Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Курсовик Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
Информация:
Тип работы: Курсовик.
Предмет: Схемотехника.
Добавлен: 26.11.2009.
Год: 2009.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
КУРСОВАЯ РАБОТА
Расчет основных формул по основам электроники
по дисциплине
« ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ»
Вариант 28
Чита
2009
Исходные данные
0,78
0,04
0,035
0,2
0,6
15
1500
700
250
Физические и математические постоянные:
1. Постоянная Планка
2. Элементарный заряд
3. Масса покоя электрона
4. Постоянная Больцмана
5. Число пи
6. Число е
7. Электрическая постоянная
1. Рассчитать температурную зависимость концентрации равновесныхносителей заряда в собственномполупроводнике
Исходные формулы:
а)Получение расчетной формулы
Пример:
б) Результаты расчетов представил в таблице 1.
Таблица 1.
Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике.
T
T^3/2
1/T
KT
n0
lnn0
75
649,5190528
0,01333
0,006463
0,003973436
-5,528124115
100
1000
0,01
0,008617
21789,62053
9,989189013
120
1314,534138
0,008333
0,010341
54057905,69
17,80556636
150
1837,117307
0,006667
0,012926
1,42581E+11
25,68317669
200
2828,427125
0,005
0,017235
4,14293E+14
33,65759481
300
5196,152423
0,00333
0,025852
1,43642E+18
41,80868748
400
8000
0,0025
0,03447
9,60747E+19
46,0116581
500
11180,33989
0,002
0,043087
1,2904E+21
48,60924193
в) Построил график 1 зависимости равновесной конфигурации носителей тока от температуры в координатах .
График 1
г) Проверить правильность построения графика, выполнив обратную задачу: используя значение tg б, найти ширину запрещенной зоны полупроводника ?Е, сравнить с исходным значением ?Е. Найти погрешность д(?Е).
2. Рассчитать температурную зависимость уровня Ферми в собственном полупроводнике
Расчетная формула:
а) результаты расчетов представил в таблице 2
Зависимость Ef(T) в собственном полупроводнике
Таблица 2
T,K
KT,эВ
Ef,эВ
Ef/Ef0*100%
100
0,008617375
0,397100366
101,8206066
200
0,01723475
0,404200731
103,6412132
300
0,025852126
0,411301097
105,4618198
400
0,034469501
0,418401463
107,2824264
500
0,043086876
0,425501829
109,103033
б) Построил график 2 «Зависимость Ef(T) в собственном полупроводнике
График 2
3. Рассчитать температуры ионизации донорной примеси Тs и ионизации основного вещества Тi в полупроводнике n тока методом последовательных приближений. В качестве начальных температур использовать значения Ti =400 К ,Ts=50 К
Расчетные формулы:
Таблица 3.
N приближ.
1
2
3
4
5
6
Ti, K
400
986,0672473
761,51462
814,6480626
800,077865
803,9251818
Nc*10E+25,
0,345561057
1,337502517
0,907720567
1,004361024
0,977536968
0,984596428
Nv*10E+25
1,795587925
6,949866942
4,716654422
5,218812967
5,079431084
5,116113117
10
11
803,1185939
803,1134442
0,983115014
5,108415461
Таблица 4.
N приближ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Ts,K
50,000
346,476
109,388
184,635
140,692
160,530
150,249
155,238
152,735
Nc*10E+23
1,527
27,858
4,942
10,837
7,208
8,786
7,955
8,355
8,153
10
11
12
13
153,970
153,355
153,660
153,509
8,253
8,203
8,228
4. Рассчитать температуру ионизации Тs и Тi в акцепторном полупроводнике методом последовательных приближений
Расчетные формулы:
Таблица 5.
N приближ.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Ti, K
400
856,68
704,36
738,10
729,75
731,76
731,27
731,39
731,36
Nc*10E+25,
0,3455
1,083100
0,8074
0,8661
0,8515
0,8550
0,8541
0,8544
Nv*10E+25
1,7955
5,627955
4,1958
4,5008
4,4246
4,4429
4,4385
4,4396
Таблица 6.
N приближ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Ts,K
50
110,34
83,43
91,29
88,60
89,48
89,19
89,28
89,25
Nv*10E+23
7,9354
26,0163
17,104
19,579
18,719
18,998
18,9
18,93
5. Рассчитать температурную зависимость положения уровня Ферми Ef(T) в донорном полупроводнике
а) для низкотемпературной области использовать формулу:
Таблица 7.
T,K
5
10
50
60
80
153,5
KT,эВ
0,000430869
0,000861738
0,004308688
0,005170425
0,0068939
0,013227671
Nc,м-3
4,82936E+21
1,36595E+22
1,52718E+23
2,00753E+23
3,09079E+23
8,21481E+23
Ef,эВ
-0,01954453
-0,01953705
-0,02288620
-0,02417045
-0,02704804
-0,03998852
График 3Зависимость Ef(T) для полупроводника n-типа в области низких температур.
б) для низкотемпературной области найти положение максимума зависимости Ef(T), т.е. вычислить и
в) для области средних температур использовать формулу:
