На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Результат поиска


Наименование:


Курсовик ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА С 2-МЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ (СЕЛЕКТИВНО ЛЕГИРОВАННЫЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ТРАНЗИСТОР)

Информация:

Тип работы: Курсовик. Предмет: Электроника. Добавлен: 09.06.2014. Сдан: 2014. Страниц: 27. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Оглавление


ВВЕДЕНИЕ .................................................................................................................................... 5
1 ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ ....................................................................................................... 6
1.1 Полевой транзистор с 2-мерным электронным газом. Принцип работы ....................... 6
1.2 Структура и классификация транзисторов. Выбор материалов. .................................... 8
1.3 Технология HEMT на основе GaN ................................................................................... 11
1.3.1 Выбор подложки для GaN - гетероструктур……………………………………. 12
1.3.2 Метод получения гетероструктур. Молекулярно - лучевая эпитаксия………...13
1.3.3 Технологический маршрут HEM транзистора на GaN. …………………………...17
2 РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ ............................................................................................................... 23
2.1 Расчет режимов получения транзистора ...............
ВВЕДЕНИЕ
В последнее десятилетие резко возрос интерес к исследованию явлений переноса в
структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями. В значительной мере это связано с успехами молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющей создавать полупроводниковые слои и многослойные структуры с толщиной слоев, значительно меньшей длины волны де Бройля носителей заряда.
На практике становится возможным наблюдение и использование явлений, обусловленных волновой природой электрона, например, таких как туннелирование носителей заряда через тонкие слои полупроводниковых структур, квантование энергии и импульса носителей заряда в квантово-ограниченных структурах. Наиболее выражено эти явления проявляются в слоистых гетероструктурах, на основе которых разработан широкий класс полевых и биполярных транзисторов, работающих в коротковолновой части СВЧ-диапазона и обладающих временами переключения менее 10 пс. Создание таких транзисторов позволит резко повысить качество передачи и обработки информации за счет повышения частоты преобразования аналоговой информации в цифровой код и обратно.
В данном курсовом проекте рассмотрен один из видов таких транзисторов – полевой транзистор с 2 – мерным электронным газом (полевой транзистор на гетероструктуре с селективным легированием), принцип его работы и технологический маршрут его изготовления.

1 ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
1.1 Полевой транзистор с 2 – мерным электронным газом. Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) — полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП-транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход).
Полевые транзисторы на гетероструктурах с селективным легированием (ПТ ГСЛ) известны как наиболее быстродействующие среди других типов транзисторов. ПТ ГСЛ представляет собой прибор на гетероструктурах, в котором используются высокие значения подвижности и дрейфовой скорости двумерного электронного газа, формирующегося у границы раздела двух полупроводниковых материалов, например, сильно легированного AlGaAs и нелегированного GaAs.
Первый прибор на гетероструктурах был предложен в 1951 г. В. Шокли. Теорию гетеропереходов в этом же году предложил А. И. Губанов [1]. В 1960 г. Р. Андерсон предсказал возможность существования обогащенного слоя у границы гетероперехода. В 1963 г. Ж. И. Алферовым и Р. Ф. Казариновым, и независимо от них Г. Кремером был предложен полупроводниковый лазер на гетеропереходах. В 1969 г. Л. Есаки и Р. Тсу указали на возможность увеличения подвижности двумерного (2D) электронного газа у границы гетероперехода. Экспериментально этот эффект впервые был обнаружен в 1978г.
Идея пространственного разделения легирующих примесных центров и носителей тока с помощью гетероперехода была реализована в 1980 г. в виде полевых СВЧ-транзисторов с хорошими характеристиками почти одновременно в нескольких лабораториях различных фирм, в каждой из которых было дано свое название таким транзисторам. Ученые из фирмы «Фудзицу» (Япония) назвали их транзисторами с высокой подвижностью электронов (HEMT). На фирме Бэлл (США) — селективно-легированными гетеропереходными транзисторами (SDHT). В университете штата Иллинойс (США) — полевыми транзисторами с модулированным легированием (MODFET). На фирме Томсон (Франция) — полевыми транзисторами с двумерным электронным газом (TEGFET). У нас их на....

Список использованной литературы
1. Физические основы наноэлектроники / Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль // Учебное пособие. – Саратов, 2013. – 128 с.
2. file/out/505781 - [электронный ресурс]
3. science/doc/HEMT.doc - [электронный ресурс]
4. Псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью 2D-электронов в канале (pHEMT) / Ю.В.Якушина // Курсовая работа. – Пктрозаводск, 2007. – 41 с
5. upload/news/itogi/kargin_mifi.docx - [электронный ресурс]
6. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках /А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, Ю.А. Концевой // Техносфера : Учебное пособие. – Москва, 2011. – 130 с.
7.Эпитаксиальный синтез базовых полупроводниковых материалов / Методические указания по исследовательской работе – Санкт – Петербург : Учреждение Российской Академии Наук Санкт – Петербургский Академический Научно – образовательный центр нанотехнологий РАН, 2010. – 21 с.
8. Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N / В.Н. Жмерик // Диссертация на соискание ученой степени. – Санкт - Петербург, 2012. – 287 с.
9. patents/2316075 - [электронный ресурс]
10. Технология тонких пленок / под редакцией Л. Майссела, Р. Глэнга // Справочник. – Москва, 1977. – 663 с


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть похожие работы


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.