Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Лабораторка Тема: Определение постоянной Планка (Лабораторная работа № 10)Период изготовления: ноябрь 2020 года. Учебное заведение: Уфимский государственный авиационный технический университетРабота была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Информация:
Тип работы: Лабораторка.
Предмет: Физика.
Добавлен: 19.10.2023.
Год: 2020.
Страниц: 7.
Уникальность по antiplagiat.ru: 70. *
Описание (план):
1.1. Цель работы 1.2. Задачи работы 1.3. Приборы и принадлежности 2. Методика эксперимента 2.1. Схема установки 2.2. Расчётные формулы 3. Результаты измерений 4. Расчёты 5. Выводы 6. Контрольные вопросы 1. Что лежит в основе работы светодиодов и полупроводниковых лазеров? 2. Опишите принцип действия полупроводникового лазера. 3. Сформулируйте постулаты Бора. 4. Перечислите виды излучений. Лабораторная работа № 10
Определение постоянной Планка
1.1. Цель работы
– Ознакомление с работой полупроводникового лазера.
1.2. Задачи работы
– Определение длины волны полупроводникового лазера. – Определение постоянной Планка. – Определение погрешности измерений.
1.3. Приборы и принадлежности
– Экспериментальная установка с полупроводниковым лазером; – Дифракционная решётка, мультиметр, измерительная линейка.
2. Методика эксперимента
Подобно тому, как в изолированном атоме электроны могут совершать переходы между энергетическими уровнями, электроны в кристаллах могут переходить из одной зоны в другую. В примесных полупроводниках, как электронных, так и дырочных, такой переход осуществляется под воздействием электрического поля источника тока. Обратный процесс перехода электрона может сопровождаться излучением кванта света. Излучение света при переходе электрона из состояния с более высокой энергией в состояние с меньшей энергией лежит в основе работы светодиодов и полупроводниковых лазеров. Для того чтобы электрон мог совершить переход в разрешенное состояние с более высокой энергией, он должен приобрести в электрическом поле энергию, равную ширине запрещенной зоны. Энергия, приобретаемая электроном в электрическом поле, составляет . Энергия фотона , излучаемого при обратном переходе электрона в нижнее энергетическое состояние также приблизительно равна ширине запрещенной зоны. Таким образом, с учетом можно записать , откуда , (1) где h – постоянная Планка, ? – длина волны света, излучаемого полупроводниковым переходом, с – скорость света, е – заряд электрона, U – напряжение, приложенное к переходу.
Таким образом, для определения постоянной Планка необходимо измерить длину волны излучаемого полупроводниковым прибором света и измерить напряжение, при котором переход начинает излучать световые кванты. В работе длина волны излучения определяется с помощью дифракционной решетки с известным периодом. Если падающий луч длинной волны излучения ?, перпендикулярен поверхности решетки, период которой равен d, то угол ? и порядок k дифракции связаны соотношением: ... нет