На бирже курсовых и дипломных проектов можно найти образцы готовых работ или получить помощь в написании уникальных курсовых работ, дипломов, лабораторных работ, контрольных работ, диссертаций, рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

Повышение уникальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение уникальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения уникальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии и при повышении уникальности не вставляет в текст скрытых символов, и даже если препод скопирует текст в блокнот – не увидит ни каких отличий от текста в Word файле.

Работа № 91277


Наименование:


Курсовик Статические характеристики транзистора

Информация:

Тип работы: Курсовик. Предмет: Электроника. Добавлен: 4.10.2015. Сдан: 2014. Страниц: 22. Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%

Описание (план):


Содержание:
Введение Глава 1.Биполярный транзистор Глава 2. Статические характеристики и параметры БП транзисторов 2.1. Статические характеристики 2.1.1 Основные схемы включения 2.2. Режимы работы 2.3. Статические параметры БП транзистора Заключение Список литературы



Введение:

Транзистор (от английского transfer - переносить и латинского resistor - сопротивление) - электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три электрода и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.
По физическому принципу работы транзисторы можно разделить на два основных класса: биполярные и униполярные.
В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков. В основе работы биполярных транзисторов лежат процессы инжекции и диффузии неосновных носителей, дрейфа основных и неосновных носителей заряда.
В униполярных транзисторах физические процессы протекания электрического тока в полупроводниках обусловлены носителями заряда одного знака - электронами или дырками. Перенос носителей заряда осуществляется за счет их дрейфа в электрическом поле.
В дальнейшем будем говорить только о биполярных транзисторах . В справочной литературе для биполярных транзисторов обращает на себя внимание тот факт, что один и тот же транзистор в разных схемах включения имеет разные характеристики и разные параметры. Следовательно, в данном курсе обязательно предусмотрен процесс исследования биполярных транзисторов в статическом режиме, то есть в режиме без нагрузки. При исследовании выявляются собственные «возможности» транзистора, в соответствии с которыми в дальнейшем его можно рассматривать применительно к рабочему режиму.


Глава 1.Биполярный транзистор
Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и предназначенный для усиления сигнала. Биполярные транзисторы являются полупроводниковыми приборами универсального назначения и широко применяются в различных усилителях, генераторах, в импульсных и ключевых устройствах. Биполярные транзисторы можно классифицировать:
? по материалу: германиевые и кремниевые;
? по виду проводимости: типа р-n-р и n-p-n;
? по мощности: малая (Рмах < 0,3Вт), средняя (Рмах = 1,5Вт) и большая (Рмах > 1,5Вт);
? по частоте: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ.
В транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок. Отсюда пошло их название: биполярные.

Рис.1. Возможные структуры и уловное изображение биполярного транзистора.

Последовательное соединение полупроводника с электронной и дырочной проводимостью, которо........


Список литературы:
1. И.П. Жеребцов «Основы Электроники», Ленинград «Энергатомиздат» 1985 г. 2. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев «Электроника», Москва «Высшая школа» 1991 г. 3. В.В. Пасынков, Л.К. Чирикин «Полупроводниковые приборы», Москва «Высшая школа» 1987 г. 4. Е.И. Бочаров, Г.Б. Гогоберидзе, Ю.М. Першин, К.С. Петров, А.Н. Штагер - ЭЛЕКТРОННЫЕ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ 5. Б. Ф. Лаврентьев «Схемотехника электронных средств»


Перейти к полному тексту работы


Скачать работу с онлайн повышением уникальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru или advego.ru


Смотреть похожие работы

* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.