Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Курсовик Принципова вдмннсть польових транзисторв вд бполярних. Фзичн фактори,вдповдальн за нелнйнсть ВАХ. Опр длянки кола стк-витк транзистора у вдкритому стан при концентрацї донорв в канал Nd.
Информация:
Тип работы: Курсовик.
Предмет: Схемотехника.
Добавлен: 08.08.2007.
Год: 2007.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Національний університет “Львівська політехніка”
Курсова робота
З курсу: “Фізика польових напівпровідникових приладів і компонентів інтегральних схем на основі МОН-структур”
на тему: “Розрахунок електричних параметрів іхарактеристикпольового транзистора з керуючим р-n-переходом” Виконав: Перегинець І.І. Прийняв:
проф. Дружинін А.О.
Львів 2002
Завдання:
1. Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. 2. Намалювати сім'ю ВАХ і характеристик передачі. 3. Які фізичні фактори відповідають за нелінійність ВАХ. 4. Розрахувати опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd, акцепторів в р області Na, довжині каналу L, ширині-W і товщині-d. 5. Який з параметрів польового транзистора характеризує його підсилювальну властивість в режимі малих сигналів? Визначити його максимальну величину. 6. Від чого залежить ширина ОПЗ затворного р+-n-переходу. Оцінити цю ширину. 7. Дати визначення й розрахувати напругу відсікання. 8. Чим зумовлена бар`єрна ємність затворного р-n-переходу? 9. Розрахувати вхідну ємність р-n-переходу. 10. Які фізичні процеси обмежують діапазон робочих частот. 11. Розрахувати максимальну робочу частоту транзистора 12. Яку технологію можна використати при розробці транзистора. Дані для розрахунку курсової роботи:
Nd=1·1021 (м-3)- концентрація донорів;
Na=2·1024 (м-3)-концентрація акцепторів;
L=15·10-6 (м)- довжина каналу;
W=300·10-6 (м)-ширина каналу;
d0=0,8·10-6 (м)- віддаль між металургійними межами;
=12,5-діалектрична проникливість кремнію; 0= 8.85·10-6-діалектрична проникливість у вакумі; n=0,14(м2/Вс)-рухливість електронів; р=0,05(м2/Вс)-рухливість дірок;
ni=1.45·1016(м-3)-концентрація електронів у власному н/п в умовах термодинамічної рівноваги;
Vs=10·105 (мс-1)-швидкість насичення;
Тt=300(K)-кімнатна температура;
k=1.38·10-23 (ДжK-1)-константа Больцмана.
Вступ
Польові транзистори з керуючим р-n-переходом - уніполярні напівпровідникові прилади, принцип дії яких заснований на дрейфі основних носіїв заряду. Такі транзистори мають менший вхідний опір порівняно з МДН-транзисторами, однак він є набагато більшим від вхідного опору біполярного транзистора. Розрізняють польові транзистори з керуючим р-n-переходом як прилади з каналом р- або n-типу провідності.
Польові транзистори з керуючим р-n-переходом перш за все використовуються в підсилювальному режимі. Тут в багатьох випадках вони мають переваги над МДН-транзисторами. Зокрема вжливою перевагою польових транзисторів з керуючим р-n-переходом є малий рівень власних шумів і висока стабільність параметрів в часі. Причиною цих переваг є те, що канал в польових транзисторах з керуючим р-n-переходом відокремлений від поверхні р-n- переходом. На межі каналу й ОПЗ відсутні поверхневі дефекти, які зумовлюють як нестабільність параметрів, так і додаткові шуми в МДН-транзисторах. Такі транзистори відзначаються високою радіаційною стійкістю.
Рис. 1. Схематичне зображення польового транзистора з керуючим p-n - переходом
Принципові відмінності польових транзисторів від біполярних
Основною відмінністю польових транзисторів від біполярних є те що польові транзистори є уніполярними приладами,тобто в переносі заряду бере участь лише один вид носіїв, тому відсутні процеси інжекції і екстракції, що покращує їх частотні властивості.
В польвих транзисторах інформаційний сигнал (керуюча дія) задається у вигляді напруги або електричного поля, а в біполярних керування відбувається вхідним струмом.
Вхідний опір в уніполярних транзисторів значно більший, тому досягається високий коефіцієнт підсилення за струмом.
Вихідний опір великий, але має певне значення, який зумовлиний поверхневими втратами й модуляцією довжини каналу, а в біполярних транзисторах модуляція ширини бази - ефект Ірлі.
2) При фіксованій напрузі зміщення на затворі струм в каналі збільшується зі зростанням напруги на стоці доки при деякій порівняно невеликій напрузі Uc=Ucнас не відбувається насичення струму. На ВАХ необхідно розрізняти ділянку насичення та лінійну. Формули для визначення ВАХ у лінійній ділянці:
в ділянці насичення:
На лінійній ділянці стум стоку пропорційний до Uc, а у ділянці насичення стум стоку не залежить від напруги стоку. При підвищенні від`ємної напруги зміщення на затворі Uз струм насичення і напруга, що відповідає початку насичення зменшуються. Це зумовлено зниженням початкової товщини провідного каналу, що, в свою чергу призводить до більшого початкового опору каналу транзистора. При значних напругах на стоці може виникнути пробій р+-n-переходу затвора. Зворотня напруга на р+-n-переході затвора змінюється вздовж каналу, досягаючи максимального значення в кінці каналу біля стоку і дорівнює сумі напруг на стоці і на затворі. Отже, пробій польового транзистора може відбуватися при різних напругах на стоці залежно від напруги на затворі. Оскільки польові транзистори виготовляють здебільшого на основі кремнію, пробій таких транзисторів, як правило, має лавинний характер.
Статичні характеристики передачі: Іс=f(Uз) при Uc=const. Струм стоку буде максимальним и т.д.................
