Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Реферат Необходимое условие применения СВЧ-методов. Варианты схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля. Три группы методов радиоволновой дефектоскопии: на прохождение, отражение и на рассеяние. Аппаратура радиоволнового метода.
Информация:
Тип работы: Реферат.
Предмет: Схемотехника.
Добавлен: 03.02.2009.
Год: 2009.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Министерство образования Республики Беларусь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
кафедра РЭС
РЕФЕРАТ
на тему:
«Радиоволновые, радиационные методы контроля РЭСИ. Методы электронной микроскопии»
МИНСК, 2008
Радиоволновый метод
Радиоволновые методы основаны на взаимодействии электромагнитного поля в диапазоне длин волн от 1 до 100 мм с объектом контроля, преобразовании параметров поля в параметры электрического сигнала и передаче на регистри-рующий прибор или средства обработки информации.
По первичному информативному параметру различают следующие СВЧ-методы: амплитудный, фазовый, амплитудно-фазовый, геометрический, времен-ной, спектральный, поляризационный, голографический. Область применения СВЧ-методов радиоволнового вида неразрушающего контроля приведен в таблице 1 и в ГОСТ 23480-79.
Табл. 1 -
Радиоволновые методы неразрушающего контроля
Название метода
Область применения
Факторы, огра-ничивающие область приме-нения
Контролируе-мые параметры
Чувствитель-ность
По-греш-ность
Ампли- тудный
Толщинометрия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов
Сложная кон-фигурация. Из-менение зазора
между антеной преобразователя и поверхностью конт-роля.
Толщина до 100 мм
1 - 3 мм
5%
Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конст-рукций из ди-электрика
Дефекты: тре-щины, рас-слоения, недопрес-совки
Трещины бо-лее 0,1 - 1 мм
Фазовый
Толщинометрия листовых мате-риалов и полу-фабрикатов, слоистых изделий и конструкций из диэлектрика.
Волнистость профиля или поверхности объекта контро-ля при шаге менее 10L. От-стройка от влияния ампли-туды сигнала
Толщина до 0,5 мм
5 - 3 мм
1%
Контроль «элек-трической» (фа-зовой) толщины
Толщина до 0,5 мм
0,1 мм
Ампли-тудно -фазовый
Толщинометрия материалов, по-луфабрикатов, изделий и конст-рукций из ди-электриков, кон-троль изменения толщины.
Неоднознач-ность отсчета при изменении толщины более 0,5А,Е Измене-ние диэлектри-ческих свойств материала объек-тов контроля величиной бо-лее 2%. Толщи-на более 50 мм.
Толщина 0 -
50 мм
0,05 мм
±0,1 мм
Ампли-тудно -фазовый
Дефектоскопия слоистых мате-риалов и изделий из диэлектрика и полупроводника толщиной до 50 мм
Изменение за-зора между ан-тенной преобра-зователя и по-верхностью объ-екта контроля.
Включения порядка 0,05А,Е. Трещины с раскрывом порядка 0,05 мм.Разноплот-ность порядка 0,05 г/см3
Геомет-рический
Толщинометря изделий и конст-рукций из ди-электриков: кон-троль абсолют-ных значений толщины, оста-точной толщины
Сложная кон-фигурация объ-ектов контроля; непараллель-ность поверхно-стей. Толщина более 500 мм
Толщина 0 -500 мм
1,0 мм
3-5
%
Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий: контроль раковин, расслоений, инородных включений в изделиях из диэлектриче-ских материалов
Сложная кон-фигурация объ-ектов контроля
Определение глубины зале-гания дефек-тов в пределах до 500 мм
1,0 мм
1 -3%
Времен-
Толщинометрия конструкций и сред, являющих-ся диэлектрика-ми
Наличие «мерт-вой» зоны. На-носекундная техника. При-
Толщина более 500 мм
5--10 мм
5%
ной
Дефектоскопия сред из диэлек-триков
менение генера-торов мощно-стью более 100 мВт
Определение глубины зале-гания дефек-тов в пределах до 500 мм
5 -- 10 мм
5%
Спек-тральный
Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий из ра-диопрозрачных материалов
Стабильность частоты генера-тора более 10-6 . Наличие источ-ника магнитно-го поля. Слож-ность создания чувствительного тракта в диапа-зоне перестрой-ки частоты бо-лее 10%
Изменения в структуре и физико-химических свойствах ма-териалов объ-ектов контро-ля, включения
Микродефек-ты и микронеоднород-ности значительно меньшие рабо-чей длины волны.
-
1
2
3
4
5
6
Поляри-зацион-ный
Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конст-рукций из ди-электрических материалов.
Сложная кон-фигурация. Толщина более 100 мм.
Дефекты структуры и технологии, вызывающие анизотропию свойств мате-риалов (анизо-тропия, меха-нические и термические напряжения, технологиче-ские наруше-ния упорядо-ченности структуры)
Дефекты пло-щадью более 0,5 - 1,0 см2.
-
Гологра-фичес-кий
Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конст-рукций из ди-электрических и полупроводнико-вых материалов с созданием ви-димого (объемно-го) изображения
Стабильность частоты генера-тора более 10-6. Сложность соз-дания опорного пучка или поля с равномерны-ми амплитудно -фазовыми ха-рактеристика-ми. Сложность и высокая стоимость ап-паратуры.
Включения, расслоения, разнотолщин-ность. Изме-нения формы объектов.
Трещины с раскрывом 0,05 мм
-
Примечание: ? - длина волны в контролируемом объект; L - размер раскрыва ан-тенны в направлении волнистости.
Необходимым условием применения СВЧ-методов является соблюдение сле-дующих требований:
- отношение наименьшего размера (кроме толщины) контролируемого объекта к наибольшему размеру раскрыва антенны преобразователя должно быть не ме-нее единицы;
- наименьший размер минимально выявляемых дефектов должен не менее чем в три раза превышать величину шероховатости поверхности контролируе-мых объектов;
- резонансные частоты спектра отраженного (рассеянного) излучения или напряженности магнитных полей материалов объекта и дефекта должны иметь различие, определяемое выбором конкретных типов регистрирующих устройств.
Варианты схем расположения антенн преобразователя по отношению к объек-ту контроля приведены в таблице 1.
Методы этого вида контроля позволяют определять толщину и обнару-жить внутренние и поверхностные дефекты в изделиях преимущественно из неметаллических материалов. Радиоволновая дефектоскопия дает возмож-ность с высокой точностью и производительностью измерять толщину диэ-лектрических покрытий на металлической подложке. В этом случае ампли-туда зондирующего сигнала представляет собой основной информационный параметр. Амплитуда проходящего через материал излучения уменьшается из-за многих причин, в том числе из-за наличия дефектов. Кроме этого, изменяются длина волны и ее фаза.
Существуют три группы методов радиоволновой дефектоскопии: на прохож-дение, отражение и на рассеяние.
Аппаратура радиоволнового метода обычно содержит генератор, работаю-щий в непрерывном или импульсном режиме, рупорные антенны, предназна-ченные для ввода энергии в изделие и прием прошедший или отраженной вол-ны, усилитель принятых сигналов и устройства для выработки командных сиг-налов, управляющих различного рода механизмами.
При контроле фольгированных диэлектриков производят сканирование поверх-ности проверяемого образца направленным пучком микроволн с длиной волны 2 мм.
В зависимости от информационно используемого параметра микроволн де-фектоскопы подразделяют на фазовые, амплитудно-фазовые, геометрические, поляризационные.
Изменение относительно амплитуды волны отсчитывается на эталонном из-делии. Амплитудные дефектоскопы наиболее просты с точки зрения настройки и эксплуатации, но их применяют только для обнаружения достаточно больших дефектов, значительно влияющих на уровень принятого сигнала.
Амплитудно-фазовые дефектоскопы позволяют обнаруживать дефекты, из-меняющие как амплитуду волны, так и ее фазу. Такие дефектоскопы способны давать достаточно полную информацию, например, о качестве заготовок фоль-гированных диэлектриков, предназначенных для изготовления отдельных слоев многослойных печатных плат.
В поляризационных дефектоскопах фиксируют изменение плоскости поля-ризации волны при ее взаимодействии с различными неоднородностями. Эти дефектоскопы могут быть использованы для обнаружения скрытых дефектов в самих различных материалах, например, для исследования диэлектрической ани-зотропии и внутренних напряжений в диэлектрических материалах.
Радиационные методы
Под радиационными методами неразрушающего контроля понимается вид не-разрушающего контроля, основанный на регистрации и анализе проникающего ионизирующего излучения после взаимодействия с контролируемым объектом. В основе радиационных методов лежит получение дефектоскопичес-кой информации об объекте с помощью ионизирующего излучения, прохожде-ние которого через вещество сопровождается ионизацией атомов и молекул сре-ды. Результаты контроля определяются природой и свойствами используемого ионизирующего излучения, физико-химическими характеристиками контроли-руемых изделий, типом и свойствами детектора (регистратора), технологией кон-троля и квалификацией дефектоскопистов.
Радиационные методы неразрушающего контроля предназначены для обна-ружения микроскопических нарушений сплошности материала контролируемых объектов, возникающих при их изготовлении (трещины, овалы, включения, ра-ковины и др.)
Классификация радиационных МНК представлена на рис1.
Методы электронной микроскопии (ЭМ)
Электронная микроскопия основывается на взаимодействии электронов с энер-гиями 0,5 - 50 кэВ с веществом, при этом они претерпевают упругие и неупру-гие столкновения.
Рассмотрим основные способы использования электронов при контроле тон-копленочных структур (см. рис.2)
Таблица 1 -
Схемы расположения антенн преобразователей по отношению к объекту контроля.
