На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


Курсовик Эффект разупорядочения на перемещенииКвантовые эффекты взаимодействия

Информация:

Тип работы: Курсовик. Добавлен: 18.3.2014. Сдан: 2012. Страниц: 39. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Оглавление
Введение 3
1.Эффект разупорядочения на перемещении 4
2.Квантовые эффекты взаимодействия 26
Список использованных источников 34


Введение
Проблема легирования полупроводника является актуальной в вопросах использования CNT (углеродных нанотрубок) в электронных приборах. В частности, стандартные логические устройства основываются на - или - легированных соединениях, даже при том, что эффект поля, как известно, можно было бы достичь и без легирования трубок за счет электронной настройки барьера Шоттки в трубке.
В то время желаемый эффект легирования в полупроводниковых трубках может стимулировать образование сильного обратного рассеяния из распространяющихся волновых пучков при удельных энергиях, снижая, таким образом, среднюю длину свободного пробега и подвижность соответствующих свободных носителей заряда. Такое снижение проводимости происходит, как правило, в энергии (квази)связанных состояний, и бывает вызвано дефектами или примесями в нанотрубках, что, в свою очередь, приводит к резонансному обратному рассеянию.
В данной работе подтверждено, что около точки нейтральности заряда, баллистический характер свойств перемещения в нанотрубках из металлического углерода или графене особенно силен, вследствие соотношения линейной дисперсии на контакте со специфической симметрией собственных состояний.
Проводимость намного более чувствительна в областях с более высоким удельным весом состояний, тогда как это было почти не затронуто умеренным разупорядочением близким к нейтралитету заряда.
Слабая электронная связь между соседними оболочками, таким образом, определяет возможность применения совершенно другого соединения интер-трубки и итра-сферных характеристик.
Многослойные нанотрубки или пучки однослойных нанотрубок представляют собой дополнительную геометрическую комплексность из-за связи между оболочками, допускающей перемещение.
Проблема легирования полупроводника путем физической сорбции молекул или, в более широком смысле, изменение электронных свойств трубок путем молекулярной адсорбции, является все еще актуальной и потенциально важной, и, в частности, это касается химического реактива, находящегося на трубках. Теоретические исследования электронных свойств и свойств перемещения все еще находятся в стадии разработки.


C. Эффект разупорядочения на перемещении
1. Электронные собственные состояния и псевдоспинная симметрия
Около точки нейтральности заряда, баллистический характер свойств перемещения в нанотрубках из металлического углерода или графене особенно силен, вследствие соотношения линейной дисперсии на контакте со специфической симметрией собственных состояний. Эти свойства произошли в пределах так называемой аппроксимации [1, 2]. По сравнению с плотно связанной моделью, которая позволяет вычислить полную зонную структуру, аппроксимация - это локальное описание вокруг поверхности Ферми, где уравнение Шредингера записывается разложением состояний Блоха как , , согласно общему условию Блоха. Для данного периодического потенциала уравнение Шредингера может, таким образом, быть упрощено как [2]

, (1)
где есть оператор импульса, а - масса электрона. Задача в аппроксимации состоит в извлечении информации путем расширения вокруг уровня Ферми, также как в плотно связанной аппроксимации. Aндо и его сотрудники [3, 4] применили аппроксимацию к случаю металлических седловидных нанотрубок путем расширения волновых функций вокруг точек и . Свойства волновых функций Блоха около точек могут быть получены следующим образом. Во-первых, их изображение Ванниера до фактора нормализации дается как


, (2)

где необходимо, чтобы объяснить присутствие этих двух орбиталий на элементарную ячейку, тогда как описывают амплитуду орбитали для двух атомов углерода в элементарной ячейке. Затем, следуя значениям см. рис. 1 и используя уравнение

, (3)

собственные состояния для получаются из


, (4)

с . Выбирая , мы получаем , и задача преобразуется в

. (5)

Дисперсионные соотношения исчисляются путем приведения детерминанта к нулю, [учитывая, что ], тогда как собственные векторы должны удовлетворять условию .
Очевидным решением будет , определяя , угол между и -осью, который соответствует направлению оси трубки, приводящее к двум возможным решениям

, (6)

где указывает положительную энергию, тогда как описывает состояния с отрицательной энергией относительно точки нейтральности заряда.




Рис. 1. Векторы a1 и a2 в сотовидном переплетении решетки графена.

В базисе Гамильтониан показывает , где ­­- обычная матрица Паули. Уравнение Шредингера в аппроксимации может, таким образом, рассматриваться как двухкомпонентное матричное уравнение (один элемент для каждой подрешетки), которое является формально эквивалентным уравнению Дирака, где спинор - не спин электрона, а псевдоспин, представляющий подрешетку. Кроме того, поскольку энергия зон касается , задача становится аналогичной свободному невесомому нейтрино на цилиндре [5]. Векторы являются собственными состояниями с собственными значениями ±1, а псевдоспин для состояния с произвольным вектором выводится путем обращения к оператору вращения с углом у оси [перпендикулярная направлению трубки; см. рис. 2 (c)], с соответствующей матрицей вращения [4]

. (7)

Таким образом, наконец, около точек , электронные волновые функции могут быть расширены, до некоторого фактора нормализации как

. (8)

На рис. 37 схема собственных состояний приводится ради иллюстрации. Принимая начальную энергию Ферми немного сниженной относительно точки нейтральности заряда , показаны две соответствующих орбитали для упругого внутридолинного рассеяния. Конечная волновая функция представлена в формуле (8) временами компонента соединения или антисоединения (как символы на рис. 2), которые получены в пределе , где и которые дают два вырожденных собственных состояния, образованных или симметричной или антисимметричной комбинацией орбиталей



( - антисвязанное состояние),



( - связанное состояние).


2. Длительное разупорядочение и отсутствие обратного рассеяния
Если мы рассмотрим примесь, привязанную к поверхности трубки, как правило, путем соединения ван-дер-Ваальса, потенциал примеси медленно изменяется в масштабе периода кристаллической решетки и . может, таким образом, быть рассмотрен как отклонение от Гамильтониану , а матричные элементы потенциала между Блоховскими состояниями в формуле (8) описывают вероятность рассеяния амплитуды ввиду изолированной примеси, что в принципе влечет за собой снижение проводимости. Такой длительный потенциал, как правило, приводит к низкой передаче импульса, что, в свою очередь, гарантирует эффективное применение массовой аппроксимация, игнорируя вообще межзонные переходы.
Принимая во внимание длительный примесный потенциал, Андо и др. [3, 4] указывают, что вероятности рассеяния как интра-углубления ( при изменяющемся на ), так и интра-углубления ( при изменяющемся на ) были сравнительно малы. Случай рассеяния интра-углубления (скажем, вокруг ) был исследован путем вычисления условий для T -матрицы путем уравнения Дайсона


. (9)


В таком расширении Гамильтониан вокруг точки может быть сокращен до ( и матрицы Паули), тогда как имеет диагональное изображение, чьи элементы снабжают примесный потенциал локальных энергий [4]. Условия типа могут быть расширены на основе собственных состояний, один из которых остается таким:

(10)
где . Амплитуда обратного рассеяния для случая , таким образом, становится следующей: . Это может быть обобщено и применено ко всем высоким разрядам пертурбации [4] как


, (11)

где матрица вращения определена в формуле (7). Поэтому, из-за симметрии собственных состояний все условия (a) и (b) (см. на рис. 1) уравновешиваются так, чтобы общая амплитуда была пропорциональна выражению

, (12)

которое равно нулю, так как (см. рис. 1). В заключение, ко всем показателям в расширении отклонения обратное рассеяние будет подавлено в низкоэнергетическом диапазоне вокруг точки нейтральности заряда. Это свойство было также подтверждено численными расчетами [3, 6].
Применимость этого исхода, однако, ограничена в металлических нанотрубках, в случаях медленно изменяющегося потенциала, и для энергетических отверстий, которые сокращаются до нуля вокруг точки нейтральности заряда, в то время как диаметр нанотрубок увеличивается. Для полупроводниковых трубок эти свойства псевдоспина не применимы, а обратное рассеяние оказывается намного сильнее. Такое состояние было подвергнуто обсуждению на основе экспериментальных данных Макоена и др. [6].


Рис. 2. Состояния рассеяния. Вверху: изображение линейных дисперсионных зон около точки . Собственные состояния для рассеяния точно определены для данного уровня Ферми ниже точки нейтральности заряда. Внизу: схематичное изображение псевдоспина вращения, соответствующего процессу рассеяния (а) и (b)
. Мы выбираем и в (с), - репрезентацию локальных ориентаций оси относительно нанотрубки.
3. Кратковременное разупорядочение и эластичный средний свободный пробег: показательный анализ
Для более общего и глубокого понимания явления разупорядочения, включая межзонное рассеяние в момент кратковременного разупорядочения, определение упругого среднего свободного пробега крайне необходимо. Для достаточно слабого разупорядочения пертурбативное обращение может быть выполнено в пределах FGR, давая прямой доступ к упругому среднему свободному пробегу . Это впервые было получено Уайтом и Тодоровым [7] путем сокращения зонной структуры до двухзонной аппроксимация как эффективной модели двух вырожденных зон в точке нейтральности заряда для пассивных нанотрубок. При последующем рассмотрении локального разупорядочения по типу Андерсона (см. ниже) была получена аналитическая формула для . была найдена, чтобы линейно определить масштаб с диаметром для фиксированной силы разупорядочения, в то время как при установленном диаметре ожидаемое вычисление разупорядочения должно было быть , где показывает вариационный диапазон локального пертурбационного потенциала. Аналитическое выведение такого масштаба фундаментальной длины сначала требует вычисления общей плотности состояний (DOS) в пределах уровня Ферми. Как показано в Части III, DOS записывается как , где проекция прямой должна была быть разработана по полному набору базиса. Используя DOS, представленную формулой , показатель FGR получается следующим

........


Список использованных источников
1. Slonczewski, J. C., and P. R. Weiss, 1958, Phys. Rev. 109, 272.
2. DiVicenzo, D. P., and E. J. Mele, 1984, Phys. Rev. B 29, 1685.
3. Ando, T., and T. Nakanishi, 1998, J. Phys. Soc. Jpn. 67, 1704.
4. Ando, T., T. Nakanishi, and R. Saito, 1998, J. Phys. Soc. Jpn. 67, 2857.
5. Ando, T., 2005, J. Phys. Soc. Jpn. 74, 777.
6. McEuen, P. L., M. Bockrath, D. H. Cobden, Y.-G. Yoon, and S. G. Louie, 1999, Phys. Rev. Lett. 83, 5098.
7. White, C. T., and T. N. Todorov, 1998, Nature (London) 393, 240.
8. White, C. T., and J. W. Mintmire, 1998, Nature (London) 394, 29.
9. Roche, S., G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus, and R. Saito, 2000, Phys. Rev. B 62, 16092.
10. Triozon, F., S. Roche, A. Rubio, and D. Mayou, 2004, Phys. Rev. B 69, 121410.
11. Anantram, M. P., and T. R. Govindan, 1998, Phys. Rev. B 58, 4882.
12. Ando, T., and S. Seri, 1997, J. Phys. Soc. Jpn. 66, 3558.
13. Heinze, S., J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, and Ph. Avouris, 2002, Phys. Rev. Lett. 89, 106801.
14. Appenzeller, J., J. Knoch, M. Radosavljevic?, and Ph. Avouris, 2004, Phys. Rev. Lett. 92, 226802.
15. Chen, Z. H., J. Appenzeller, J. Knoch, Y. M. Lin, and P. Avouris, 2005, Nano Lett. 5, 1497.
16. Choi, H. J., J. Ihm, S. G. Louie, and M. L. Cohen, 2000, Phys. Rev. Lett. 84, 2917.
17. Kaun, C. C., B. Larade, H. Mehrez, J. Taylor, and H. Guo, 2002, Phys. Rev. B 65, 205416.
18. Latil, S., S. Roche, D. Mayou, and J.-C. Charlier, 2004, Phys. Rev. Lett. 92, 256805.
19. Mahan, G. D., 2004, Phys. Rev. B 69, 125407.
20. Son, Y.-W., J. Ihm, M. L. Cohen, S. G. Louie, and H. J. Choi, 2005, Phys. Rev. Lett. 95, 216602.
21. Adessi, Ch., S. Roche, and X. Blase, 2006, Phys. Rev. B 73, 125414.
22. Chico, L., L. X. Benedict, S. G. Louie, and M. L. Cohen, 1996, Phys. Rev. B 54, 2600.
23. Chico, L., V. H. Crespi, L. X. Benedict, S. G. Louie, and M. L. Cohen, 1996, Phys. Rev. Lett. 76, 971.
24. Orlikowski, D., M. Buongiorno Nardelli, J. Bernholc, and C. Roland, 2000, Phys. Rev. B 61, 14194.
25. Fern?ndez-Serra, M.-V., Ch. Adessi, and X. Blase, 2006a, Phys. Rev. Lett. 96, 166805.
26. Fern?ndez-Serra, M.-V., Ch. Adessi, and X. Blase, 2006b, Nano Lett. 6, 2674.
27. Lammert, P. E., V. H. Crespi, and A. Rubio, 2001, Phys. Rev. Lett. 87, 136402.
28. Chico, L., M. P. L?pez Sancho, and M. C. Mu?oz, 1998, Phys. Rev. Lett. 81, 1278.
29. Yi, J.-Y., and J. Bernholc, 1993, Phys. Rev. B 47, 1708.
30. Ewels, C. P., and M. Glerup, 2005, J. Nanosci. Nanotechnol. 5, 1345.
31. Latil, S., S. Roche, and J.-C. Charlier, 2005, Nano Lett. 5, 2216.
32. Liu, K., P. Avouris, R. Martel, and W. K. Hsu, 2001, Phys. Rev. B 63, 161404(R).
33. Lee, Y.-S., M. Buongiorno Nardelli, and N. Marzari, 2005, Phys. Rev. Lett. 95, 076804.
34. Biel, B., F. J. Garc?a-Vidal, A. Rubio, and F. Flores, 2005, Phys. Rev. Lett. 95, 266801.
35. G?mez-Navarro, G., P. J. De Pablo, J. G?mez-Herrero, B. Biel, F.-J. Garcia-Vidal, A. Rubio, and F. Flores, 2005, Nat.
36. Rao, A. M., P. C. Ecklund, S. Bandow, A. Thess, and R. E. Smalley, 1997, Nature (London) 388, 257.
37. Petit, P., C. Mathis, C. Journet, and P. Bernier, 1999, Chem. Phys. Lett. 305, 370.
38. Jouguelet, E., C. Mathis, and P. Petit, 2000, Chem. Phys. Lett. 318, 561.
39. Zhou, C., J. Kong, E. Yenilmez, and H. Dai, 2000, Science 290, 1552.
40. Bendiab, N., L. Spina, A. Zahab, P. Poncharal, C. Marliere, J. L. Bantignies, E. Anglaret, and J. L. Sauvajol, 2001, Phys. Rev. B 63, 153407.
41. Derycke, V., R. Martel, J. Appenzeller, and Ph. Avouris, 2002, Appl. Phys. Lett. 15, 2773.
42. Radosavljevic?, M., J. Appenzeller, Ph. Avouris, and J. Knoch, 2004, Appl. Phys. Lett. 84, 3693.
43. Kazaoui, S., N. Minami, R. Jacquemin, H. Kataura, and Y. Achiba, 1999, Phys. Rev. B 60, 13339.
44. Kong, J., N. R. Franklin, C. Zhou, M. G. Chapline, S. Peng, K. Cho, and H. Dai, 2000, Science 28, 622.
45. Kong, J., and H. Dai, 2001, J. Phys. Chem. B 105, 2890.
46. Takenobu, T., T. Takano, M. Shiraishi, Y. Murakami, M. Ata, H. Kataura, Y. Achiba, and Y. Iwasa, 2003, Nat. Mater. 2, 683.
47. Auvray, S., V. Derycke, M. Goffman, A. Filoramo, O. Jost, and J.-P. Bourgoin, 2005, Nano Lett. 5, 451.
48. Latil, S., F. Triozon, and S. Roche, 2005, Phys. Rev. Lett. 95, 126802.
49. Miyamoto, Y., A. Rubio, X. Blase, M. L. Cohen, and S. G. Louie, 1995, Phys. Rev. Lett. 74, 2993
50. Rubio, A., Y. Miyamoto, X. Blase, M. L. Cohen, and S. G. Louie, 1996, Phys. Rev. B 53, 4023.
51. Grigorian, L., K. A. Williams, S. Fang, G. U. Sumanasekera, A. L. Loper, E. C. Dickey, S. J. Pennycook, and P. C. Eklund, 1998, Phys. Rev. Lett. 80, 5560.
52. Fan, X., E. C. Dickey, P. C. Eklund, K. A. Williams, L. Grigorian, R. Buczko, S. T. Pantelides, and S. J. Pennycook, 2000, Phys. Rev. Lett. 84, 4621.
53. Smith, B. W., M. Monthioux, and D. E. Luzzi, 1998, Nature (London) 396, 323.
54. Hirahara, K., K. Suenaga, S. Bandow, H. Kato, T. Okazaki, H. Shinohara, and S. Iijima, 2000, Phys. Rev. Lett. 85, 5384.
55. Hornbaker, D. J., S.-J. Kahng, S. Misra, B. W. Smith, A. T. Johnson, E. J. Mele, D. E. Luzzi, and A. Yazdani, 2002, Science 295, 828.
56. Lee, J., H. Kim, S.-J. Kahng, G. Kim, Y.-W. Son, J. Ihm, H. Kato, Z. W. Wang, T. Okazaki, H. Shinohara, and Y. Kuk, 2002, Nature _London_ 415, 1005.
57. Martel, R., T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, and Ph. Avouris, 1998, Appl. Phys. Lett. 73, 2447.
58. Tans, S. J., A. R. M. Verschueren, and C. Dekker, 1998, Nature (London) 393, 49.
59. Collins, P. G., K. Bradley, M. Ishigami, and A. Zettl, 2000, Science 287, 1801.
60. Sumanasekera, G. U., C. K. W. Adu, S. Fang, and P. C. Eklund, 2000, Phys. Rev. Lett. 85, 1096.
61. Derycke, V., R. Martel, J. Appenzeller, and Ph. Avouris, 2002, Appl. Phys. Lett. 15, 2773.
62. Wong, S. S., E. Joselevich, A. T. Woolley, C. L. Cheung, and C. M. Lieber, 1998, Nature (London) 394, 52.
63. Baughman, R. H., Anvar A. Zakhidov, and Walt A. de Heer, 2000, Science 297, 787.
64. Giannozzi, P., R. Car, and G. Scoles, 2003, J. Chem. Phys. 118, 1003.
65. Peng, S., and K. Cho, 2003, Nano Lett. 3, 513.
66. Jhi, S.-H., S. G. Louie, and M. L. Cohen, 2005, Phys. Rev. Lett. 95, 226403.
67. Bahr, J. L., J. P. Yang, D. V. Kosynkin, M. J. Bronikowski, R. E. Smalley, and J. M. Tour, 2001, J. Am. Chem. Soc. 123, 6536.
68. Chiu, P. W., G. S. Duesberg, U. Dettlaff-Weglikowska, and S. Roth, 2002, Appl. Phys. Lett. 80, 3811.
69. Kamaras, K., M. E. Itkis, H. Hu, B. Zhao, and R. C. Haddon, 2003, Science 301, 1501.
70. Strano, M. S., C. A. Dyke, M. L. Usrey, P. W. Barone, M. J. Allen, H. Shan, C. Kittrell, R. H. Hauge, J. M. Tour, and R. E. Smalley, 2003, Science 301, 1519.
71. Chiu, P.-W., M. Kaempgen, and S. Roth, 2004, Phys. Rev. Lett. 92, 246802.
72. Charlier, J.-C., X. Gonze, and J.-P. Michenaud, 1994, Europhys. Lett. 28, 403.
73. Charlier, J.-C., and J.-P. Michenaud, 1993, Phys. Rev. Lett. 70, 1858.
74. Saito, R., G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, 1993, J. Appl. Phys. 73, 494.
75. Lambin, Ph., V. Meunier, and A. Rubio, 2000, Phys. Rev. B 62, 5129.
76. Kwon, Y-K., and D. Tom?nek, 1998, Phys. Rev. B 58, R16001.
77. Sanvito, S., Y. K. Kwon, D. Tom?nek, and C. J. Lambert, 2000, Phys. Rev. Lett. 84, 1974.
78. Roche, S., F. Triozon, A. Rubio, and D. Mayou, 2001a, Phys. Rev. B 64, 121401.
79. Yoon, Y.-G., P. Delanay, H. J. Choi, J. Ihm, and S. G. Louie, 2002, Phys. Rev. B 69, 073407.
80. Mayer, A., 2005, Carbon 43, 717.
81. Uryu, S., and T. Ando, 2005, Phys. Rev. B 72, 245403.
82. Roche, S., F. Triozon, A. Rubio, and D. Mayou, 2001b, Phys. Lett. A 285, 94.
83. Chen, J., and L. Yang, 2005, J. Phys.: Condens. Matter 17, 957.
84. Wang, S., and M. Griffoni, 2005, Phys. Rev. Lett. 95, 266802.
85. Wang, S., M. Griffoni, and S. Roche, 2006, Phys. Rev. B 74, 121407.
86. Krstic?, V., S. Blumentritt, J. Muster, S. Roth, and A. Rubio, 2003, Phys. Rev. B 67, 041401_R_.
87. Bourlon, B., C. Miko, L. Forro, D. C. Glattli, and A. Bachtold, 2004, Phys. Rev. Lett. 93, 176806.
88. Hirahara, K., M. Kociak, S. Bandow, T. Nakahira, K. Ito, Y. Saito, and S. Iijima, 2006, Phys. Rev. B 73, 195420.
89. Kociak, M., K. Suenaga, K. Hirahara, Y. Saito, T. Nakahira, and S. Iijima, 2002, Phys. Rev. Lett. 89, 155501.
90. Yoon, Y.-G., M. S. C. Mazzoni, H. J. Choi, J. Ihm, and S. G. Louie, 2001, Phys. Rev. Lett. 86, 688.
91. Rochefort, A., Ph. Avouris, F. Lesage, and D. R. Salahub, 1999, Phys. Rev. B 60, 13824.
92. Lammert, P. E., P. Zhang, and V. H. Crespi, 2000, Phys. Rev. Lett. 84, 2453.
93. Altshuler, B. L., A. G. Aronov, and B. Spivak, 1981, JETP Lett. 33, 94.
94. Chakravarty, S., and A. Schmidt, 1986, Phys. Rep. 140, 193.
95. Bachtold, A., C. Strunk, J.-P. Salvetat, J.-M. Bonard, L. Forr?, T. Nussbaumer, and C. Sch?nenberger, 1999, Nature (London ) 397, 673.
96. Fujiwara, A., K. Tomiyama, H. Suematsu, M. Yumura, and K. Uchida, 1999, Phys. Rev. B 60, 13492.
97. Fedorov, G., B. Lassagne, M. Sagnes, B. Raquet, J. M. Broto, F. Triozon, S. Roche, and E. Flahaut, 2005, Phys. Rev. Lett. 94, 066801.
98. Roche, S., and R. Saito, 2001, Phys. Rev. Lett. 87, 246803.
99. Stojetz, B., S. Roche, C. Miko, F. Triozon, L. Forro, and Ch. Strunk, 2006, unpublished..
100. Avriller, R., S. Latil, F. Triozon, X. Blase, and S. Roche, 2006, Phys. Rev. B 74, 121406.
101. Stojetz, B., C. Miko, L. Forro, and Ch. Strunk, 2005, Phys. Rev. Lett. 94, 186802.
102. Roche, S., J. Jiang, F. Triozon, and R. Saito, 2005a, Phys. Rev. Lett. 95, 076803.
103. Roche, S., J. Jiang, F. Triozon, and R. Saito, 2005b, Phys. Rev. B 72, 113410.
104. Thouless, D. J., 1973, J. Phys. C 6, 249.
105. Beenakker, C. W., 1997, Rev. Mod. Phys. 69, 731.
106. Hjort, M., and S. Stafstr?m, 2001, Phys. Rev. B 63, 113406.
107. Jiang, J., J. Dong, H. T. Yang, and D. Y. Xing, 2001, Phys. Rev. B 64, 045409.
108. Shea, H. R., R. Martel, and P. Avouris, 2000, Phys. Rev. Lett. 84, 4441.
109. G?mez-Navarro, G., P. J. De Pablo, J. G?mez-Herrero, B. Biel, F.-J. Garcia-Vidal, A. Rubio, and F. Flores, 2005, Nat. Mater. 4, 534.
110. Thouless, D. J., 1977, Phys. Rev. Lett. 39, 1167.



Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.