Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Работа № 128303
Наименование:
Лабораторка ИЗУЧЕНИЕ ПЛАНАРНО ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ на примере полупроводниковых ИС на МДП и биполярных транзисторах
Информация:
Тип работы: Лабораторка.
Предмет: Электроника.
Добавлен: 14.12.2021.
Год: 2021.
Страниц: 6.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Министерство цифрового развития связи и массовых коммуникаций Российской Федерации. Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технический университет связи и информатики"
Кафедра электроники
Отчет по лабораторной работе № 6 “ИЗУЧЕНИЕ ПЛАНАРНО ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ” по дисциплине "Электроника" Выполнил: студент гр. БИН2001
Москва, 2021 г. Цель работы Изучение основных технологических операций и в целом технологии изготовления интегральных схем (ИС) на примере полупроводниковых ИС на МДП и биполярных транзисторах. Краткие
Рис.1- фрагмент подложки с маской
Рис.2- Подготовленная к фотолитографии кристаллическая кремниевая подложка с идеально обработанной поверхностью.
Рис.3- Создание защитного слоя SiO2, например окислением кремния.
Рис.4- нанесение на защитный слой фоторезиста – светочувствительного вещества, которое под действием света полимеризуется и затвердевает.
Рис.5- Наложение на фоторезист фотошаблона – стеклянной фотопластинки, на которую сфотографировано с большим уменьшением необходимое чёрнобелое изображение.
Рис.6 - Засветка. Свет проникает сквозь прозрачные участки фотошаблона и засвечивает под ними фоторезист.
Рис.7 -Удаление фотошаблона.
Рис.8 - Смывка незасвеченного фоторезиста растворителем, не действующим на засвеченный фоторезист
Рис.9- Травление слоя SiO2 плавиковой кислотой (не действует на засвеченный фоторезист)
Рис.10- Смывка засвеченного фоторезиста.
Рисунок 1 - Структура интегральной схемы
Рисунок 2 - Принципиальная схема
Рисунок 3 - Результаты зачёта
Вывод
В ходе выполнения лабораторной работы мы изучили основные технологические операции. Окисление, нанесение фоторезиста, наложение ,освещение , проявление фоторезиста, травление окисла, удаление фоторезиста, диффузия N+ примесей ,удаление окисла , эпитаксия. Изучили технологии изготовления интегральных схем (ИС) на примере полупроводниковых ИС на МДП и биполярных транзисторах. Прошли компьютерное тестирование.
* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.
