На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Работа № 85279


Наименование:


Отчет по практике Нанотехнология углеродных пленок.Методика приготовления образцов и техника эксперимента

Информация:

Тип работы: Отчет по практике. Добавлен: 2.3.2015. Сдан: 2014. Страниц: 31. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Оглавление
Введение 3
1 Методика приготовления образцов и техника эксперимента 4
2 Методика изучения экспериментальных образцов 8
2.1 Методика проведения электрических измерений 8
2.2 Методика проведения эллипсометрических измерений 8
2.3 Методика проведения спектральных измерений 10
3 Свойства полученных слоев диоксида кремния и влияние процентного содержания углерода на мишени 11
3.1 Экспериментальные данные и их анализ 11
3.2 Исследование элементного состава пленки Ta2O5+C с различным содержанием Sc 16
3.3 Исследование влияния технологических факторов на электрофизические параметры пленок 25
Заключение 29
Список используемой литературы 31


Введение
Целью настоящей работы является изучение, исследование и отработка принципиально новой технологии получения пленок диоксида кремния и их электрофизических свойств. Отличительной особенностью нашей технологии является применение нового подхода к формированию пленочных диэлектриков - модификация их путем введения углерода. В качестве основы разрабатываемой технологии предлагаются вакуумные методы получения диэлектрических пленок диоксида кремния путем распыления составной Si-C мишени магнетронным способом в среде рабочего газа. Поэтому актуальность нашей работы вполне ясна, твёрдые материалы с низкими значениями диэлектрической проницаемости перспективны для применения в наноэлектроники. Использование этих материалов в качестве изоляционных прослоек в наносхемах позволяет заметно повышать скорость распространения электрических сигналов и снижать диэлектрические потери.

1 Методика приготовления образцов и техника эксперимента
Приготовление образцов является самой важной частью исследования, поскольку это во многом определяет поведение МДМ-структур.




В качестве подложки используются стеклянные и кремниевые подложки (рисунок 1.1).

Рисунок 1.1 Стеклянные (а) и кремниевые (б) подложки
Кремниевые подложки прозрачны для ИК-спектра, поэтому они используется для ИК-спектроскопии.
Перед изготовлением экспериментальных образцов, подложки тщательно обрабатываются спиртосодержащим раствором.
Для получения экспериментальных образцов используется вакуумная установка УВН-2М (рисунок 1.2), которая предназначена для откачки газа из вакуумной камеры до предельного давления р=1*10-6 мм рт. ст. с целью испарения металлических и напыления диэлектрических покрытий.



Рисунок 1.2 Схема вакуумной установки УВН-2М: 1- механический (форвакуумный) насос; 2 - вентиль вспомогательной линии откачки; 3 - вентиль основной линии откачки; 4 - нагреватель диффузионного насоса; 5 - диффузионный насос; 6 - вакуумный затвор; 7 - термопарный вакуумметр; 8 - ионизационный вакуумметр; 9 - натекатель; 10 - вакуумная камера (колпак); 11 - клапан
После обработки, на подложку накладывается специальная маска для нанесения алюминия, после чего подложка закрепляется на держателе. Перед нанесением НЭ подложка отжигается в вакууме в течении 20 минут при температуре 500 К, а затем остужается в течении 20 минут до температуры 300 К. После этого подложка помещается в рабочую камеру вакуумной установки и производится нанесение НЭ. В качестве НЭ используется пленка Al, которая наносится термическим испарением в течение 5 секунд при давлении в рабочей камере 10-5 мм рт. ст. Материалом испарителя является вольфрам. В результате получается слой НЭ алюминия (рисунок 1.3).


Рисунок 1.3 Структура контактов Al
Далее, предварительно сняв маску и закрыв часть нанесенных контактов алюминия (рисунок 1.5(а)), наносится диэлектрик. В качестве диэлектрика используются пленки SiO2 и SiO2 + C с различным содержанием углерода в пленке. Методом магнетронного распыления в атмосфере кислорода, на подложку наносится слой диэлектрика, состав которого будет меняться на составной мишени в зависимости от эксперимента.
Составная мишень представляет собой кремниевую мишень, на которую помещаются графитовые диски. Количество........


Список используемой литературы
1. Троян П.Е. Исследование свойств пленок пористого диоксида кремния нанометровой толщины/ Троян П.Е., Сахаров Ю.В., Усов С.П.//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2010. - №1 (21), ч.2. - с. 118-122.
2. Сахаров Ю.В. Влияние примеси углерода на формовку и электрофизические параметры МДМ-структур: Дис. … канд. техн. наук. (Томск), 2006. - 150 с.
3. Громов Д.Г., Мочалов А.И., Сулимин А.Д., Шевяков /Металлизация ультрабольших интегральных схем. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. - 277 с.
4. Громов Д.Г. / Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов по дисциплине «Металлизация в системах с наноразмерными элементами». - М.: МИЭТ, 2011. - 60 с.



Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть похожие работы

* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.