Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Лабораторка Тема: Исследование идеализированного р-n перехода (Лабораторная работа №1).Период изготовления: июнь 2021 года.Предмет: Электроника .Учебное заведение: Московский технический университет связи и информатики .
Информация:
Тип работы: Лабораторка.
Предмет: Электроника.
Добавлен: 19.10.2023.
Год: 2021.
Страниц: 4.
Уникальность по antiplagiat.ru: 60. *
Описание (план):
Номер зачётной книжки – 20051, в итоге изменяю начальные данные в 1.5 раза: Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18 Концентрация донорной примеси: 1.5Е16 Площадь: 1.5Е-2 Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11 Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0 Исходные данные Тип п/п Si Si Si Si NA, см–3 1.5*1018 1.5*1019 1.5*1018 1.5*1018 NД, см–3 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1016 1.5*1017 S, см2 1.5*10-2 1.5*10-2 1.5*10-3 1.5*10-2 Результаты при Т = 300 К ?k0, В 8,3587E-1 8,9545E-1 8,3587E-1 8,9545E-1 w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2 I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18 Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+1 1,4094E+1 2,5062E+0 Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+1 1,9913E+0 Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E-10 5,8570E-11 1,7895E-9 Цель работы: Целью настоящей работы является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь р-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: – контактная разность потенциалов; – толщина; – тепловой ток (ток насыщения); – напряжение и тип пробоя; – барьерная ёмкость.
Ход работы:
Рисунок 1 – схема P-N перехода для варианта 11 Номер зачётной книжки – 20051, в итоге изменяю начальные данные в 1.5 раза: Концентрация акцепторной примеси: 1.5Е18 Концентрация донорной примеси: 1.5Е16 Площадь: 1.5Е-2 ? Таблица 1 – Заполненная таблица для варианта 11 Характеристики p-n перехода Исходный вариант Вариант с увеличенным Uпроб. Вариант с уменьшенной Сб0 Вариант с уменьшенным I0 Исходные данные Тип п/п Si Si Si Si NA, см–3 1.5*1018 1.5*10 9 1.5*1018 1.5*1018 NД, см–3 1.5*1016 1.5*10 6 1.5*1016 1.5*1017 S, см2 1.5*10-2 1.5*10- 1.5*10-3 1.5*10-2 Результаты при Т = 300 К ?k0, В 8,3587E-1 8,9545E- 8,3587E-1 8,9545E-1 w, мкм 2,7334E-1 2,8165E -1 2,7334E-1 9,3366E-2 I0, А 1,5999E-17 1,5527E-17 1,5999E-18 4,6839E-18 Uпроб.л., В 1,4094E+1 1,4094E+ 1,4094E+1 2,5062E+0 Uпроб.т., В 1,9913E+1 1,9913E+1 ,9913E+1 1,9913E+0 Сб0, Ф 5,8570E-10 5,6588E- 0 5,8570E-11 1,7895E-
1. Так как контактная разность потенциалов примерно соответствует Uпр, её можно посчитать по формуле 1. , (1)
2. Для идеального P-N перехода барьерная ёмкость находится по формуле 2. Для уменьшения барьерной ёмкости нужно уменьшить площадь P-N перехода. , (2)
3. Для уменьшения теплового тока нужно уменьшить площадь P-N перехода или/и увеличить концентрацию донорной примеси по формуле 3. ... нет
