Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.

ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ 

Здравствуйте гость!

 

Логин:

Пароль:

 

Запомнить

 

 

Забыли пароль? Регистрация

 

Повышение оригинальности

Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.

Результат поиска


Наименование:


Лабораторка Тема: Определение постоянной Планка (Лабораторная работа № 10)Период изготовления: ноябрь 2020 года. Учебное заведение: Уфимский государственный авиационный технический университетРабота была успешно сдана - заказчик претензий не имел.

Информация:

Тип работы: Лабораторка. Предмет: Физика. Добавлен: 19.10.2023. Год: 2020. Страниц: 7. Уникальность по antiplagiat.ru: 70. *

Описание (план):



1.1. Цель работы
1.2. Задачи работы
1.3. Приборы и принадлежности
2. Методика эксперимента
2.1. Схема установки
2.2. Расчётные формулы
3. Результаты измерений
4. Расчёты
5. Выводы
6. Контрольные вопросы
1. Что лежит в основе работы светодиодов и полупроводниковых лазеров?
2. Опишите принцип действия полупроводникового лазера.
3. Сформулируйте постулаты Бора.
4. Перечислите виды излучений.
Лабораторная работа № 10

Определение постоянной Планка

1.1. Цель работы

– Ознакомление с работой полупроводникового лазера.

1.2. Задачи работы

– Определение длины волны полупроводникового лазера.
– Определение постоянной Планка.
– Определение погрешности измерений.

1.3. Приборы и принадлежности

– Экспериментальная установка с полупроводниковым лазером;
– Дифракционная решётка, мультиметр, измерительная линейка.

2. Методика эксперимента

Подобно тому, как в изолированном атоме электроны могут совершать переходы между энергетическими уровнями, электроны в кристаллах могут переходить из одной зоны в другую. В примесных полупроводниках, как электронных, так и дырочных, такой переход осуществляется под воздействием электрического поля источника тока. Обратный процесс перехода электрона может сопровождаться излучением кванта света.
Излучение света при переходе электрона из состояния с более высокой энергией в состояние с меньшей энергией лежит в основе работы светодиодов и полупроводниковых лазеров.
Для того чтобы электрон мог совершить переход в разрешенное состояние с более высокой энергией, он должен приобрести в электрическом поле энергию, равную ширине запрещенной зоны. Энергия, приобретаемая электроном в электрическом поле, составляет . Энергия фотона , излучаемого при обратном переходе электрона в нижнее энергетическое состояние также приблизительно равна ширине запрещенной зоны. Таким образом, с учетом можно записать , откуда
,
(1)
где h – постоянная Планка, ? – длина волны света, излучаемого полупроводниковым переходом, с – скорость света, е – заряд электрона, U – напряжение, приложенное к переходу.

Таким образом, для определения постоянной Планка необходимо измерить длину волны излучаемого полупроводниковым прибором света и измерить напряжение, при котором переход начинает излучать световые кванты.
В работе длина волны излучения определяется с помощью дифракционной решетки с известным периодом. Если падающий луч длинной волны излучения ?, перпендикулярен поверхности решетки, период которой равен d, то угол ? и порядок k дифракции связаны соотношением:
...
нет

Смотреть работу подробнее



Скачать работу


Скачать работу с онлайн повышением оригинальности до 90% по antiplagiat.ru, etxt.ru


* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.