На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


Реферат MOSFET.Состав МОП-транзистора.Арсенид галлия-индия

Информация:

Тип работы: Реферат. Добавлен: 20.3.2014. Сдан: 2013. Страниц: 12. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Содержание


Содержание 2
Введение 3
MOSFET 4
Состав МОП-транзистора 6
Арсенид галлия-индия 7
самый маленький транзистор на основе арсенида галлия-индия 8
Преимущества и недостатки полевых транзисторов 9
Заключение 11
Список используемой литературы 12


Введение
Действие транзистора можно сравнить с действием плотины. С помощью постоянного источника (течения реки) и плотины создан перепад уровней воды. Затрачивая очень небольшую энергию на вертикальное перемещение затвора, мы можем управлять потоком воды большой мощности, т.е. управлять энергией мощного постоянного источника. МОП-структура (металл - оксид - полупроводник) - наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем диоксида кремния (SiO2). В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.
В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.


MOSFET
Металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET, MOS-FET, или MOS FET) является транзистором, использующимся для усиления или переключения электрических сигналов. Хотя МОП-транзистор состоит из четырех терминального устройства с истоком (S), затвором (G), стоком (D) и телом (B) терминалами, тело (или подложка) МОП-транзистора часто подключено к источнику терминала, что делает его три-терминальным устройством, как и другие полевые транзисторы. Поскольку эти две клеммы, как правило, связаны друг с другом (короткое замыкание) внутренне, только три терминала отображается в электрических схемах. MOSFET на сегодняшний день является наиболее распространенным транзистором в цифровых и аналоговых схем, хотя биполярный транзистор был в свое время гораздо более распространен.

Рис.1. Структура полевого транзистора
В МОП-транзисторах в режиме обогащения, падение напряжения на оксид вызывает проводящий канал между истоком и стоком контактов с помощью эффекта поля. Термин "в режиме обогащения" относится к увеличению проводимости с увеличением поля оксида, которое добавляет носителей в канале, также известный как инверсионный слой. Канал может содержать электронов (называемых nMOSFET или NMOS) или отверстий (называемого pMOSFET или pMOS), противоположных по типу к подложке, так что nMOS выполнена с p-типа подложки и pMOS с n-типа подложки. В менее распространенном в MOSFET режиме обеднения, канал состоит из носителей в поверхностном слое примесь противоположного типа к основанию, и электропроводность........


Список используемой литературы

1.< wiki/MOSFET#Metal.E2.80.93oxide.E2.80.93semiconductor_structure>

2. tech-talk/semiconductors/devices/mit-makes-smallest-gallium-arsenide-transistor

3. wiki/Indium_gallium_arsenide#Transistors

4.< dic.nsf/enwiki/25422#Metal.E2.80.93oxide.E2.80.93semiconductor_structure>





Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.