На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


Курсовик ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПОМОЩЬЮ ЭФФЕКТА ХОЛЛА

Информация:

Тип работы: Курсовик. Предмет: Физика. Добавлен: 30.3.2014. Сдан: 2013. Страниц: 21. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Содержание
Введение
Общие сведения………………….3
2. Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории_______________________6
Содержание
Введение……………………………………………………………………………………..…..3
Глава 1. Общие сведения…………………………………………………….…………………4
1.2. Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории……………………….….6
1.3. Эффект Холла в полупроводниках………………………………………………………..8
1.4. Угол Холла………………………………………………………………………………….9
1.5. Постоянная Холла………………………………………………………………………….10
Глава 2.Измерение эффекта Холла……………………………………………………………14
2.1 Измерения эффекта холла и проводимости на образцах прямоугольной формы……………………………………………………………………………………………16
2.2 Измерения проводимости и постоянной холла на полупроводниковых пластинах произвольной формы (метод ван-дер-пау)……………………………………………………18
2.3 Модифицированный метод ван-дер-пау (для планарного размещения зондов)…….…20
2.4 Исследование температурной зависимости эффекта холла……………………………..22
Заключение……………………………………………………………………………….……..23Список используемой литературы……………………………………………………....…….24


Введение
Несмотря на то что эффект Холла известен с 1879 г., интерес к его практическому использованию не ослабевает до сих пор.
На основании эффекта Холла созданы приборы различного назначения: датчики магнитных полей, измерители индукции магнитных полей в электрических машинах, целые группы приборов используются в технике связи и так далее.
В настоящее время в экспериментальной физике, материаловедении используются различные методы измерения параметров полупроводниковых материалов. В этой области эффект Холла применяется как инструмент, позволяющий получить ценные сведения о характере проводимости вещества, подвижности, удельном сопротивлении и т.д.
Поэтому целью данной курсовой работы является:
1. Ознакомление с эффектом Холла, а так же изучение параметров полупроводников, которые можно определить с его помощью .
2. Ознакомление с основными методами измерения эффекта Холла.
3. Определение типа, концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах с помощью эффекта Холла.


Глава1. Общие сведения
Эффектом Холла называется появление в провод­нике с током плотностью j, помещён­ном в магнитное поле Н, электрического поля Ех, перпендикулярного Н и j. При этом на­пряжённость электрического поля, называемого ещё полем Холла, равна:

Ex = RHj sin a, (1.1)



где a угол между векторами Н и J (a<180°). Когда H^j, то величина поля Холла Ех максимальна: Ex = RHj. Ве­личина R, называемая коэффициентом Холла, является основной характеристикой эффекта Холла.





Рис 1.1 Направление векторов Ex, H, j в полупроводниковом образце при измерении эффекта Холла.

Эффект открыт Эдвином Гербертом Холлом в 1879 в тонких пла­стинках золота. Для наблюдения Холла эффекта вдоль прямоугольных пластин из иссле­дуемых веществ, длина которых l значитель­но больше ширины b и толщины d, про­пускается ток:
I = jbd (1.2)
здесь маг­нитное поле перпендикулярно плоскос­ти пластинки. На середине боковых граней, перпендикулярно току, распо­ложены электроды, между которыми из­меряется ЭДС Холла Vx:
Vx = Ехb = RHj/d (1.3)
Так как ЭДС Холла меняет знак на обратный при изменении направления магнитного поля на обратное, то Холла эффект относится к не­чётным гальваномагнитным явлениям [6].
Простейшая теория Холла эффекта объясняет появление ЭДС Холла взаимодействием носителей тока (электронов проводимости и дырок) с магнитным полем. Под дейст­вием электрического поля носители заряда приобретают направленное движе­ние (дрейф), средняя скорость которого (дрейфовая скорость) vдр?0. Плотность тока в проводнике j = n*evдр, где n - концентрация чи­сла носителей, е - их заряд. При наложе­нии магнитного поля на носители действу­ет Лоренца сила: F = e[Hvдp], под действием которой частицы отклоняются в направлении, перпендикулярном vдр и Н. В результате в обеих гранях провод­ника конечных размеров происходит на­копление заряда и возникает электростатическое поле - поле Холла. В свою очередь поле Холла действует на заряды и урав­новешивает силу Лоренца. В условиях равновесия eEx = еНvдр, Ex =1/ne Hj, отсюда R = 1/ne (cмз/кулон). Знак R сов­падает со знаком носителей тока. Для металлов, у которых концентрация носи­телей (электронов проводимости) близка к плотности атомов (n»1022См-3), R~10-3(см3/кулон), у полупроводников кон­центрация носителей значительно меньше ,например у Si < wiki/Si> при комнатной температуре количество носителей ni=pi=1,4·1010 см-3 и R~105 (см3/кулон). Коэффициент Холла R мо­жет быть выражен через подвижность носителей заряда m = еt/m* и удельную электропроводность s = j/E = еnvлр/Е:
R=m/s (1.4)
Здесь m*- эффективная масса носи­телей, t - среднее время между двумя последовательными соударениями с рассеивающи­ми центрами [2].
Иногда при описании Холла эффекта вводят угол Холла j между током j и направлением суммарного поля Е: tgj= Ex/E=Wt, где W - циклотронная частота носи­телей заряда. В слабых полях (Wt<<1) угол Холла j»Wt, можно рассматривать как угол, на который отклоняется движу­щийся заряд за время t. Приведённая те­ория справедлива для изотропного про­водника (в частности, для поликристал­ла), у которого........


Список используемой литературы.
1. Шалимова К.В.. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976, 416с.
2. Смит Р.. Полупроводники. М.: Мир, 1982, 560с.
3. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975, 584с.
4. Бонч-Бруевич В.Ш., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.:
Наука, 1977, 637с.
5. Зеегер К.. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, 615с.
6. Павлов Л.П.. Методы измерения параметров полупроводниковых
материалов. М.: Высшая школа, 1987, 238с.
7. Кучис Е.В.. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. радио, 1974,
328с.
8. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова думка, 1975, 704с.





Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.