Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение оригинальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.

Работа № 112239


Наименование:


Аттестационная работа Влияние температуры на проводимость полупроводников

Информация:

Тип работы: Аттестационная работа. Добавлен: 13.04.18. Год: 2017. Страниц: 30. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Содержание

Введение 3
1. Механизм проводимости полупроводников с точки зрения зонной теории 4
2. Фотопроводимость полупроводников 9
3. Основные характеристики фоторезистора 11
4. Внутренний фотоэффект 17
Список использованной литературы 30


?
Введение

Невозможно представить современный мир без полупроводниковых материалов. Приборы на их основе окружают нас повсюду. Между тем, современная электроника предъявляет все более высокие требования к качеству получаемых полупроводниковых структур. Для обеспечения этого качества при производстве приборов микроэлектроники используют различные методы контроля параметров получаемых структур. При этом предпочтение отдается неразрушающим методам, позволяющим контролировать качество материалов, сохраняя их структуру.
Современная электроника использует так же принципиально новые материалы с квантовыми точками и квантовыми ямами. Свойства таких материалов основываются на квантово-размерных эффектах.
Актуальность данной темы обусловлена тем, что одними из важных параметров полупроводников, а также квантово-размерных структур являются их энергетические параметры: ширина запрещенной зоны, глубина залегания примесных уровней, энергетические спектры квантовых ям и точек. Структуры, изготавливаемые для различных приборов, имеют разные параметры и области использования и требуют различных методов исследования и контроля. Энергетическая структура полупроводников может быть исследована электрическими (температурная зависимость электропроводности) или оптическими методами (спектры поглощения, фоточувствительности, люминесценции). Каждый из этих методов имеет свои достоинства и недостатки и может быть применен в зависимости от условий и целей контроля на разных этапах изготовления и обработки полупроводниковых структур.
Целью данной работы является рассмотрение метода изучения энергетического спектра полупроводника с помощью фотоэффекта.


1. Механизм проводимости полупроводников с точки зрения зонной теории

Полупроводники - это вещества, имеющие при комнатной температуре удельную электрическую проводимость в интервале от 10-8 до 106 Ом-1 • м-1, которая в сильной степени зависит от вида и количества примеси и структуры вещества, а также от внешних условий: температуры, освещения, внешних электрических и магнитных полей, облучения.
Энергетический спектр полупроводников состоит из разрешенных и запрещенных энергетических зон, которые сформированы из дискретных уровней атомов, образующих кристалл. Самая высокая энергетическая зона называется зоной проводимости. Ниже зоны проводимости расположена валентная зона, а между ними лежит запрещенная зона энергий.
Электропроводность твердых тел в современной физике объясняется на основе зонной теории. Известно, что электроны в атоме имеют дискретные энергетические уровни. Согласно зонной теории твердого тела (более детальное объяснение см. в теории к лабораторной работе №3.11), когда атомы соединяются, чтобы сформировать кристалл, эти разрешенные энергетические состояния расщепляются в близко расположенные уровни. В случае объединения большого числа атомов эти энергетические уровни образуют достаточно непрерывные зоны разрешенной энергии, которую может иметь электрон. Именно эти энергетические зоны определяют электрические свойства твердого тела.
Диаграмма энергетических уровней атома показана на рис. 1.

Рис. 1. Энергетические уровни отдельного атома.

Например, такая система уровней характерна для единственного изолированного атома натрия. В том случае, когда два одинаковых атома соединяются, появляется раздвоение энергетических уровней (рис. 2). Число энергетических уровней в каждом атоме не изменяется, но уровни в каждом атоме слегка изменяются.
Величина расщепления энергетических уровней в атомах зависит от того, как близко атомы расположены друг от друга, когда они формируют твердое тело. По мере того, как атомы сближаются, расщепление увеличивается.

Рис. 2. Диаграмма энергетических уровней двух одинаковых атомов, находящихся близко друг от друга....
?
Список использованной литературы

1. Савельев, И. В. Курс общей физики. В 3 т. Т. 3 / И. В. Савельев - М. : Наука, 1987.
2. Савельев, И. В. Курс общей физики. В 5 т. Т.5 / И. В. Савельев - М. : Физматлит, 1998.
3. Киреев, П. С. Физика полупроводников / П. С. Киреев - М. : Высшая школа, 1975.
4. Игумнов, В. Н. Физические основы микроэлектроники : уч. пособие - изд. 2-е, исправленное / В. Н. Игумнов. - Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2010. - 272 с.
5. Бьюб, Р. Фотопроводимость твердых тел / Р. Бьюб. - М.: Иностранная литература, 1962. - 558



Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru


Смотреть похожие работы

* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.