: 9. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


    Содержание
    Введение 
    Что такое flash- память?
    Организация flash-памяти
    Архитектура флэш-памяти
    Карты памяти (флэш-карты)
    Вывод
    Литература 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

    1.Введение 

    Технология  флэш-памяти появилась около 20-ти лет  назад. В конце 80-х годов прошлого столетия флэш-память начали использовать в качестве альтернативы UV-EPROM. С  этого момента интерес к флэш-памяти с каждым годом неуклонно возрастает. Внимание, которое уделяется флэш-памяти, вполне объяснимо – ведь это самый  быстрорастущий сегмент полупроводникового рынка. 
Ежегодно рынок флэш-памяти растет более чем на 15%, что превышает суммарный рост всей остальной полупроводниковой индустрии.

    Сегодня флэш-память можно найти в самых  разных цифровых устройствах. Её используют в качестве носителя микропрограмм  для микроконтроллеров HDD и CD- 
ROM, для хранения BIOS в ПК. Флэш-память используют в принтерах, КПК, видеоплатах, роутерах, брандмауэрах, сотовых телефонах, электронных часах, записных книжках, телевизорах, кондиционерах, микроволновых печах и стиральных машинах... список можно продолжать бесконечно. А в последние годы флэш становится основным типом сменной памяти, используемой в цифровых мультимедийных устройствах, таких как mp3-плееры и игровые приставки. А все это стало возможным благодаря созданию компактных и мощных процессоров. 
Однако при покупке какого-либо устройства, помещающегося в кармане, не стоит ориентироваться лишь на процессорную мощность, поскольку в списке приоритетов она стоит далеко не на первом месте.

    Начало  этому было положено в 1997 году, когда  флэш-карты впервые стали использовать в цифровых фотокамерах.
    При выборе портативных устройств самое  важное, на мой взгляд - время автономной работы при разумных массе и размерах элемента питания. Во многом это от памяти, которая определяет объем  сохраненного материала, и, продолжительность  работы без подзарядки аккумуляторов. Возможность хранения информации в  карманных устройствах ограничивается скромными энергоресурсами 
Память, обычно используемая в ОЗУ компьютеров, требует постоянной подачи напряжения. Дисковые накопители могут сохранять информацию и без непрерывной подачи электричества, зато при записи и считывании данных тратят его за троих. Хорошим выходом оказалась флэш-память, не разряжающаяся самопроизвольно. Носители на ее основе называются твердотельными, поскольку не имеют движущихся частей. К сожалению, флэш- память - дорогое удовольствие: средняя стоимость ее мегабайта составляет 2 доллара, что в восемь раз выше, чем у SDRAM, не говоря уж о жестких дисках. 
А вот отсутствие движущихся частей повышает надежность флэш-памяти: стандартные рабочие перегрузки равняются 15 g, а кратковременные могут достигать 2000 g, т. е. теоретически карта должна превосходно работать при максимально возможных космических перегрузках, и выдержать падения с трёхметровой высоты. Причем в таких условиях гарантируется функционирование карты до 100 лет. 
Многие производители вычислительной техники видят память будущего исключительно твердотелой. Следствием этого стало практически одновременное появление на рынке комплектующих нескольких стандартов флэш-памяти. 
 

    2.Что  такое flash-память? 

    Флэш-память - особый вид энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти.
    . Энергонезависимая - не требующая  дополнительной энергии для хранения  данных (энергия требуется только  для записи).
    . Перезаписываемая - допускающая изменение  (перезапись) хранимых в ней данных.
    . Полупроводниковая (твердотельная) - не содержащая механически движущихся  частей (как обычные жёсткие диски  или CD), построенная на основе  интегральных микросхем (IC-Chip).
    В отличие от многих других типов полупроводниковой  памяти, ячейка флэш- памяти не содержит конденсаторов – типичная ячейка флэш-памяти состоит всего-навсего  из одного транзистора особой архитектуры. Ячейка флэш-памяти прекрасно масштабируется, что достигается не только благодаря  успехам в миниатюризации размеров транзисторов, но и благодаря конструктивным находкам, позволяющим в одной  ячейке флэш-памяти хранить несколько  бит информации. Флэш-память исторически  происходит от ROM (Read Only Memory) памяти, и  функционирует подобно RAM (Random Access Memory). Данные флэш хранит в ячейках памяти, похожих на ячейки в DRAM. В отличие  от DRAM, при отключении питания данные из флэш-памяти не пропадают. Замены памяти SRAM и 
DRAM флэш-памятью не происходит из-за двух особенностей флэш-памяти: флэш работает существенно медленнее и имеет ограничение по количеству циклов перезаписи (от 10.000 до 1.000.000 для разных типов). 
Надёжность/долговечность: информация, записанная на флэш-память, может храниться очень длительное время (от 20 до 100 лет), и способна выдерживать значительные механические нагрузки (в 5-10 раз превышающие предельно допустимые для обычных жёстких дисков). Основное преимущество флэш-памяти перед жёсткими дисками и носителями CD-ROM состоит в том, что флэш-память потребляет значительно (примерно в 10-20 и более раз) меньше энергии во время работы. В устройствах CD-ROM, жёстких дисках, кассетах и других механических носителях информации, большая часть энергии уходит на приведение в движение механики этих устройств. Кроме того, флэш-память компактнее большинства других механических носителей. Флэш-память исторически произошла от полупроводникового ROM, однако ROM-памятью не является, а всего лишь имеет похожую на ROM организацию. Множество источников (как отечественных, так и зарубежных) зачастую ошибочно относят флэш-память к ROM. Флэш никак не может быть ROM хотя бы потому, что ROM 
(Read Only Memory) переводится как "память только для чтения". Ни о какой возможности перезаписи в ROM речи быть не может! Небольшая, по началу, неточность не обращала на себя внимания, однако с развитием технологий, когда флэш-память стала выдерживать до 1 миллиона циклов перезаписи, и стала использоваться как накопитель общего назначения, этот недочет в классификации начал бросаться в глаза. Среди полупроводниковой памяти только два типа относятся к "чистому" ROM - это Mask-ROM и PROM. В отличие от них EPROM, EEPROM и Flash относятся к классу энергонезависимой перезаписываемой памяти (английский эквивалент - nonvolatile read-write memory или NVRWM). 
ROM:

    . ROM (Read Only Memory) - память только для  чтения. Русский эквивалент
    - ПЗУ (Постоянно Запоминающее Устройство). Если быть совсем точным, данный  вид памяти называется Mask-ROM (Масочные  ПЗУ). Память устроена в виде  адресуемого массива ячеек (матрицы), каждая ячейка которого может  кодировать единицу информации. Данные на ROM записывались во время  производства путём нанесения  по маске (отсюда и название) алюминиевых соединительных дорожек  литографическим способом. Наличие  или отсутствие в соответствующем  месте такой дорожки кодировало "0" или "1". Mask-ROM отличается  сложностью модификации содержимого
    (только  путем изготовления новых микросхем), а также длительностью производственного  цикла (4-8 недель). Поэтому, а также  в связи с тем, что современное  программное обеспечение зачастую  имеет много недоработок и  часто требует обновления, данный  тип памяти не получил широкого  распространения.
    Преимущества:
    1. Низкая стоимость готовой запрограммированной  микросхемы (при больших объёмах  производства).
    2. Высокая скорость доступа к  ячейке памяти.
    3. Высокая надёжность готовой микросхемы  и устойчивость к электромагнитным  полям.
    Недостатки:
    1. Невозможность записывать и модифицировать  данные после изготовления.
    2. Сложный производственный цикл.
    . PROM - (Programmable ROM), или однократно Программируемые  ПЗУ. В качестве ячеек памяти  в данном типе памяти использовались  плавкие перемычки. В отличие  от Mask-ROM, в PROM появилась возможность  кодировать ("пережигать") ячейки  при наличии специального устройства  для записи (программатора). Программирование  ячейки в PROM осуществляется разрушением  ("прожигом") плавкой перемычки  путём подачи тока высокого  напряжения. Возможность самостоятельной  записи информации в них сделало  их пригодными для штучного  и мелкосерийного производства. PROM практически полностью вышел  из употребления в конце
    80-х  годов.
    Преимущества:
    1. Высокая надёжность готовой микросхемы  и устойчивость к электромагнитным  полям.
    2. Возможность программировать готовую  микросхему, что удобно для штучного  и мелкосерийного производства.
    3. Высокая скорость доступа к  ячейке памяти.
    Недостатки:
    1. Невозможность перезаписи
    2. Большой процент брака
    3. Необходимость специальной длительной  термической тренировки, без которой  надежность хранения данных была  невысокой 
NVRWM:

    . EPROM
    Различные источники по-разному расшифровывают аббревиатуру EPROM - как
    Erasable Programmable ROM или как Electrically Programmable ROM
    (стираемые  программируемые ПЗУ или электрически  программируемые ПЗУ).
    В EPROM перед записью необходимо произвести стирание (соответственно появилась  возможность перезаписывать содержимое памяти). Стирание ячеек EPROM выполняется  сразу для всей микросхемы посредством  облучения чипа ультрафиолетовыми  или рентгеновскими лучами в течение  нескольких минут. Микросхемы, стирание которых производится путем засвечивания ультрафиолетом, были разработаны Intel в 1971 году, и носят название UV-EPROM (приставка UV (Ultraviolet) - ультрафиолет).
    Они содержат окошки из кварцевого стекла, которые по окончании процесса стирания заклеивают.
    Достоинство: Возможность перезаписывать содержимое микросхемы
    Недостатки:
    1. Небольшое количество циклов  перезаписи.
    2. Невозможность модификации части  хранимых данных.
    3. Высокая вероятность "недотереть" (что в конечном итоге приведет  к сбоям) или передержать микросхему  под УФ-светом (т.н. overerase - эффект  избыточного удаления, "пережигание"), что может уменьшить срок службы  микросхемы и даже привести  к её полной негодности.
    . EEPROM (EEPROM или Electronically EPROM) - электрически  стираемые ППЗУ были разработаны  в 1979 году в той же Intel. В 1983 году вышел первый
    16Кбит  образец, изготовленный на основе FLOTOX-транзисторов (Floating
    Gate Tunnel-OXide - "плавающий" затвор  с туннелированием в окисле).
    Главной отличительной особенностью EEPROM (в  т.ч. Flash) от ранее рассмотренных нами типов энергонезависимой памяти является возможность перепрограммирования при подключении к стандартной  системной шине микропроцессорного устройства. В EEPROM появилась возможность  производить стирание отдельной  ячейки при помощи электрического тока.
    Для EEPROM стирание каждой ячейки выполняется  автоматически при записи в нее  новой информации, т.е. можно изменить данные в любой ячейке, не затрагивая остальные. Процедура стирания обычно существенно длительнее процедуры  записи.
    Преимущества EEPROM по сравнению с EPROM:
    1. Увеличенный ресурс работы.
    2. Проще в обращении.
    Недостаток: Высокая стоимость
    . Flash (полное историческое название Flash Erase EEPROM):
    Изобретение флэш-памяти зачастую незаслуженно приписывают Intel, называя при этом 1988 год. На самом  деле память впервые была разработана  компанией Toshiba в 1984 году, и уже на следующий год было начато производство 256Кбит микросхем flash-памяти в промышленных масштабах. В 1988 году Intel разработала  собственный вариант флэш- памяти.
    Во  флэш-памяти используется несколько  отличный от EEPROM тип ячейки- транзистора. Технологически флэш-память родственна как EPROM, так и
    EEPROM. Основное отличие флэш-памяти  от EEPROM заключается в том, что  стирание содержимого ячеек выполняется  либо для всей микросхемы, либо  для определённого блока (кластера, кадра или страницы). Обычный размер  такого блока составляет 256 или  512 байт, однако в некоторых видах  флэш-памяти объём блока может  достигать 256КБ. Следует заметить, что существуют микросхемы, позволяющие  работать с блоками разных  размеров
    (для  оптимизации быстродействия). Стирать  можно как блок, так и содержимое  всей микросхемы сразу. Таким  образом, в общем случае, для  того, чтобы изменить один байт, сначала в буфер считывается  весь блок, где содержится подлежащий  изменению байт, стирается содержимое  блока, изменяется значение байта  в буфере, после чего производится  запись измененного в буфере  блока. Такая схема существенно  снижает скорость записи небольших  объёмов данных в произвольные  области памяти, однако значительно  увеличивает быстродействие при  последовательной записи данных  большими порциями.
    Преимущества  флэш-памяти по сравнению с EEPROM:
    1. Более высокая скорость записи  при последовательном доступе  за счёт того, что стирание  информации во флэш производится  блоками.
    2. Себестоимость производства флэш-памяти  ниже за счёт более простой  организации.
    Недостаток: Медленная запись в произвольные участки памяти. 
 

    3.Организация  flash-памяти
    Ячейки  флэш-памяти бывают как на одном, так  и на двух транзисторах. 
В простейшем случае каждая ячейка хранит один бит информации и состоит из одного полевого транзистора со специальной электрически изолированной областью ("плавающим" затвором - floating gate), способной хранить заряд многие годы. Наличие или отсутствие заряда кодирует один бит информации. 
При записи заряд помещается на плавающий затвор одним из двух способов 
(зависит от типа ячейки): методом инжекции "горячих" электронов или методом туннелирования электронов. Стирание содержимого ячейки (снятие заряда с 
"плавающего" затвора) производится методом тунеллирования. 
Как правило, наличие заряда на транзисторе понимается как логический "0", а его отсутствие - как логическая "1". Современная флэш-память обычно изготавливается по 0,13- и 0,18-микронному техпроцессу. 
Общий принцип работы ячейки флэш-памяти. 
Рассмотрим простейшую ячейку флэш-памяти на одном n-p-n транзисторе. Ячейки подобного типа чаще всего применялись во flash-памяти с NOR архитектурой, а также в микросхемах EPROM. Поведение транзистора зависит от количества электронов на "плавающем" затворе. "Плавающий" затвор играет ту же роль, что и конденсатор в DRAM, т. е. хранит запрограммированное значение. 
Помещение заряда на "плавающий" затвор в такой ячейке производится методом инжекции "горячих" электронов (CHE - channel hot electrons), а снятие заряда осуществляется методом квантомеханического туннелирования Фаулера-Нордхейма (Fowler-Nordheim [FN]). [pic] При чтении, в отсутствие заряда на   "плавающем" затворе, под   воздействием положительного поля на   управляющем затворе, образуется   n-канал в подложке между истоком и   стоком, и возникает ток.   [pic] Наличие заряда на "плавающем"   затворе меняет вольт-амперные   характеристики транзистора таким   образом, что при обычном для чтения   напряжении канал не появляется, и   тока между истоком и стоком не   возникает.   [pic] При программировании на сток и   управляющий затвор подаётся высокое   напряжение (причём на управляющий   затвор напряжение подаётся   приблизительно в два раза выше).   "Горячие" электроны из канала   инжектируются на плавающий затвор и   изменяют вольт-амперные   характеристики транзистора. Такие   электроны называют "горячими" за то,  что обладают высокой энергией,   достаточной для преодоления   потенциального барьера, создаваемого  тонкой плёнкой диэлектрика.   [pic] При стирании высокое напряжение   подаётся на исток. На управляющий   затвор (опционально) подаётся   высокое отрицательное напряжение.   Электроны туннелируют на исток.

    Эффект  туннелирования - один из эффектов, использующих волновые свойства электрона. Сам эффект заключается в преодолении электроном потенциального барьера малой "толщины". Для наглядности представим себе структуру, состоящую из двух проводящих областей, разделенных тонким слоем  диэлектрика (обеднённая область). Преодолеть этот слой обычным способом электрон не может - не хватает энергии. Но при  создании определённых условий (соответствующее  напряжение и т.п.) электрон проскакивает слой диэлектрика (туннелирует сквозь него), создавая ток.
    Важно отметить, что при туннелировании электрон оказывается "по другую сторону", не проходя через диэлектрик. Такая  вот "телепортация".
    Различия  методов тунеллирования Фаулера-Нордхейма (FN) и метода инжекции "горячих" электронов:
    Channel FN tunneling - не требует большого напряжения. Ячейки, использующие FN, могут быть  меньше ячеек, использующих CHE.
    CHE injection (CHEI) - требует более высокого  напряжения, по сравнению с FN. Таким образом, для работы памяти  требуется поддержка двойного  питания.
    Программирование  методом CHE осуществляется быстрее, чем  методом FN.
    Следует заметить, что, кроме FN и CHE, существуют другие методы программирования и стирания ячейки, которые успешно используются на практике, однако два описанных  нами применяются чаще всего.
    Процедуры стирания и записи сильно изнашивают ячейку флэш-памяти, поэтому в новейших микросхемах некоторых производителей применяются специальные алгоритмы, оптимизирующие процесс стирания-записи, а также алгоритмы, обеспечивающие равномерное использование всех ячеек в процессе функционирования.
    Некоторые виды ячеек флэш-памяти на основе МОП-транзисторов с 
"плавающим" затвором:

    Stacked Gate Cell - ячейка с многослойным  затвором. Метод стирания - 
Source-Poly FN Tunneling, метод записи - Drain-Side CHE Injection.

    SST Cell, или SuperFlash Split-Gate Cell (Silicon Storage Technology - компания-разработчик технологии) - ячейка с расщеплённым затвором. Метод стирания - Interpoly FN Tunneling, метод  записи - Source-Side CHE 
Injection.

    Two Transistor Thin Oxide Cell - двухтранзисторная  ячейка с тонким слоем окисла. Метод стирания - Drain-Poly FN Tunneling, метод  записи - 
Drain FN Tunneling.

    Другие  виды ячеек:
    Кроме наиболее часто встречающихся ячеек  с "плавающим" затвором, существуют также ячейки на основе SONOS-транзисторов, которые не содержат плавающего затвора. SONOS-транзистор напоминает обычный  МНОП (MNOS) транзистор. В SONOS-ячейках функцию "плавающего" затвора и окружающего  его изолятора выполняет композитный  диэлектрик ONO. Расшифровывается SONOS 
(Semiconductor Oxide Nitride Oxide Semiconductor) как Полупроводник- 
Диэлектрик-Нитрид-Диэлектрик-Полупроводник. Вместо давшего название этому типу ячейки нитрида в будущем планируется использовать поликристаллический кремний. Многоуровневые ячейки (MLC - Multi Level Cell). 
В последнее время многие компании начали выпуск микросхем флэш-памяти, в которых одна ячейка хранит два бита. Технология хранения двух и более бит в одной ячейке получила название MLC (multilevel cell - многоуровневая ячейка). Достоверно известно об успешных тестах прототипов, хранящих 4 бита в одной ячейке. В настоящее время многие компании находятся в поисках предельного числа бит, которое способна хранить многоуровневая ячейка. 
В технологии MLC используется аналоговая природа ячейки памяти. Как известно, обычная однобитная ячейка памяти может принимать два состояния - 
"0" или "1". Во флэш-памяти эти два состояния различаются по величине заряда, помещённого на "плавающий" затвор транзистора. В отличие от 
"обычной" флэш-памяти, MLC способна различать более двух величин зарядов, помещённых на "плавающий" затвор, и, соответственно, большее число состояний. При этом каждому состоянию в соответствие ставится определенная комбинация значений бит. 
Во время записи на "плавающий" затвор помещается количество заряда, соответствующее необходимому состоянию. От величины заряда на "плавающем" затворе зависит пороговое напряжение транзистора. Пороговое напряжение транзистора можно измерить при чтении и определить по нему записанное состояние, а значит и записанную последовательность бит. 
Основные преимущества MLC микросхем:

    . Более низкое соотношение $/МБ
    . При равном размере микросхем  и одинаковом техпроцессе "обычной"  и MLC- памяти, последняя способна  хранить больше информации (размер  ячейки тот же, а количество  хранимых в ней бит - больше)
    . На основе MLC создаются микросхемы  большего, чем на основе однобитных  ячеек, объёма 
Основные недостатки MLC:

    . Снижение надёжности, по сравнению  с однобитными ячейками, и, соответственно, необходимость встраивать более  сложный механизм коррекции ошибок (чем больше бит на ячейку - тем сложнее механизм коррекции  ошибок)
    . Быстродействие микросхем на  основе MLC зачастую ниже, чем у  микросхем на основе однобитных  ячеек
    . Хотя размер MLC-ячейки такой же, как и у однобитной, дополнительно  тратится место на специфические  схемы чтения/записи многоуровневых  ячеек 
Технология многоуровневых ячеек от Intel (для NOR-памяти) носит название 
StrtaFlash, аналогичная от AMD (для NAND) – MirrorBit

     

    4. Архитектура флэш-памяти.
    Существует  несколько типов архитектур (организаций  соединений между ячейками) флэш-памяти. Наиболее распространёнными в настоящее  время являются микросхемы с организацией NOR и NAND. NOR (NOT OR, ИЛИ-НЕ)   [pic] Ячейки работают сходным с  EPROM способом. Интерфейс  параллельный.   Произвольное чтение и   запись.   Преимущества: быстрый   произвольный доступ,   возможность побайтной   записи.   Недостатки: относительно   медленная запись и   стирание.   Из перечисленных здесь   типов имеет наибольший   размер ячейки, а потому   плохо масштабируется.   Единственный тип памяти,   работающий на двух разных  напряжениях.   Идеально подходит для   хранения кода программ   (PC BIOS, сотовые   телефоны), идеальная   замена обычному EEPROM.   Основные производители:   AMD, Intel, Sharp,   Micron, Ti, Toshiba,   Fujitsu, Mitsubishi,   SGS-Thomson,   STMicroelectronics, SST,   Samsung, Winbond,   Macronix, NEC, UMC.   Программирование: методом  инжекции "горячих"   электронов   Стирание:   туннеллированием FN   NAND (NOT AND, И-НЕ)   [pic] Доступ произвольный, но   небольшими блоками   (наподобие кластеров   жёсткого диска).   Последовательный   интерфейс. Не так хорошо,  как AND память подходит   для задач, требующих   произвольного доступа.   Преимущества: быстрая   запись и стирание,   небольшой размер блока.   Недостатки: относительно   медленный произвольный   доступ, невозможность   побайтной записи.   Наиболее подходящий тип   памяти для приложений,   ориентированных на   блочный обмен: MP3   плееров, цифровых камер и  в качестве заменителя   жёстких дисков.   Основные производители:   Toshiba, AMD/Fujitsu,   Samsung, National   Программирование:   туннеллированием FN   Стирание:   туннеллированием FN   AND (И)   [pic] Доступ к ячейкам памяти   последовательный,   архитектурно напоминает   NOR и NAND, комбинирует   их лучшие свойства.   Небольшой размер блока,   возможно быстрое   мультиблочное стирание.   Подходит для потребностей  массового рынка.   Основные производители:   Hitachi и Mitsubishi   Electric.   Программирование:   туннеллированием FN   Стирание:   туннеллированием FN   DiNOR (Divided bit-line NOR, ИЛИ-НЕ с разделёнными разрядными линиями)  
[pic] Тип памяти, комбинирующий  свойства NOR и NAND.   Доступ к ячейкам   произвольный. Использует   особый метод стирания данных, предохраняющий   ячейки от пережигания   (что способствует большей  долговечности памяти).   Размер блока в DiNOR   всего лишь 256 байт.   Основные производители:   Mitsubishi Electric,   Hitachi, Motorola.   Программирование:   туннеллированием FN   Стирание:   туннеллированием FN   Примечания: В настоящее время чаще всего используются память с   архитектурой NOR и NAND. Hitachi выпускает многоуровневую AND-память с   NAND-итерфейсом (SuperAnd или AG-AND [Assist Gate-AND])

     
Доступ к флэш-памяти

    Существует  три основных типа доступа:
    . обычный (Conventional): произвольный асинхронный  доступ к ячейкам памяти.
    . пакетный (Burst): синхронный, данные читаются  параллельно, блоками по
    16 или 32 слова. Считанные данные  передаются последовательно, передача  синхронизируется. Преимущество перед  обычным типом доступа - быстрое  последовательное чтение данных. Недостаток - медленный произвольный  доступ.
    . страничный (Page): асинхронный, блоками  по 4 или 8 слов. Преимущества: очень  быстрый произвольный доступ  в пределах текущей страницы.
    Недостаток: относительно медленное переключение между страницами.
    Примечание: В последнее время появились  микросхемы флэш-памяти, позволяющие  одновременную запись и стирание (RWW - Read While Write или Simultaneous 
R/W) в разные банки памяти.
 

    5. Карты памяти (флэш-карты) 

    Наиболее  распространенные типы карт памяти: CompactFlash (CF) (I,II), 
MultiMedia Card, SD Card, Memory Stick, SmartMedia, xD-Picture Card, PC- 
Card (PCMCIA или ATA-Flash). Существуют и другие портативные форм-факторы флэш-памяти, однако встречаются они намного реже перечисленных здесь. 
Флэш-карты бывают двух типов: с параллельным (parallel) и с последовательным (serial) интерфейсом. 
Параллельный:

    . PC-Card (PCMCIA или ATA-Flash)
    . CompactFlash (CF)
    . SmartMedia (SSFDC) 
Последовательный:

    . MultiMedia Card (MMC)
    . SD-Card (Secure Digital - Card)
    . Sony Memory Stick
    PC-Card (PCMCIA) или ATA Flash
    Интерфейс: параллельный
    Самым старым и самым большим по размеру  следует признать PC Card (ранее этот тип карт назывался PCMCIA [Personal Computer Memory Card International 
Association]). Карта снабжена ATA контроллером. Благодаря этому обеспечивается эмуляция обычного жесткого диска. В настоящее время флэш- память этого типа используется редко. PC Card бывает объемом до 2GB. 
Существует три типа PC Card ATA (I, II и III). Все они отличаются толщиной 
(3,3 5,0 и 10,5 мм соответственно). Все три типа обратно совместимы между собой (в более толстом разъеме всегда можно использовать более тонкую карту, поскольку толщина разъема у всех типов одинакова – 3,3 мм). Питание карт - 3,3В и 5В. ATA-flash как правило относится к форм фактору PCMCIA 

    PC-Card Flash бывают двух типов: PCMCIA Linear Flash Card и ATA Flash Card 
(Flash Disk). Linear встречается намного реже ATA flash и не совместим с последним. Отличие между ними состоит в том, что ATA Flash содержит в себе схему, позволяющую эмулировать обычный HDD, автоматически помечать испорченные блоки, и производить автоматическое стирание блоков.

    Compact Flash (CF)
    Интерфейс: параллельный, 50-ти контактный, соответствует  стандарту PCMCIA 
ATA. Стандарт разработан компанией SanDisk в 1994 году. Разработчики формата Compact Flash поставили цель: сохранить все преимущества карт ATA 
Flash, преодолев их основной недостаток - большие размеры. Конструкция карт 
CompactFlash обеспечивает эмуляцию жёсткого диска с АТА интерфейсом. 
Разъёмы Compact Flash расположены на торце карты, электрически и функционально повторяя назначение контактов PCMCIA. Таким образом, чтобы установить CompactFlash в слот PCMCIA достаточно простейшего адаптера CF- 
PCMCIA, повторяющего своими размерами обычную PC-Card. Карты бывают двух типов: I и II (первого и второго типа). Карты типа II толще карт типа I на 
2 мм, других существенных отличий между этими картами нет. CF I можно использовать в устройствах, снабженных разъемами CF II и CF I. CF II можно использовать только в устройствах с разъемами CF II (т.е. CF II типа обратно совместим с CF I типа). Compact Flash II типа были разработаны тогда, когда возникла необходимость в картах большого объема. Сейчас необходимости в картах CF II отпала, так как CF I догнали по объему карты 
CF II, так что карты второго типа постепенно теряют популярность. Карты 
Compact Flash поддерживают два напряжения: 3.3В и 5В. В отличие от карт 
SmartMedia, которые существуют в двух версиях (трёх- и пяти- вольтовой), любая карта CF способна работать
и т.д.................


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть полный текст работы бесплатно


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.