Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Контрольная Физические основы электроники. Вариант 52. Обратный ток насыщения p-n-перехода I0 =1 мкА при Т = 300 К. Определить сопротивление перехода постоянному току
Информация:
Тип работы: Контрольная.
Предмет: Электроника.
Добавлен: 10.01.2022.
Год: 2021.
Страниц: 32.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Содержание Задание 3 13 18 23 28 33 43 Есть еще выполненные варианты
3. Обратный ток насыщения p-n-перехода I0 =1 мкА при Т = 300 К. Определить сопротивление перехода постоянному току и дифференциальное сопротивление перехода при прямом и обратном напряжениях, равных 150 мВ. Решение а).Найдем ток диода при прямом напряжении U = 0,15 В по формуле I=I_0•(e^(eU/kT)-1)= •?10?^(-6)•(e^((1.602 ?10?^(-19)•0.15)/(1. 8•?10?^(-23)•300))-1)= 10?^(-6)•(e^5,804-1) 3,306•?10?^(-4) А=330,6234 мкА
б).Найдем ток диода при обратном напряжении U = - 0,15В по формуле I=I_0•(e^(eU/kT)-1)= •?10?^(-6)•(e^((1.602 ?10?^(-19)•(-0.15))/( .38•?10?^(-23)•300))-1 =?10?^(-6)•(e^(-5,80 )-1)=-0,997•?10?^(-6) А=-0,997 мкА
Тогда сопротивление диода постоянному току при прямом напряжении, равном 0,15 В. R0 = U / I = 0,15/(330,6.10-6) = 453,72 кОм. сопротивление диода постоянному току при обратном напряжении, равном - 0,15 В. R0 = U / I = 0,15/(0,997.10-6) = 150,451 кОм.
Вычислим дифференциальное сопротивление при прямом напряжении:
откуда Ом.
или приближенно, с учетом того, что I ? I0, , откуда Ом.
Вычислим дифференциальное сопротивление при обратном напряжении:
откуда Ом.
13. В равновесном состоянии высота потенциального барьера германиевого p-n-перехода равна 0,2 В, концентрация акцепторных примесей Nа в p-области много меньше концентрации доноров Nд в n-области и равна 3•1014 см-3. Требуется вычислить ширину p-n-перехода для обратных напряжений 0,1 и 10 В, и для прямого напряжения 0,1 В.
Решение. Задан германиевый диод Для германия: высота потенциального барьера ?К: ?К = ?Т?ln(NA?ND/ni2) = (k?T/e)?ln(nn?pp/ni2) тепловой потенциал: ?T = k?T/e = 1,38?10–23 •300 / 1,602?10–19 = 0,0258 В ? 0,026 В. (k = 1,38 • ?10?^(-23) Дж/К; 0,86?10–4 [эВ/К]; e = 1,602?10–19 [Кл / А?с]; Т = 300 К). Концентрации атомов NGe = 4,42•1022, и собственная концентрация носителей ni = 2,55 •1013 (см–3).
ni = N•eхр(–?Eэ/2kT) = 2,55•1013 [см-3],
б).Напряженность электрического поля в ОПЗ максимальна при х = 0 Рассчитаем сначала ширину ОПЗ при U = 0 W=l_0=v((2•?_Ge•?_0•? K)/(e•N_а ))=v((2•16•8.85•?10?^( 14)•0.2)/(1.602•?10? (-19)•?3•10?^14 ))=1,086•?10?^(-4) см Находим напряженность электрического поля: E_max=(2?_K)/W=(2•0. )/(1,086•?10?^(-4) )=3,685•?10?^3 В/см
в) рассчитаем высоту потенциального барьера при обратном смещении U = -10 В При смещении p-n-перехода в обратном направлении высота потенциального барьера возрастает до величины U’’= ?к + |U|, U’’= 0.2 + 10=10.2 B
и его ширина увеличивается: l_0=v((2•?_Ge•?_0•(?_ +|U| ))/e•(N_a+N_d)/(N_a•N d )) в случае если Nа ? Nd , имеем: l_0=v((2•?_Ge•?_0•(?_ +|U| ))/(e•N_a )) l_0=v((2•16•8.85•?10? (-14)•10.2)/(1.602•? 0?^(-19)•?3•10?^14 ))=7.753•?10?^(-4) см
г) рассчитаем высоту потенциального барьера при обратном смещении U = -0,1 В При смещении p-n-перехода в обратном направлении высота потенциального барьера возрастает до величины U’’= ?к + |U|, U’’= 0.2 + 0,1=0,3 B
и его ширина увеличивается: l_0=v((2•?_Ge•?_0•(?_ +|U| ))/e•(N_a+N_d)/(N_a•N d )) в случае если Nа ? Nd , имеем: l_0=v((2•?_Ge•?_0•(?_ +|U| ))/(e•N_a )) l_0=v((2•16•8.85•?10? (-14)•0,3)/(1.602•?1 ?^(-19)•?3•10?^14 ))=1,3296•?10?^(-4) см
д) рассчитаем высоту потенциального барьера при прямом смещении U = 0,1 В При смещении p-n-перехода в прямом направлении высота потенциального барьера уменьшается до величины U’’= ?к -|U|, U’’= 0.2 – 0,1=0,1 B
и его ширина увеличивается: l_0=v((2•?_Ge•?_0•(?_ -|U| ))/e•(N_a+N_d)/(N_a•N d )) в случае если Nа ? Nd , имеем: l_0=v((2•?_Ge•?_0•(?_ -|U| ))/(e•N_a )) l_0=v((2•16•8.85•?10? (-14)•0,1)/(1.602•?1 ?^(-19)•?3•10?^14 ))=7,676•?10?^(-5) см=0,7676•?10?^(-4) см
Ответ: l_0 (U=-10B)=7.753•?10?^ -4) см l_0 (U=-0.1B)=1,3296•?10 ^(-4) см l_0 (U=+0.1B)=0,7676•?10 ^(-4) см
... Список использованных источников
Основные источники: 1. Булычев, А.Л. Электронные приборы: учебное пособие / А.Л.Булычев, П.М.Лямин, Е.С.Тулинов. - Саратов: Профобразование, 2017. 2. Водовозов, А.М. Основы электроники: учебное пособие / А.М.Водовозов. - Вологда: Инфра-Инженерия, 2016. 3. Гальперин, М.В. Электронная техника: учебник для студ. уч-режд. СПО / М.В.Гальперин. - М.: ФОРУМ: ИНФРА-М, 2017. 4. Дробот, С. В. Электронные приборы и устройства. Практикум : учеб. пособие / С. В. Дробот, В. А. Мельников, В. Н. Путилин. – Минск : БГУИР, 2009. – 256 с. : ил. 5. Ситников, А.В. Прикладная электроника: учебник для студ. учрежд. СПО / А.В.Ситников, И.А.Ситников. — М.: КУРС: ИНФРА-М, 2017. 6.Ткаченко, Ф.А. Электронные приборы и устройства: учебник / Ф.А.Ткаченко. - М.: ИНФРА-М: Нов. Знание, 2017. 7. Транзисторы: Справочник / Григорьев О. П., Замятин В. Я., Конд-ратьев Б. В.,Пожидаев С. Л. – М.: Радио и связь, 1989. – 272 с., ил.
Дополнительные источники: 1. Вайсбурд, Ф.И. Электронные приборы и усилители: учебник для техникумов связи / Ф.И.Вайсбурд, Г.А.Панаев, Б.Н.Савельев. – М.: Либро-ком, 2009. 2. Миленина, С.А. Электротехника, электроника и схемотехника: учебник и практикум для СПО / С.А.Миленина; под ред. Н.К.Миленина. - М.: Юрайт, 2017. 3. Славинский, А.К. Электротехника с основами электроники: учебное пособие для студ. учрежд. СПО / А.К. Славинский, И.С. Туревский. - М.: ФОРУМ: Инфра-М, 2017. 4. Комиссаров, Ю. А. Общая электротехника и электроника: учебное пособие для вузов / Ю.А.Комиссаров, Г.И.Бабокин; под ред. П.Д.Саркисова. - М.: ИНФРА-М, 2017. 5. Полупроводниковая электроника. – Саратов: Профобразование, 2017. 6. Соколов, С.В. Электроника: учебное пособие для вузов / С.В.Соколов, Е.В.Титов. - М.: Горячая линия - Телеком, 2013. 7. Титце, У. Полупроводниковая схемотехника. В 2 т./ Ульрих Титце, Крисоф Шенк. - Саратов: Профобразование, 2017.
Интернет ресурсы: 1. Авторский сайт В.В.Скороделова. Справочники [Электронный ресурс]. – Режим доступа: skor/sprav.htm, (последняя дата обращения: 29.11.2021) 2. Узлы электронных схем [Электронный ресурс]: информационно-справоч ый сайт. – Режим доступа: , (последняя дата обращения: 30.11.2021)
