Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Реферат Проекционная литография. Перенос изображения с фотошаблона на полупроводниковую подложку с помощью оптических систем. Основная задача проекционной фотолитографии - обеспечение автоматического совмещения. Сравнение проекционной литографии с контактной.
Информация:
Тип работы: Реферат.
Предмет: Схемотехника.
Добавлен: 10.01.2009.
Год: 2009.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
кафедра ЭТТ
РЕФЕРАТ на тему:
«Проекционная ФЛГ. Плазмохимическое осаждение»
МИНСК, 2008 При проекционной литографии изображение с фотошаблона переносится (проецируется) на полупроводниковую подложку с помощью оптических систем -- проекционных объективов. Разрешающая способ-ность проекционной фотолитографии 0,6 -- 0,8 мкм.
Рисунок 1. Схема установки проекционной фотолитогра-фии без изменения масштаба переноса изображения: 1, 15 - метки координат х, у и углового разворота на подложке, 2 - проекционный объектив, 3 - фотошаб-лон, 4, 12 - метки углового разворота и координат х, уна фотошаблоне, 5, 11 - приводы углового раз-ворота и перемещения фотошаблона, 6, 10 - фотоэлек-трические микроскопы углового разворота и коорди-нат х, у фотошаблона, 7 - блок программного управ-ления, 8 - источник освещения для экспонирования, 9 -- высокоскоростной затвор, 13 - полупроводниковая подложка, 14 - предметный столик
Метод проекционной фотолитографии имеет несколько вариантов, которые отличаются масштабами переноса изображе-ния и способами заполнения рабочего поля подложки.
Так, при масштабе 1 : 1 изображение с фотошаблона пере-носится с помощью проекционной системы на подложку без изменения размеров элементов (Рисунок 1). Экспонирование мо-жет осуществляться сразу всего рабочего поля подложки или последовательным его сканированием.
При проекционной фотолитографии с уменьшением мас-штаба (обычно 10 : 1 или 5 : 1) единичное изображение перено-сится с фотошаблона на рабочее поле подложки последователь-ной мультипликацией.
При проекционной фотолитографии, как и при контакт-ной, необходимо точно совмещать фотошаблон с подложкой, для чего служат специальные фигуры --метки совмещения.
В проекционных системах операция совмещения, как пра-вило, выполняется автоматически с помощью фотоэлектричес-кого микроскопа, который регистрирует сигнал, поступающий от метки совмещения на подложке, и сравнивает его с сигналом, поступающим от такой же метки на фотошаблоне. Для сов-мещения меток координатная система перемещает подложку и фотошаблон, а также поворачивает фотошаблон относитель-но оси проекции.
При совмещении меток сигналы равны, а при их смещении возникает разностный сигнал, который поступает в исполнитель-ный механизм системы совмещения, обеспечивающий взаимные перемещения фотошаблона и подложки.
Для совмещения элементов изображений на подложку наносят две группы меток совмещения (Рисунок 2), одна из которых х и у1определяет взаимное положение фотошаблона и подложки по координатам, а вторая угслужит для коррекции угловой ошибки разворота </> фотошаблона относительно коор-динатных осей подложки. Из Рисунок 7.4.2 видно, что метки на под-ложке как бы рассматриваются фотоэлектрическим микроско-пом через соответствующие окна в фотошаблоне. Положению точного совмещения соответствует симметричное располо-жение всех меток на подложке относительно окон на фотошаб-лоне.
Рисунок 2. Метки автоматического совмеще-ния: 4, 6 -- метки х, у1и угна подложке 1,3, 5 -- считывающие окна
Процесс совмещения начинается с "захвата" меток систе-мой наблюдения фотоэлектрического микроскопа, при котором их изображение на подложке попадает в окна фотошаблона и возникает разностный сигнал в каналах совмещения. При этом система совмещения предварительно совмещает фотошаблон и подложку по координатам в соответствии с метками, а затем, выполняя угловую коррекцию по метке у2, поворачивает фото-шаблон относительно меток х и у1.
Наиболее совершенным и перспективным вариантом метода проекционной фотолитографии является помодульный перенос изображения на подложки с промежуточных фотошаблонов (Рисунок 3). Совмещение модулей проводится по меткам, пред-варительно нанесенным на подложку, что обеспечивает высо-кую точность (ошибка совмещения не превышает 0,1 -- 0,2 мкм). При помодульном совмещении уменьшается влияние изменения температуры и геометрических искажений подложки на точность передаваемого изображения.
Помодульный перенос изображения наряду с повышением точности передаваемого рисунка элементов обеспечивает сниже-ние плотности дефектов, вносимых в формируемую на слое фоторезиста маску. Это в первую очередь обусловлено тем, что исключается контакт фотошаблона с подложкой. Кроме того, дефекты и загрязнения, значительно меньшие элементов изображения, не переносятся с промежуточного фотошаблона на слой фоторезиста, как это происходит при переносе изоб-ражения с сохранением масштаба. Основной задачей проекционной фотолитографии является обеспечение автоматического совмещения, которое осуществляется нанесением специальных меток совмещения на подложки.
Рисунок 3. Схема установки мультипликации с совмещением: 1, 15 - приводы стола по осям х и у, 2, 14 - лазерные интер-ферометры по осям х и у, 3 - координатный стол, 4, 5 -- по-лупроводниковая подложка и упоры для ее ориентации, 6 -система фокусировки, 7 - проекционный объектив, 8 -столик с промежуточным фотошаблоном, 9 - источник света, 10 - затвор, 11 - актиничное излучение, 12 - устройство совмещения меток промежуточного фотошаблона и подлож-ки, 13 - управляющая ЭВМ
Обычно эти метки имеют форму в виде канавок травле-ния, на которых рассеивается (поглощается) падающий пучок света и создается их оптический контраст по отношению к ок-ружающему полю.
Если исходная полупроводниковая подложка ориентиро-вана в плоскости (100), метки в виде V-образных канавок (Рисунок 4, а)получают селективным травлением кремния в 5 %-ном растворе КОН через маску диоксида кремния. При травлении канавка ограняется плоскостями (111), которые го сравнению с другими кристаллографическими плоскостям обладают очень малой скоростью травления. При другой ориентации полупроводниковой подложки, например (111), мета совмещения заданного профиля (Рисунок 4, б) получают плазме химическим травлением при специальных режимах. Сохранение во всем цикле создания ИМС оптического контраст метки, определяемого в основном ее формой, является важнейшей задачей проекционной фотолитографии.
Рисунок 4. Метки совмещения:
а- V-образная, б - бочкообразная; I, II - области рассеяния и отражения пучка света
После завершения операции совмещения выполняются ав тофокусировка, а также экспонирование, при котором открывается затвор и изображение с промежуточного фотошаблона через проекционный объектив переносится на слой фоторезист; полупроводниковой подложки. Затем координатный стол i полупроводниковой подложкой перемещается в новое положение на шаг по оси х или у и начинается новый цикл.
При работе установки по программе, введенной в блоке управления ЭВМ, осуществляется "опрос" всех меток совмещения на полупроводниковой подложке и впечатывание изображения единичного модуля, т. е. его размножение -- мультигашкация по рабочему полю. Достоинство проекционной литографии по сравнению с контакт ной состоит прежде всего в том, что исключается контакт фотошаблон: и полупроводниковой подложки, приводящий к образованию в них де фектов, кроме того, обеспечивается более низкая плотность дефекте! в формируемой маске фоторезиста.
В современной проекционной фотолитографии используются оптические системы, работающие в условиях дифракционных ограничений. Это означает, что конструкция и технологи* изготовления проекционных объективов настолько совершенны, что их характеристики (разрешающая способность, точность воспроизведения размеров элементов) в основном определяются дифракционными эффекта и т.д.................
