На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


Курсовик Присоединение выводов к контактным площадкам кристаллов ИМС

Информация:

Тип работы: Курсовик. Предмет: Информатика. Добавлен: 13.12.2012. Сдан: 2012. Страниц: 30. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Содержание:

1. Вводная часть …………………………………………………………….4

2. Теоретическая часть ……………………………………………………..5

3. Технологический процесс ………………………………………………10

3.1 Термокомпрессионная сварка……………………………………….10

4. Технологическое оборудование…………………………………………12

4.1 Установка термокомпрессионной сварки…………………………..12

4.2 Струйная моечная машина тупикового типа МПП-250……………14

4.3 Установка Кондор 70-3 для тестирования качества соединения…16

5. Оценка качества…………………………………………………………..17

6. Маршрутная карта…………………………………………………….......22

7. Операционная карта универсальная……………………………………..24

8. Карта операционного контроля………………………………………….27




1. Вводная часть.

Технология производства полупроводниковых приборов - это техническая наука, занимающаяся изучением физико-химических основ технологических процессов производства электронных приборов и закономерностей, действующих в процессе изготовления этих изделий.
Использование результатов исследований фундаментальных наук и доведение их до инженерного решения применительно к производству изделий электронной техники позволяют разрабатывать новые технологические процессы для серийного и массового изготовления. Развитие прикладных наук в области получения чистых и сверхчистых материалов, нанесения покрытий, соединения различных материалов, электрофизических и электрохимических методов обработки способствовали совершенствованию полупроводниковой и плёночной технологии, особенно при производстве микросхем. Повышение качеств изделий требует высокой технологической точности и дисциплины производства, своевременного анализа и корректировки технологического процесса, построения оптимального технологического процесса. Повышению качеств и стабильности технологических процессов, обеспечивающих
массовое производство изделий с воспроизводимыми параметрами, способствует внедрение автоматизированных систем управления с полным исключением человека-оператора и его субъективного влияния на ход технологического процесса. Создание высокопроизводительных машин и автоматических линий требует знания основ технологии производства, современных методов изготовления деталей и узлов, нанесения покрытий, получение электронно-дырочных переходов, сборки
приборов и микросхем и т.п. Производство изделий электроники состоит из нескольких этапов, в результате
проведения которых материалы превращаются в готовые изделия.
Производственный процесс в электронном приборостроении состоит из:
технологической подготовки производства; получения и хранения материалов и
полуфабрикатов; технологического процесса изготовления деталей, сборки
изделий; испытания готовых изделий; упаковки и хранения готовых изделий.
Технологический процесс является той частью производственного процесса, во время которого непосредственно происходит последовательное качественное изменение состояние продукта производства.
Проектирование технологического процесса ставит своей целью получение
высококачественных изделий электронной техники, отвечающих техническим условиям и чертежам при высокой производительности и экономичности.


2. Теоретическая часть.

Метод крепления подложек и кристаллов на основании корпуса, а также кристаллов и других компонентов на подложках зависит от выбора материала присоединительного слоя - клея, стекла, припоя и т. д.
В свою очередь, материал присоединительного слоя должен обеспечивать эффективный отвод теплоты в подложку или корпус в зависимости от выделяемой мощности, хорошее согласование температурных коэффициентов расширения (ТКР) соединяемых элементов в широком диапазоне рабочих температур (обычно --60 ? +125°С), стойкость к динамическим воздействиям (с ускорением до 150g) в условиях воздействия вибраций и ударов. В отдельных случаях присоединительный слой должен быть электропроводным.........


Заключение.

В результате многочисленных исследований термокомпрессионная сварка, являющаяся по существу сваркой давлением в сочетании с нагревом до температур ниже температуры образования эвтектического состава, широко применяется для получения омического контакта между полупроводниковыми кристаллами и проводниками, в частности между кремнием и золотом.

Термокомпрессионная сварка позволяет присоединять к поверхности многих полупроводниковых кристаллов любые металлы. Качество сварного соединения зависит от величины давления на пуансон, времени выдержки и температуры процесса. Время сварки колеблется от нескольких секунд до нескольких минут.

Обязательным условием термокомпрессионной сварки является по возможности минимальная (10-30%) деформация металлического проводника, что объясняется стремлением не допустить образования в полупроводнике значительного количества дефектов и заметного уменьшения диаметра золотой проволоки в результате давления, что может привести к резкому снижению ее механических свойств. Процесс термокомпрессионной сварки можно осуществлять как на воздухе, так и в контролируемой среде.

Наилучшие результаты получены в формиргазе и в среде сухого водорода. Для осуществления процесса термокомпрессионной сварки не нужны флюсы. Процесс может протекать при сравнительно низких температурах и малой деформации свариваемых материалов. Все это делает термокомпрессионную сварку наиболее перспективным методом получения контактов. Однако сравнительно большая продолжительность процесса сварки, высокая чувствительность к режиму, а также к форме и качеству подготовки соединяемых поверхностей обусловили необходимость его совершенствования.

Хорошие результаты можно получить при сварке проволочных золотых и серебряных выводов с полупроводниковыми кристаллами фосфида галлия.


Список литературы:

1. 1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Учебное
пособие для ВУЗов. М., "Высшая школа", 1986.

2. Курносов А.И. «Технология производства полупроводниковых приборов и
интегральных микросхем» М., 1979.

3. Струйная моечная машина тупикового типа МПП-250 руководство по эксплуатации.

4. Установка Кондор 70-3 руководство по эксплуатации.

5. Малышев И.А. "Технология производства интегральных микросхем". - М.: Радио и связь, 1991.

6. Установка термокомпрессионной сварки руководство по эксплуатации.

7. Источник: Конюшков Г.В., Мусин Р.А. Специальные методы сварки давлением. Ай Пи Эр Медиа, 2009.

8. Назаров Г.В., Гревцев Н.В. Сварка и пайка в микроэлектронике. -
9. Москва: Советское радио, 1969.


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.